| N° de brevet |
Brevet |
| EP1900801 |
Agent d'élimination d'eau d'un substrat et procédé d'élimination d'eau et procédé de séchage l'utilisant |
| EP1897978 |
Procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, dispositif à nitrures du groupe III, procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, et procédé de fabrication de dispositif à nitrures du groupe III |
| EP1898454 |
Solution de décapage alcalin pour tranche semi–conductrice et procédé de décapage alcalin |
| EP1894900 |
Procédé et appareil de traitement chimique à l'aide d'un catalyseur |
| EP1884280 |
Procédé et appareil de mélange de liquides chimiques pour le nettoyage de substrats comme des plaquettes semi–conductrices |
| EP1872388 |
PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUETTES CONSTITUEES DE MATERIAUX SELECTIONNES PARMI DES MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS |
| WO2007148470 |
APPAREIL DE TRAITEMENT, PROCÉDÉ DE TRAITEMENT ET SOURCE DE PLASMA |
| EP1869697 |
PROCEDE D'ELIMINATION DE PARTICULES D'UNE SURFACE SEMI–CONDUCTRICE |
| WO2007143072 |
Gravure humide appropriÉe pour crÉer des coupes carrÉes dans du silicium, et structures rÉsultantes |
| EP1855794 |
CHAMBRE DE GRAVURE COMPORTANT UNE CHAMBRE SECONDAIRE |
| EP1853676 |
PROCEDE DE COLLAGE DE SUBSTRATS |
| WO2007125675 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MICROPHONE |
| WO2007125914 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM ET GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| EP1852905 |
PROCEDE D 'ATTAQUE CHIMIQUE SELECTIVE ET SUBSTRAT MONOCRISTALLIN EN SILICIUM |
| FR2900277 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE PORTION MONOCRISTALLINE A BASE DE SILICIUM |
| EP1840948 |
AGENT DE TRAITEMENT FIN ET PROCEDE DE TRAITEMENT FIN L'UTILISANT |
| EP1836725 |
PROCÉDÉ DE GRAVURE SÉLECTIVE |
| WO2007102604 |
APPAREIL DE TRAITEMENT PAR UN LIQUIDE ET MÉTHODE DE DÉMOUSSAGE DU LIQUIDE DE TRAITEMENT |
| EP1828333 |
COMPOSITION ET PROCEDE DE POLISSAGE |
| EP1830397 |
Procédé de traitement de surface de substrat semi–conducteur composé, procédé de fabrication du semi–conducteur composé, substrat semi–conducteur composé et tranche semi–conductrice |
| FR2896804 |
COMPOSITIONS ET PROCEDES POUR LE POLISSAGE MECANO–CHIMIQUE DE COUCHES DIELECTRIQUES INTER–NIVEAUX |
| WO2007087196 |
CORPS DE CHAUFFE EN CERAMIQUE AMELIORE POUR LE TRAITEMENT DE SUBSTRATS |
| WO2007083653 |
APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA |
| FR2896339 |
PROCEDE DE RETRAIT SELECTIF D'UN METAL NON–SILICIURE |
| EP1808412 |
PROCEDE DE PURIFICATION D UNE SOLUTION CALINE AQUEUSE |
| EP1807866 |
GESTION DES DEBRIS AU NIVEAU D'UN COLLECTEUR EUV |
| FR2895391 |
PROCEDE D'ELABORATION DE NANOSTRUCTURES ORDONNEES |
| WO2007070353 |
PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT |
| WO2007063987 |
PROCEDE DE TRAITEMENT/LAVAGE AVEC DES MOUSSES DE PLASMA DANS DE L'EAU ULTRA–PURE ET APPAREIL CORRESPONDANT |
| FR2893446 |
TRAITEMENT DE COUCHE DE SiGe POUR GRAVURE SELECTIVE |
| FR2892714 |
PROCEDE DE GRAVURE D'UNE COUCHE SACRIFICIELLE POUR UNE STRUCTURE MICRO–USINEE |
| WO2007049750 |
SOLUTION DE DECAPAGE SELECTIF DE PALLADIUM ET PROCEDE DE CONTROLE DE LA SELECTIVITE DE DECAPAGE |
| EP1780748 |
Couches à nitrure de groupe III avec des surfaces structurés |
| EP1779163 |
PROCEDE POUR EBARBER ET LISSER DES STRUCTURES DE GUIDES D'ONDE A CONTRASTE D'INDICE ELEVE |
| WO2007047095 |
SYSTEME INTEGRE DE NETTOYAGE D'UNE CHAMBRE |
| EP1777736 |
Dispositif de traitement électrolytique et appareil de traitement de substrat |
| WO2007040752 |
PROCEDE ET SYSTEME DE GRAVURE D'UN SILICIUM DOPE AVEC UNE SUBSTANCE CHIMIQUE A BASE DE SF6– |
| WO2007040717 |
PROCEDE ET SYSTEME DE GRAVURE DE SILICIUM DOPE |
| EP1772495 |
Décapant |
| WO2007034304 |
SYSTEMES MELANGEURS DE COMMANDE DE PROCESSUS AU POINT D'UTILISATION ET PROCEDES CORRESPONDANTS |
| WO2007025675 |
SOLUTION AQUEUSE ET PROCÉDÉ POUR ÉLIMINER DES CONTAMINANTS IONIQUES DE LA SURFACE D'UNE PIÈCE DE FABRICATION |
