N° de brevet Brevet EP1884580 Procédé d'agrandissement de cristal de nitrure de gallium EP1873280 Substrat de monocristal de nitrure de galium de type N dopé à l'oxygène et procédé pour sa production EP1865095 Procédé de croissance de cristal de nitrure de gallium EP1818429 Substrat monocristallin de GaN EP1777756 Dispositif émetteur de lumière à semiconducteur, tranche pour un dispositif émetteur de lumière à semiconducteur et son procédé de fabrication EP1758180 Wafer épitaxial comprenant une couche épitaxiale de nitrure de gallium sur un substrat semi–conducteur EP1296362 Substrat monocristallin de GaN et procédés pour sa croissance et sa production EP1249522 Procédé pour le dopage par l'oxygène d'un substrat monocristallin de nitrure de gallium EP1172464 Procédé pour la production d'un substrat de nitrure de gallium monocristallin et le substrat ainsi obtenu EP1088914 Procédé pour la croissance de GaN monocristallin, procédé pour la préparation d'un substrat de GaN monocristallin et le substrat ainsi obtenu EP0961328 Dispositif semi–conducteur comprenant des composés à base de nitrure de gallium EP0865088 Wafer epitaxial comprenant une couche épitaxiale de nitrure de gallium sur un substrat semi–conducteur et procédé de fabrication EP0810674 Dispositif émetteur de lumière, plaquette pour un dispositif émetteur de lumière et méthode de fabrication EP0801156 Procédé d'épitaxie en phase vapeur d'un composé semi–conducteur

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