| N° de brevet |
Brevet |
| EP1888821 |
GALETTES DE SIC DÉVELOPPÉES EN PAQUETS À FAIBLE DISLOCATION DE PLAN BASAL |
| EP1880470 |
DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE COMMUTATION DE PUISSANCE BIPOLAIRES A BANDE INTERDITE LARGE, ACTIVES OPTIQUEMENT |
| WO2008005636 |
CRISTAL DE SiC DE CENT MILLIMÈTRES TIRÉ SUR UN GERME DÉCALÉ |
| EP1871927 |
TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE SOIXANTE–QUINZE MILLIMETRES A DEFORMATION, COURBURE ET VARIATION TOTALE D'EPAISSEUR FAIBLES |
| EP1861920 |
AMPLIFICATEUR DE DOHERTY A GRANDE PUISSANCE UTILISANT DES MODULES MULTIETAGE |
| EP1831993 |
AMPLIFICATEUR DE PUISSANCE A MODE DE COMMUTATION HAUTE FREQUENCE |
| EP1828446 |
PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM DE GRANDE TAILLE ET DE HAUTE QUALITE |
| EP1828445 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM A DUREES DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES ACCRUES |
| EP1821344 |
Transistors à hétérojonctions comportant des barrières d'énergie, et procédés associés |
| WO2007081964 |
SUBSTRAT EMBOUTI AU CARBURE DE SILICIUM |
| EP1807558 |
PLAQUETTE EN CARBURE DE SILICIUM 100MM A FAIBLE DENSITÉ DE MICROTUBES |
| EP1797225 |
TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE 3 POUCES ET A FAIBLE DISLOCATION EN VIS 1C |
| EP1786956 |
GERME ET SUPPORT DE GERME POUR CROISSANCE DE QUALITÉ ELEVÉE DE LARGES CRISTAUX UNIQUES DE CARBURE DE SILICONE |
| EP1784528 |
PLAQUETTE DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL SEMI–ISOLANT HAUTE PURETÉ DE CENT MILLIMÈTRES |
| WO2007024331 |
DEPOT ELECTROPHORETIQUE EN BOUCLE FERMEE DE PHOSPHORES SUR DES SUBSTRATS SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1756880 |
LENTILLE OPTIQUE COMPOSITE A REFLECTEUR INTEGRE |
| EP1741315 |
DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS A COUCHES D'ENCAPSULATION MULTIPLES DONT AU MOINS UNE COMPREND DES NANOPARTICULES ET PROCEDES DE FORMATION ASSOCIES |
| WO2006135476 |
GALETTES DE SIC DÉVELOPPÉES EN PAQUETS À FAIBLE DISLOCATION DE PLAN BASAL |
| EP1733438 |
MODELISATION AU LASER DE DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS ET DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS AINSI OBTENUS |
| WO2006124450 |
DISPOSITIFS ET CIRCUITS DE COMMUTATION DE PUISSANCE BIPOLAIRES A BANDE INTERDITE LARGE, ACTIVES OPTIQUEMENT |
| WO2006124103 |
PROCEDE ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM |
| EP1721031 |
REDUCTION DES DEFAUTS DE CAROTTE DANS L'EPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM |
| WO2006108191 |
TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE SOIXANTE–QUINZE MILLIMETRES A DEFORMATION, COURBURE ET VARIATION TOTALE D'EPAISSEUR FAIBLES |
| WO2006102466 |
AMPLIFICATEUR DE DOHERTY A GRANDE PUISSANCE UTILISANT DES MODULES MULTIETAGE |
| EP1692719 |
ENSEMBLES SUBSTRATS A SEMI–CONDUCTEURS ET PROCEDES DE PREPARATION ET DE DECOUPAGE EN DES DE CEUX–CI |
| EP1684973 |
SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM VICINAL POUR HOMOEPITAXIE DE HAUTE QUALITE |
| EP1682701 |
SUBSTRAT GAN DE FAIBLE DENSITE DE DISLOCATION UNIFORME, A LARGE ZONE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1680816 |
BOITIER DE PUCES PHOTOEMETTRICES DE PUISSANCE A MONTAGE EN SURFACE |
| WO2006071326 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM A DUREES DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES ACCRUES |
| WO2006062955 |
PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM DE GRANDE TAILLE ET DE HAUTE QUALITE |
| EP1664397 |
CROISSANCE DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM TRES PURS DANS UN MILIEU RENFERMANT DE L'HYDROGENE |
| EP1649513 |
GAN SEMI–ISOLANT ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| WO2006041660 |
PLAQUETTE EN CARBURE DE SILICIUM 100 MM A FAIBLE DENSITE DE MICROTUBES |
| WO2006041659 |
TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE 3 POUCES ET A FAIBLE DISLOCATION EN VIS 1C |
| WO2006019692 |
GERME ET SUPPORT DE GERME POUR CROISSANCE DE QUALITÉ ELEVÉE DE LARGES CRISTAUX UNIQUES DE CARBURE DE SILICONE |