| WO2007021414 |
PATIN DE POLISSAGE MODIFIÉ CHIMIQUEMENT POUR POLISSAGE MÉCANO–CHIMIQUE |
| EP1748867 |
DISPOSITIF ET PROCEDE DE MESURE DE PARTIE PERIPHERIQUE DE SUBSTRAT, APPAREIL ET PROCEDE DE POLISSAGE DE PARTIE PERIPHERIQUE DE SUBSTRAT, ET APPAREIL ET PROCEDE DE RINÇAGE DE SUBSTRAT |
| WO2007008677 |
MODULE DE PORT DE CHARGEMENT |
| EP1741321 |
FAISCEAU D'ATOMES PROTEGEANT UN RETICULE |
| EP1741128 |
SYSTEME DE DISTRIBUTION DE GAZ A CAPACITES DE TRANSFERT RAPIDE DE GAZ |
| EP1742256 |
RÉACTIF D'ATTAQUE ALCALIN POUR CONTRÔLER LA RUGOSITÉ DE SURFACE D"UNE PLAQUETTE SEMI–CONDUCTRICE |
| EP1738871 |
Dispositif de polissage |
| WO2006135688 |
PREPARATION D'UNE SURFACE POLAIRE SUR DES SUBSTRATS A BASE DE NITRURES |
| EP1729978 |
PROCEDE DE GRAVURE AU PLASMA POUR MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1718420 |
APPAREIL ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT |
| WO2006116511 |
ROBINET D'ETRANGLEMENT TANDEM SANS JOINT TORIQUE POUR CHAMBRE DE REACTION AU PLASMA |
| EP1717286 |
Procédé de traitement de surface d'un film cristallin de nitrure–groupe III, substrat cristallin de nitrure–groupe III avec une couche épitaxiale, et dispositif semiconducteur |
| WO2006111533 |
PROCEDE D'ASSEMBLAGE DE DEUX PLAQUETTES CONSTITUEES DE MATERIAUX SELECTIONNES PARMI DES MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS |
| WO2006107573 |
CHAMBRE AVAL A VITESSE DE GRAVURE ELEVEE |
| WO2006106045 |
PROCEDE D'ELIMINATION DE PARTICULES D'UNE SURFACE SEMI–CONDUCTRICE |
| EP1706898 |
ENSEMBLE D'ANNEAUX DE BORDURE A CHAUD A TEMPERATURE REGULEE PERMETTANT DE REDUIRE LA DERIVE DE LA VITESSE DE GRAVURE D'UN REACTEUR A PLASMA |
| EP1703551 |
Procédé et appareil pour le traitement d'objets, en particulier pour le nettoyage d'éléments semiconducteurs |
| FR2882952 |
TAMPON DE POLISSAGE A BASE D'EAU ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1699571 |
NETTOYAGE A BASE D'EAU |
| EP1699596 |
PROCEDE DE POLISSAGE MECANICO–CHIMIQUE POUR LIMITER LE REFLUX DE SUSPENSION |
| EP1689825 |
ENLEVEMENT DE COUCHES SACRIFICIELLES SUR LES SYSTEMES MICRO–ELECTROMECANIQUES AU MOYEN D'UN FLUIDE SUPERCRITIQUE OU DE FORMULATIONS CHIMIQUES |
| WO2006080264 |
PROCEDE D'ATTAQUE CHIMIQUE SELECTIVE ET SUBSTRAT MONOCRISTALLIN EN SILICIUM |
| WO2006078408 |
PROCEDE ET SYSTEME DE COMMANDE DANS LE TRAITEMENT D'UN APPAREIL DIELECTRIQUE A BASE D'HAFNIUM |
| EP1684335 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE EPITAXIALE DE SILICIUM |
| EP1680810 |
PROCEDES ET APPAREIL D'OPTIMISATION D'UN SUBSTRAT DANS UN SYSTEME DE TRAITEMENT AU PLASMA |
| EP1679361 |
AGENT NETTOYANT POUR SUBSTRAT ET PROCEDE DE NETTOYAGE ASSOCIE |
| FR2880471 |
PROCEDE DE NETTOYAGE D'UN SEMICONDUCTEUR |
| WO2006068283 |
PROCEDE ET APPAREIL D'APLATISSEMENT |
| WO2006068091 |
AGENT DE TRAITEMENT FIN ET PROCEDE DE TRAITEMENT FIN L'UTILISANT |
| WO2006068958 |
PROCEDE, APPAREIL ET SYSTEME D'ENLEVEMENT DISCRET SANS CONTACT DE CONTAMINANTS OU DE COUCHES SUR LA SURFACE DE SUBSTRATS |
| FR2879618 |
SOLUTION SELECTIVE POUR LE POLISSAGE MECANO–CHIMIQUE ET PROCEDE L'UTILISANT |
| EP1666645 |
PRODUIT AU CARBURE DE SILICIUM, PROCEDE D'ELABORATION, ET PROCEDE DE NETTOYAGE DE CE PRODUIT. |
| EP1661731 |
Procédé permettant d'éliminer des résidus d'un substrat de semi–conducteur |
| WO2006055937 |
SYSTEMES ET PROCEDES POUR EFFECTUER UN TRAITEMENT DISCONTINU ISOTHERME SUR DES SUBSTRATS UTILISES POUR PRODUIRE DES SYSTEMES MICRO–ELECTROMECANIQUES |
| WO2006052434 |
COMPOSITION CMP CONTENANT DES PARTICULES ABRASIVES A SURFACE MODIFIEE |
| WO2006049886 |
GESTION DES DEBRIS AU NIVEAU D'UN COLLECTEUR EUV |
| EP1655768 |
PROCEDE DE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT, ET APPAREIL CORRESPONDANT |
| EP1652222 |
DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, ET DISPOSITIF DE MAINTIEN DE SUBSTRAT |
| EP1649503 |
SEQUENCE DE PROCESSUS DE DECAPAGE DE PHOTORESINE ET/OU DE NETTOYAGE DE PHOTOMASQUES DANS LA FABRICATION DE CIRCUITS INTEGRES |
