| N° de brevet |
Brevet |
| EP1895577 |
COMPOSITION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR UN MATÉRIAU MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D' UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR EN L' UTILISANT |
| WO2008018994 |
DIÉLECTRIQUES DE GRILLE À BASE DE TITANATE DE BARYUM SUBSTITUÉ PAR LE ZIRCONIUM |
| WO2008019099 |
AJUSTAGE DE TEMPÉRATURE UNIQUE À DEUX MODES |
| EP1887617 |
Procédé de dépôt sur des substrats mixtes à l'aide de trisilane |
| EP1883114 |
Dispositif semi–conducteur à hétérojonction et son procédé de fabrication |
| EP1883116 |
Dispositif semi–conducteur à tension de claquage élevée et son procédé de fabrication |
| FR2902928 |
PROCEDE DE CONTROLE D'UN COURANT DE SORTIE DELIVRE PAR UN TRANSISTOR ET CIRCUIT INTEGRE CORRESPONDANT |
| WO2007139142 |
PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA, PROCÉDÉ POUR FORMER UN FILM DE NITRURE DE SILICIUM, PROCÉDÉ POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE DÉPÔT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR À PLASMA |
| EP1863096 |
Dispositif semi–conducteur et sa méthode de fabrication |
| FR2901263 |
DISPOSITIF SENSIBLE A UN MOUVEMENT COMPORTANT AU MOINS UN TRANSISTOR |
| EP1858085 |
Dispositif semi–conducteur |
| FR2901058 |
DISPOSITIF A FONCTION DISSYMETRIQUE ET PROCEDE DE REALISATION CORRESPONDANT. |
| EP1843470 |
Système d'alimentation, procédé et dispositif d'inhibition, et structure associée |
| FR2898729 |
DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR ET PROCEDE D'IMPLANTATION DE DOPANTS DANS UN CANAL |
| WO2007094244 |
DIELECTRIQUE en COUCHE ULTRAMINCE de taille nanomEtrique, procEDE de production de celui–ci et dispositif diElectrique EN COUCHE ultramince de taille nanomEtrique |
| EP1808900 |
Circuit de commande de moteur à phases multiples conprenant des transistors de puissance à effet de champ MOS et à tranchée, à accumulation, à blocage bidirectionnel |
| EP1805791 |
DISPOSITIF METAL–OXYDE–SEMICONDUCTEUR POURVU D'UN CORPS DE TITANATE DOPE |
| WO2007069438 |
PROCEDE DE DECARBONISATION DE FILM METALLIQUE, PROCEDE FILMOGENE ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| FR2894386 |
TRANSISTOR DE TYPE I–MOS COMPORTANT DEUX GRILLES INDEPENDANTES, ET PROCEDE D'UTILISATION D'UN TEL TRANSISTOR |
| FR2894069 |
FABRICATION DE TRANSISTORS MOS |
| EP1788383 |
CAPTEUR D"ADN |
| EP1785459 |
FILM SILICEUX COMPORTANT UN DECALAGE PLUS PETIT DE BANDE PLATE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI–CI |
| EP1772906 |
Transistor à effet de champ haute tension et méthode de fabrication d'un transistor à effet de champ haute tension |
| FR2891664 |
TRANSISTOR MOS VERTICAL ET PROCEDE DE FABRICATION |
| WO2007029754 |
SUBSTRAT DE PELLICULE D'ALUMINE ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION |
| FR2890239 |
COMPENSATION DES DERIVES ELECTRIQUES DE TRANSISTORS MOS |
| WO2007018235 |
PROCÉDÉS POUR FORMER UN FILM À BASE DE W, POUR FORMER UNE ÉLECTRODE DE GRILLE ET POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI–CONDUCTEURS |
| WO2006137497 |
COMPOSITION D'ATTAQUE CHIMIQUE POUR UN MATÉRIAU MÉTALLIQUE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR EN L'UTILISANT |
| FR2881575 |
TRANSISTOR MOS A GRILLE TOTALEMENT SILICIUREE |
| EP1673671 |
PROCEDE ET DISPOSITIF D'INHIBITION D'UN SYSTEME D'ALIMENTATION ET STRUCTURE ASSOCIEE |
| EP1666645 |
PRODUIT AU CARBURE DE SILICIUM, PROCEDE D'ELABORATION, ET PROCEDE DE NETTOYAGE DE CE PRODUIT. |
| EP1656721 |
CIRCUITS DE DECONNEXION ELECTRONIQUES INTEGRES, PROCEDES ET SYSTEMES ASSOCIES |
| EP1652218 |
SYSTEME ET PROCEDE DE PRODUCTION DE COMPOSITES NANOCABLES ET SUBSTRATS ELECTRONIQUES FABRIQUES A PARTIR DE CEUX–CI |
| WO2006043418 |
COMPOSE ALCOXYDE, MATERIAU DE FORMATION DE FILM MINCE ET PROCEDE DE FORMATION DE FILM MINCE |
| WO2006038201 |
DISPOSITIFS A SEMI–CONDUCTEUR DE PUISSANCE |
| WO2006028258 |
PUCE SANS FIL |
| EP1635394 |
AMPLIFICATEUR CC ET CIRCUIT INTEGRE A SEMI–CONDUCTEUR COMPRENANT CET AMPLIFICATEUR |
| EP1635392 |
CIRCUIT LIMITEUR ET CIRCUIT INTEGRE A SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1635454 |
AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT |
| EP1633001 |
CIRCUIT DE CONVERSION DE FREQUENCE DE RECEPTION A CONVERSION DIRECTE, CIRCUIT INTEGRE A SEMI–CONDUCTEURS ASSOCIE ET RECEPTEUR A CONVERSION DIRECTE |
| EP1610121 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL P ET CAPTEUR METTANT EN OEUVRE CELUI–CI |
| FR2871294 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN TRANSISTOR DMOS DE TAILLE REDUITE, ET TRANSISTOR DMOS EN RESULTANT |
| EP1593755 |
Appareillage et procédé de production de films |
| FR2869457 |
DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR DU TYPE A SEPARATION DIELECTRIQUE |
| WO2005098989 |
PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET COMPOSANTS ELECTRONIQUES OBTENUS PAR CE PROCEDE |
| FR2868201 |
PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS ELECTRONIQUES ET COMPOSANTS ELECTRONIQUES OBTENUS PAR CE PROCEDE |
| FR2868209 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL EN CARBONE DIAMANT |
| FR2868207 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A MATERIAUX DE SOURCE, DE DRAIN ET DE CANAL ADAPTES ET CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT UN TEL TRANSISTOR |
| WO2005088688 |
APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2005083795 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ D'OXYDATION PLASMA |
| EP1565936 |
NOUVEAU TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1552562 |
DISPOSITIFS A SEMI–CONDUCTEURS DE PUISSANCE |
| WO2005048296 |
ELEMENTS DE COMMUTATION A BASE DE NANOTUBES COMPRENANT DES COMMANDES MULTIPLES ET CIRCUITS PRODUITS A PARTIR DE CES ELEMENTS |
| EP1532678 |
STRUCTURES SEMI–CONDUCTRICES |
| WO2005040952 |
PROCEDE ET DISPOSITIF D'INHIBITION D'UN SYSTEME D'ALIMENTATION ET STRUCTURE ASSOCIEE |
| EP1518280 |
TRANSISTOR ET DETECTEURS FABRIQUES DANS DES MATERIAUX MOLECULAIRES A DIPOLES ELECTRIQUES |
| WO2005015636 |
DISPOSITIF A SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2005010244 |
PRODUIT AU CARBURE DE SILICIUM, PROCEDE D'ELABORATION, ET PROCEDE DE NETTOYAGE DE CE PRODUIT. |
| EP1495489 |
TECHNIQUES DE FORMATION CHIMIQUE DE COUCHES DE FILM MINCE A L'AIDE DE PROCESSUS THERMIQUES RAPIDES |
| WO2004112142 |
CIRCUIT LIMITEUR ET CIRCUIT INTEGRE A SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2004112144 |
AMPLIFICATEUR CC ET CIRCUIT INTEGRE A SEMI–CONDUCTEUR COMPRENANT CET AMPLIFICATEUR |
| WO2004112238 |
AMPLIFICATEUR A FAIBLE BRUIT |
| WO2004112141 |
CIRCUIT DE CONVERSION DE FREQUENCE DE RECEPTION A CONVERSION DIRECTE, CIRCUIT INTEGRE A SEMI–CONDUCTEURS ASSOCIE ET RECEPTEUR A CONVERSION DIRECTE |
| EP1486844 |
Dispositif de commande électronique comprenant un transistor muni d'une connexion supplémentaire |
| EP1485947 |
COMMUTATION A REFLECTIVITE INDUITE THERMIQUEMENT POUR UN TRAITEMENT THERMIQUE LASER |
| EP1482541 |
Procédé de fabrication photolithographique d'une grille de transistor à canal court. |
| WO2004086025 |
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL P ET CAPTEUR METTANT EN OEUVRE CELUI–CI |
| EP1460150 |
Méthode pour la fabrication d'un film fin de bismuth et dispositif utilisant ledit film |
| EP1456636 |
DETECTEUR FET A ELECTRODE DE COMMANDE SPECIALEMENT CONFIGUREE POUR LA DETECTION HAUTE SENSIBILITE D'ANALYTES |
| WO2004077446 |
DISPOSITIF DE STOCKAGE SEMI–CONDUCTEUR NON VOLATILE |
| EP1454879 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DE FABRICATION D'UNE PELLICULE D'OXYDE EN COUCHE MINCE |
| EP1444780 |
CIRCUIT A SEMI–CONDUCTEUR, EN PARTICULIER POUR DISPOSITIFS D'ALLUMAGE ET SON UTILISATION |
| EP1442476 |
FILM DIELECTRIQUE |
| EP1436846 |
CIRCUIT INTEGRE A STRUCTURE MOS PRESENTANT A ACTION DE TRANSISTOR BIPOLAIRE PARASITE REDUITE |
| EP1430536 |
TRANSISTOR VERTICAL A EFFET DE CHAMP A DOUBLE GRILLE |
| FR2848726 |
TRANSISTOR MIS A GRILLE AUTO–ALIGNEE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1421607 |
PROCEDE AMELIORE PERMETTANT DE DEPOSER DES FILMS SEMI–CONDUCTEURS |
| FR2846793 |
EQUIPEMENT A SEMI–CONDUCTEURS COMPRENANT DES CABLAGES DE COUCHE SUPERIEURE ET INFERIEURE |
| EP1415331 |
FORMATION DE COUCHES PLANES SOUMISES A DES CONTRAINTES |
| EP1411146 |
Méthode de formation d'un film de siliciure de cobalt et méthode de fabrication d'un dispositif semiconducteur comprenant un film de siliciure de cobalt |
