N° de brevet Brevet
WO2008028170 DISTRIBUTION DE FLUIDE FONDÉE SUR DES PRÉCURSEURS SOLIDES, FAISANT INTERVENIR DES SOLIDES À MORPHOLOGIE CONTRÔLÉE
EP1882055 APPAREIL ET PROCEDES DE SUPPRESSION OU DE DEPOT DE FLUIDES SUPERCRITIQUES
WO2007147020 PRÉCURSEURS AU COBALT UTILES POUR FORMER DES FILMS CONTENANT DU COBALT SUR DES SUBSTRATS
WO2007142700 AMIDINATES ET GUANIDINATES DE CUIVRE (I) POUR FORMER DE MINCES FILMS DE CUIVRE
EP1765526 COMPOSITIONS ET PROCÉDÉS POUR SÉCHER DES TRANCHES IMPRIMÉES PAR SÉCHAGE DURANT LA FABRICATION DE CIRCUITS IMPRIMÉS
WO2006138505 COMPOSITIONS DE FLUIDE DENSE POUR L'ELIMINATION DE PHOTORESINE DURCIE, DE RESIDU POST–GRAVURE ET/OU DE COUCHES DE REVETEMENT ANTIREFLET DE FOND
EP1689825 ENLEVEMENT DE COUCHES SACRIFICIELLES SUR LES SYSTEMES MICRO–ELECTROMECANIQUES AU MOYEN D'UN FLUIDE SUPERCRITIQUE OU DE FORMULATIONS CHIMIQUES
EP1636828 COMPOSITIONS ET METHODES DESTINEES AU NETTOYAGE/POLISSAGE A HAUT RENDEMENT DE PLAQUETTES SEMI–CONDUCTRICES
EP1627429 COMPOSITIONS ET PROCEDES DE NETTOYAGE A BASE DE FLUIDES SUPERCRITIQUES
WO2006009590 COMPOSES DE CUIVRE (I) DESTINES A ETRE UTILISES COMME PRECURSEURS DE DEPOT DE COUCHES MINCES DE CUIVRE
WO2006007077 COMPOSITION ET PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A BASSE TEMPERATURE DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM COMPRENANT DES FILMS DE CARBONITRURE DE SILICIUM ET D'OXYCARBONITRURE DE SILICIUM
EP1572833 FORMULATION CHIMIQUE DE DIOXYDE DE CARBONE SUPERCRITIQUE POUR ELIMINATION DE RESIDUS D'ALUMINIUM BRULES OU NON BRULES APRES GRAVURE
WO2005081933 PROCEDE DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR DE CONDUCTIVITE ELEVEE, FILMS MINCES ADHERENTS DE RUTHENIUM
EP1567531 COMPOSITION ET PROCEDE DE DEPOT A BASSE TEMPERATURE DE COUCHES CONTENANT DU SILICIUM, TELLES QUE DES COUCHES COMPRENANT DU SILICIUM, DU NITRURE DE SILICIUM, DU DIOXYDE DE SILICIUM ET/OU DE L'OXYNITRURE DE SILICIUM
WO2005054405 ENLEVEMENT DE COUCHES SACRIFICIELLES SUR LES SYSTEMES MICRO–ELECTROMECANIQUES AU MOYEN D'UN FLUIDE SUPERCRITIQUE OU DE FORMULATIONS CHIMIQUES
WO2005010230 SYSTEMES DE DELIVRANCE POUR LA VAPORISATION EFFICACE DE MATERIAU SOURCE PRECURSEUR
WO2005004199 COMPOSITIONS ET METHODES DESTINEES AU NETTOYAGE/POLISSAGE A HAUT RENDEMENT DE PLAQUETTES SEMI–CONDUCTRICES
EP1392462 COMPOSITION DE REACTIF DE SOURCE DESTINEE A LA FORMATION PAR CVD DE FILMS MINCES D'OXYDE METALLIQUE A CONSTANTE DIELECTRIQUE ET DIELECTRIQUE ELEVEE DE GRILLE DOPEE ZR/HF ET PROCEDE D'UTILISATION CORRESPONDANT
EP1373278 PRECURSEURS DE METALLOAMIDE ET AMINOSILANE UTILISES DANS LA FORMATION PAR PROCEDE CVD DE FILMS MINCES DE DIELECTRIQUE
WO0174824 PROCEDE CHIMIQUE D'ELIMINATION ET D'ANALYSE D'IMPURETES DE BORE DANS DU TETRAETHYLORTHOSILICATE (TEOS)
WO0168948 COMPLEXES DE PYRAZOLATE DE CUIVRE ET DEPOT CHIMIQUE METALORGANIQUE EN PHASE VAPEUR DU CUIVRE FAISANT INTERVENIR LESDITS COMPLEXES
Copyright © 2008 Patfr.com Tous droits réservés. Contact