| N° de brevet |
Brevet |
| EP1900859 |
COMPOSITE COMPRENANT UN ENSEMBLE DE CRISTAL ACICULAIRE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ÉLÉMENT DE CONVERSION PHOTOÉLECTRIQUE, ÉLÉMENT LUMINESCENT, ET CONDENSATEUR |
| EP1899508 |
CREUSET POUR LA CRISTALLISATION DE SILICIUM |
| EP1899509 |
DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LE MAINTIEN D'UNE PRESSION QUASI–ATMOSPHERIQUE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT |
| EP1900857 |
Procédé de fabrication d'une couche mince en nitrure de gallium monocristalline |
| EP1897978 |
Procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, dispositif à nitrures du groupe III, procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, et procédé de fabrication de dispositif à nitrures du groupe III |
| EP1897976 |
Procédé pour la production d'un monocristal de silicium et de tranches de silicium |
| FR2905384 |
PROCEDE DE FABRICATION DE GERMES MONOCRISTALLINS SIMULTANEMENT A LA COULEE DE PIECES MONOCRISTALLINES. |
| WO2008026931 |
PROCÉDÉ ET ÉQUIPEMENT POUR LA FABRICATION D'UN SILICIUM MULTICRISTALLIN DE GRADE SOLAIRE À PARTIR DE SILICIUM MÉTALLURGIQUE |
| EP1895031 |
PROCEDE DESTINE A PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM |
| EP1895029 |
DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1895028 |
DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1895026 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET MONOCRISTAL DE SILICIUM OBTENU PAR CE PROCEDE |
| EP1895027 |
PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE POUSSER UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PROCESSUS POUR PRODUIRE UNE TRANCHE DE SILICIUM |
| EP1895025 |
Cristal semi–conducteur, et procédé et appareil de production |
| WO2008023635 |
SiC À CRISTAL UNIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION |
| EP1888821 |
GALETTES DE SIC DÉVELOPPÉES EN PAQUETS À FAIBLE DISLOCATION DE PLAN BASAL |
| EP1888822 |
MELANGE DE DOPAGE POUR LE DOPAGE DE SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1885918 |
FILMS AU NITRURE DE GROUPE III DE POLARITE REGULEE ET PROCEDES DE PREPARATION DE TELS FILMS |
| EP1887109 |
Monocristal de nitrure d'aluminium |
| EP1884580 |
Procédé d'agrandissement de cristal de nitrure de gallium |
| EP1883719 |
SUBSTRAT III–N CUBIQUE AUTONOME EN VRAC ET PROCEDE DE FORMATION |
| WO2008012215 |
PROCÉDÉ ET DISPOSITIF POUR PRÉPARER UN FRAGMENT DE SILICIUM POLYCRISTALLIN CALIBRÉ DE HAUTE PURETÉ |
| WO2008013108 |
processus de fabrication de substrat monocristallin avec angle de déport |
| EP1882057 |
STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI |
| WO2008009805 |
PROCEDE POUR LA CROISSANCE DE NITRURE D' INDIUM |
| WO2008011022 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À DURÉE DE VIE DE PORTEURS AMÉLIORÉE |
| EP1881092 |
Procédé de fabrication d'une nanostructure à base de nanofils interconnectés, nanostructure et utilisation comme convertisseur thermoélectrique |
| WO2008008407 |
MATÉRIAUX SEMICONDUCTEURS À LARGE BANDE |
| WO2008004424 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN, PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL D'AlN ET SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN |
| WO2008005636 |
CRISTAL DE SiC DE CENT MILLIMÈTRES TIRÉ SUR UN GERME DÉCALÉ |
| EP1874985 |
PROCEDE ET SYSTEME DESTINES A LA FORMATION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT DES IMPURETES DE DOPAGE UNIFORMEMENT REPARTIES DANS L'ESPACE |
| EP1874984 |
METHODE DE FORMATION DE TRANCHES LAMINEES POLYMERES COMPRENANT DIFFERENTS MATERIAUX DE FILM |
| EP1876269 |
MONOCRISTAL D'OXYDE, SON PROCEDE DE FABRICATION, ET PLAQUE EN MONOCRISTAL |
| WO2008001569 |
SYSTÈME DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN CRISTAL DE SILICIUM UNIQUE AU MOYEN DUDIT SYSTÈME |
| EP1871927 |
TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE SOIXANTE–QUINZE MILLIMETRES A DEFORMATION, COURBURE ET VARIATION TOTALE D'EPAISSEUR FAIBLES |
| EP1872388 |
PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUETTES CONSTITUEES DE MATERIAUX SELECTIONNES PARMI DES MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1871928 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| WO2007144955 |
MONOCRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE CROISSANCE |
| EP1867759 |
Equipement de fabrication pour lingot de polycilicone |
| EP1866465 |
SYSTEME DE REACTION DESTINE A CREER UNE COUCHE MINCE |