| WO2006011976 |
PLAQUETTE DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL SEMI–ISOLANT HAUTE PURETÉ DE CENT MILLIMÈTRES |
| EP1599938 |
DISPOSITIFS INTEGRES A ONDES ACOUSTIQUES A BASE DE NITRURE ET PROCEDES DE FABRICATION CORRESPONDANTS |
| EP1592044 |
Appareil de rotation planétaire à gaz et procédés d'utilisation |
| WO2005101909 |
DISPOSITIFS ELECTROLUMINESCENTS A COUCHES D'ENCAPSULATION MULTIPLES DONT AU MOINS UNE COMPREND DES NANOPARTICULES ET PROCEDES DE FORMATION ASSOCIES |
| WO2005093137 |
REDUCTION DES DEFAUTS DE CAROTTE DANS L'EPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM |
| WO2005062376 |
ENSEMBLES SUBSTRATS A SEMI–CONDUCTEURS ET PROCEDES DE PREPARATION ET DE DECOUPAGE EN DES DE CEUX–CI |
| EP1537603 |
ENSEMBLE DE PUCES PHOTOEMETTRICES DE PUISSANCE A MONTAGE EN SURFACE |
| WO2005050709 |
SUBSTRAT GAN DE FAIBLE DENSITE DE DISLOCATION UNIFORME, A LARGE ZONE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO2005050707 |
SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM VICINAL POUR HOMOEPITAXIE DE HAUTE QUALITE |
| WO2005034208 |
PROCEDE PERMETTANT DE REDUIRE DES SITES DE NUCLEATION DES DEFAUTS D'EMPILEMENT ET UNE DERIVE DE VF DANS DES DISPOSITIFS BIPOLAIRES |
| EP1516361 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE HAUTE PURETE, EN CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANTS, PRESENTANT UNE RESISTIVITE |
| EP1512181 |
EMETTEUR A L'ETAT SOLIDE AU PHOSPHORE SATURE |
| WO2005012603 |
CROISSANCE DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM TRES PURS DANS UN MILIEU RENFERMANT DE L'HYDROGENE |
| WO2005012601 |
REDUCTION DE LA TENEUR EN AZOTE DANS DES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM PAR CROISSANCE PAR SUBLIMATION DANS UN MILIEU RENFERMANT DE L'HYDROGENE |
| EP1493175 |
APPAREIL DE ROTATION PLANETAIRE A GAZ ET PROCEDES DE FORMATION DE COUCHES EN CARBURE DE SILICIUM |
| WO2004092457 |
CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANT OBTENU PAR DOPAGE PAR TRANSMUTATION NEUTRONIQUE |
| WO2004079904 |
DISPOSITIFS INTEGRES A ONDES ACOUSTIQUES A BASE DE NITRURE ET PROCEDES DE FABRICATION CORRESPONDANTS |
| EP1453925 |
COMPOSITIONS ADHESIVES METH(ACRYLIQUES) SOUPLES |
| EP1432844 |
APPAREIL POUR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR INVERSE |
| EP1386026 |
SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM A RESISTIVITE ELEVEE POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS A TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE |
| WO2004001836 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE HAUTE PURETE, EN CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANTS, PRESENTANT UNE RESISTIVITE |
| WO03107441 |
EMETTEUR A L'ETAT SOLIDE AU PHOSPHORE SATURE |
| WO03088325 |
APPAREIL DE ROTATION PLANETAIRE A GAZ ET PROCEDES DE FORMATION DE COUCHES EN CARBURE DE SILICIUM |
| WO03039195 |
APPAREILS DE CHAUFFAGE PAR INDUCTION ET PROCEDE DE CHAUFFAGE COMMANDE D'UN OBJET |
| WO02097173 |
CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANT SANS DOMINATION DE VANADIUM |
| WO02092886 |
SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM A RESISTIVITE ELEVEE POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS A TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE |
| EP1218572 |
PROCEDE ET APPAREIL DE TIRAGE DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM |
| EP1181401 |
CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANT SANS VANADIUM DOMINANT |
| EP1139325 |
Affichage avec matrice de DEL avec des couleurs différentes et des tensions de régime différentes |
| EP1112593 |
STRUCTURES SEMI–CONDUCTRICES STRATIFIEES A DIELECTRIQUE SUR CARBURE DE SILICIUM |
| WO0127361 |
PROCEDE ET APPAREIL DE TIRAGE DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM |
| WO0071787 |
CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANT SANS VANADIUM DOMINANT |
| EP1042544 |
CROISSANCE DE COUCHES EPITAXIALES DE CARBURE DE SILICIUM TRES UNIFORMES |
| WO0022195 |
PRODUCTION EN VRAC DE MONOCRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM |
