N° de brevet
Brevet
EP1888822
MELANGE DE DOPAGE POUR LE DOPAGE DE SEMI–CONDUCTEURS
WO2006131251
MELANGE DE DOPAGE POUR LE DOPAGE DE SEMI–CONDUCTEURS
EP1713116
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DIAMANT SEMI–CONDUCTEUR DU TYPE N ET DIAMANT SEMI–CONDUCTEUR DU TYPE N
WO2005041279
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DIAMANT SEMI–CONDUCTEUR DU TYPE N ET DIAMANT SEMI–CONDUCTEUR DU TYPE N
EP1472741
TRANSISTOR BIPOLAIRE A HETEROJONCTION A LARGEUR DE BANDE INTERDITE COMPENSEE
WO0135466
DISPOSITIF POUR REDUIRE LA RESISTANCE DE DECLENCHEMENT DE TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP A CANAL P OU A CANAL N
EP0894766
Diamant isotope dopé au bore et procédé de sa fabrication
EP0857354
PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMICONDUCTEURS AVEC DES REGIONS DOPEES SUPERFICIELLEMENT A L'AIDE DE COMPOSES DOPANTS CONTENANT DES ELEMENTS TRES SOLUBLES
EP0807978
Méthode pour fabriquer une couche de forte conductivité de type P dans un composant semi–conducteur et composant semi–conducteur comprenant une telle couche
EP0646970
Dispositif à semi–conducteur ayant des niveaux d'impureté profonds pour opération à haute température.
EP0407011
Dispositif semi–conducteur à grille isolée.
FR2638892
PROCEDE DE MODULATION DE LA QUANTITE D'OR DIFFUSEE DANS UN SUBSTRAT DE SILICIUM ET DIODE RAPIDE OBTENUE PAR CE PROCEDE
FR2635413
PROCEDE DE FABRICATION POUR UN DISPOSITIF METAL–OXYDE–SEMICONDUCTEUR
EP0350816
Diode de puissance rapide et procédé pour sa fabrication.
EP0277336
Procédé de fabrication d'un dispositif semi–conducteur rapide.
EP0265988
Couches épitaxiales avec quantités contrôlées d'azote, obtenues sur des substrats en silicium, et leur méthode de production.
FR2592226
DIODE SCHOTTKY INTEGREE
EP0172176
CIRCUIT INTEGRE COMPORTANT UN SUBSTRAT EXEMPT DE DISLOCATION.
EP0155576
Dispositif semiconducteur résistant aux rayonnements
EP0135733
Diode épitaxiale pour haute tension de blocage
FR2550662
DISPOSITIF A EFFET DE CHAMP UTILISANT UNE CONDITION DE FIGEAGE DES PORTEURS MAJORITAIRES
FR2528233
STRUCTURE DE DOIGT D'EMETTEUR DANS UN TRANSISTOR DE COMMUTATION
FR2526587
DISPOSITIF A TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A METAL OXYDE–SILICIUM DE PUISSANCE, BIDIRECTIONNEL
FR2526223
ALLIAGES PERFECTIONNES DE SILICIUM AMORPHE CONTENANT DE L'OXYGENE A LARGE INTERVALLE DE BANDE ET DE TYPE P, ET DISPOSITIFS POUR LES UTILISER
WO8301151
MATERIAU SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
FR2508703
DIODE ZENER COMPENSEE EN TEMPERATURE ET STABLE SOUS IRRADIATION ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TELLE DIODE
EP0062079
FILM MINCE DE SILICIUM ET PROCEDE DE PREPARATION
EP0058337
Procédé pour la prédiction de la précipitation de l'oxygène dans des substrats semiconducteurs
FR2491679
METHODE D'ISOLATION D'UN DISPOSITIF A SEMI–CONDUCTEURS ET DISPOSITIF OU CIRCUIT INTEGRE OBTENU
FR2487575
PROCEDE POUR FABRIQUER DES TRANSISTORS DE PUISSANCE A PARAMETRES MODIFIES PAR IRRADIATION D'ELECTRONS
FR2475295
DIODE ET DISPOSITIF ROM OU EEPROM UTILISANT CETTE DIODE
FR2457914
PROCEDE POUR LA FABRICATION DU SILICIUM POSSEDANT DES PROPRIETES SEMICONDUCTRICES
FR2451106
DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR DE COMMUTATION A FREQUENCE ELEVEE
FR2387081
PROCEDE DE DOPAGE DE SILICIUM DE HAUTE PURETE DANS UN ELEMENT DE CHAUFFAGE A ARC
FR2373162
DISPOSITIF A SEMI–CONDUCTEURS
FR2371062
Titre non disponible
FR2366701
DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR, NOTAMMENT POUR LA REALISATION DE DISPOSITIFS PHOTOVOLTAIQUES ET REDRESSEURS
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