| EP1867761 |
CRISTAL UNIQUE DE GALLATE, SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, DISPOSITIF PIÉZOÉLECTRIQUE POUR UTILISATION À HAUTE TEMPÉRATURE ET CAPTEUR PIÉZOÉLECTRIQUE POUR UTILISATION À HAUTE TEMPÉRATURE |
| EP1867760 |
Procédé de fabrication d'un substrat monocristallin de diamant et le substrat ainsi obtenu |
| EP1867758 |
Procédé de fabrication de nanocristaux hexagonaux de diamant |
| EP1866466 |
PROCEDE POUR PRODUIRE UNE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE A SECTION PRATIQUEMENT POLYGONALE ET TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE CORRESPONDANTE |
| EP1866464 |
PROCEDE DE CROISSANCE A PARTIR D'UN GERME POUR LA PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| WO2007141364 |
PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DE COUCHES MINCES DE CRISTAL COLLOÏDAL ET PRODUIT AINSI OBTENU |
| WO2007141333 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN DISPOSITIF MICROELECTRONIQUE EMETTEUR DE LUMIERE A NANOFILS SEMI–CONDUCTEURS FORMES SUR UN SUBSTRAT METALLIQUE |
| WO2007143743 |
SYSTÈME D'ADMINISTRATION EN GRAND VOLUME DE TRICHLORURE DE GALLIUM |
| EP1865095 |
Procédé de croissance de cristal de nitrure de gallium |
| EP1862570 |
CREUSET POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX |
| EP1862571 |
Appareil de controle de la surface d'un bain de fusion dans un procédé de croissance de silicium monocristallin |
| WO2007135965 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM |
| WO2007131343 |
processus de dopage basse tempÉrature pour dispositifs À galette de silicium |
| WO2007133025 |
DISPOSITIF ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE BARRES DE SILICIUM D'UNE GRANDE PURETÉ AU MOYEN DE D'ÉLÉMENTS D'ÂME MIXTES |
| EP1857574 |
Dispositif et procédé de croissance de cristaux |
| WO2007130484 |
PROCESSUS DE PYROLYSE DIRECTE PERMETTANT D'OBTENIR DES POINTS QUANTIQUES DE GAN |
| WO2007125914 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM ET GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| EP1852526 |
PROCEDE ET ENSEMBLE D'OUTILS PERMETTANT DE VERIFIER L'ETAT DE CRISTALLISATION DE MACROMOLECULES BIOLOGIQUES |
| EP1852528 |
Procédé et appareil pour la croissance en plot d'un monocristal de nitrure d'aluminium |
| EP1851367 |
PROCEDE ET DISPOSITIF POUR REALISER DES BLOCS SOLIDIFIES DE FAÇON ORIENTEE A PARTIR DE MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1851368 |
APPAREIL ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAUX |
| EP1851369 |
EMETTEURS DE LUMIERE EN NITRURE DE GALLIUM SUR DIAMANT |
| WO2007122833 |
PROCÉDÉ DE MESURE DE LA DISTANCE ENTRE UN RÉFLECTEUR DE RÉFÉRENCE ET UNE SURFACE FONDUE, PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DE LA POSITION DE LA SURFACE FONDUE EN UTILISANT CELUI–CI ET APPAREIL DE PRODUCTION DE CRISTAUX SIMPLES DE SILICIUM |
| WO2007123169 |
PROCÉDÉ ET APPAREIL DE PRODUCTION DE SILICIUM GRANULAIRE |
| WO2007123735 |
PROCÉDÉ DE DOPAGE RÉGLABLE DE CRISTAUX MASSIFS DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| WO2007123093 |
SUBSTRAT DE SAPHIR MONOCRISTALLIN |
| EP1849892 |
Four pour fusion d'éléments non métallique |
| EP1848843 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE LINGOTS DE SILICIUM À SOLIDIFICATION DIRECTIONNELLE |
| FR2900275 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE PORTION MONOCRISTALLINE A BASE DE SILICIUM |
| WO2007119433 |
COUCHE DE NITRURE DE GROUPE III–V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION |
| EP1846595 |
DEPOT SELECTIF DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM |
| WO2007117894 |
FOUR DE TRAITEMENT THERMIQUE, SYSTÈME DE DISTRIBUTION DE GAZ ASSOCIÉ ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS DE DISTRIBUTION D'UN GAZ DE TRAITEMENT |
| WO2007117576 |
COLLECTEURS DE GAZ S'UTILISANT PENDANT LA FORMATION D'UN FILM ÉPITAXIAL |
| WO2007117583 |
OUTIL COMBINÉ POUR FORMATION DE COUCHE ÉPITAXIALE |
| WO2007116315 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM |
| EP1842940 |
Procédé de préparation d'un matériau du type III–nitrure sur un substrat en silicium |
| EP1842942 |
Substrat cristallin en GaN |
| EP1842941 |
Procédé de formation d'un matériau de nitrure de groupe III sur un substrat en silicone |
| EP1841902 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C |
| EP1842943 |
Composite de nanofil et son procédé de préparation |
