| N° de brevet |
Brevet |
| EP1887617 |
Procédé de dépôt sur des substrats mixtes à l'aide de trisilane |
| WO2008015914 |
PROCÉDÉ ET DISPOSITIF DE FORMAGE DE FILM CVD |
| WO2008010489 |
PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM |
| WO2007142329 |
APPAREIL ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM, PROGRAMME INFORMATIQUE ET SUPPORT DE STOCKAGE |
| WO2007119866 |
APPAREIL ET PROCEDE DESTINES A LA FORMATION DE FILMS |
| FR2899366 |
PROCEDE POUR FIXER SUR UN PRODUIT UN CIRCUIT PERMETTANT L'AUTHENTIFICATION DE CE PRODUIT ET PRODUIT OBTENU PAR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE |
| WO2007111097 |
appareil de support de substrat |
| WO2007102333 |
PROCEDE DE DEPOT D'UN FILM DE RUTHENIUM ET SUPPORT DE MEMOIRE POUVANT ETRE LU PAR UN ORDINATEUR |
| WO2007100125 |
DISPOSITIF SEMICONDUCTEUR, SON PROCEDE DE FABRICATION ET MATERIAU CIBLE DE PULVERISATION A UTILISER DANS LEDIT PROCEDE |
| WO2007091555 |
appareil de commande d'un appareil de traitement de substrat et programme de commande d'un appareil de traitement de substrat |
| WO2007091339 |
PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM METALLIQUE |
| EP1811059 |
PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM CONTENANT DU CUIVRE |
| EP1808509 |
ÉQUIPEMENT DE PULVÉRISATION CATHODIQUE À FAISCEAU IONIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MULTICOUCHE POUR ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE EUV |
| WO2007069438 |
PROCEDE DE DECARBONISATION DE FILM METALLIQUE, PROCEDE FILMOGENE ET PROCEDE DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2007066574 |
APPAREIL DE FORMATION DE FILM DE PLASMA DE FEUILLET |
| WO2007066548 |
APPAREIL DE FORMATION DE FILM DE PLASMA DE FEUILLET |
| WO2007063841 |
PROCEDE ET APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE |
| WO2007058120 |
PROCESSUS DE FABRICATION DE DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR ET APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT |
| WO2007020874 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PELLICULE MINCE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2007018235 |
PROCÉDÉS POUR FORMER UN FILM À BASE DE W, POUR FORMER UNE ÉLECTRODE DE GRILLE ET POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF À SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1745503 |
MÉTHODE DE FABRICATION D"APPAREILS MOSFET (transistor à effet de champ métal–oxyde) UTILISANT UN PROCESSUS DE DÉPOSITION SÉLÉCTIF. |
| EP1743953 |
PROCEDE DE FORMATION D'UN FILM DE CUIVRE |
| EP1735824 |
ADHESION D'UNE COUCHE METALLIQUE A UN SUBSTRAT, ET STRUCTURES RESULTANTES |
| WO2006134930 |
PROCÉDÉ POUR LA FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR ET APPAREIL POUR LE TRAITEMENT D'UN SUBSTRAT |
| EP1731629 |
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D"OXYDE D"INDIUM/D"OXYDE DE CERIUM, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT |
| WO2006126440 |
PROCEDE DE FORMATION DE FILM ET SUPPORT DE STOCKAGE INFORMATIQUE |
| EP1721997 |
ALLIAGE Ni–Pt ET CIBLE COMPRENANT CET ALLIAGE |
| EP1719157 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COMPOSANT, ET SUBSTRAT |
| EP1714310 |
PROCEDE SERVANT A DEPOSER UN MATERIAU DE CARBONE CONDUCTEUR SUR UN SEMI–CONDUCTEUR POUR CREER UN CONTACT SCHOTTKY ET DISPOSITIF DE CONTACT DE SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2006101130 |
APPAREIL FILMOGENE ET METHODE DE FORMATION DE FILMS |
| WO2006087873 |
FILM ISOLANT POUR SUBSTRAT DE CUIVRE FLEXIBLE ET CIBLE DE PULVERISATION POUR FORMATION DE FILM ISOLANT |
| WO2006059602 |
PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION DE FILM ET SUPPORT DE STOCKAGE |
| EP1656467 |
CIBLES PVD COMPRENANT DU CUIVRE DANS DES MELANGES TERNAIRES, ET PROCEDES POUR FORMER DES CIBLES PVD CONTENANT DU CUIVRE |
| WO2006049022 |
ÉQUIPEMENT DE PULVÉRISATION CATHODIQUE À FAISCEAU IONIQUE ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM MULTICOUCHE POUR ÉBAUCHE DE MASQUE RÉFLÉCHISSANT POUR LITHOGRAPHIE EUV |
| WO2006043554 |
PROCÉDÉ ET ÉQUIPEMENT DE DÉPOSITION DE FILM PAR PULVÉRISATION DE PLASMA |
| WO2006035784 |
PROCÉDÉ DE FORMATION DE FILM CONTENANT DU CUIVRE |
| WO2006036865 |
DEPOT DE COUCHES METALLIQUES DE RUTHENIUM DANS UN PROCEDE DE DEPOTS CHIMIQUE ET THERMIQUE EN PHASE VAPEUR |
| EP1636400 |
PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE GENERER UN PRECURSEUR POUR UN SYSTEME DE TRAITEMENT DE SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1633902 |
FILMS ET DISPOSITIFS DE STOCKAGE ET DE CONVERSION D'ENERGIE FORMES PAR METALLISATION SOUS VIDE PHYSIQUE DE TITANE ET D'OXYDES DE TITANE ET DE SOUS–OXYDES |
| EP1627423 |
DISPOSITIF CHIRURGICAL DE MAINTIEN POUR VAISSEAU SANGUIN |
| FR2871936 |
PROCEDE DE METALLISATION DE LA SURFACE PREALABLEMENT PASSIVEE D'UN MATERIAU SEMI CONDUCTEUR ET MATERIAU OBTENU PAR CE PROCEDE |
| WO2005118911 |
ÉQUIPEMENT PLASMA CVD |
| EP1597194 |
FILS ASSEMBLES EN FAISCEAUX CALIBRES |
| WO2005103320 |
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE OXYDE D'INDIUM/OXYDE DE ZINC/OXYDE DE MAGNESIUM ET FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT |
| EP1592052 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN AFFICHAGE |
| EP1592053 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN CABLAGE |
| WO2005098938 |
FORMATION D'UNE COUCHE DE RUTHENIUM POUR DEPOT D'UN FILM DE CUIVRE |
| WO2005098080 |
CIBLE DE PULVÉRISATION CATHODIQUE D'OXYDE D'INDIUM/D'OXYDE DE CERIUM, FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM CONDUCTEUR TRANSPARENT |
| EP1587139 |
Procédé de fabrication d'une couche de tantale et dispositif comprenant une couche de tantale |
| EP1584706 |
CIBLE DE PULVERISATION D'ALLIAGE DE CUIVRE ET CABLAGE POUR ELEMENT SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2005088688 |
APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2005083152 |
PROCÉDÉ DE FORMATION D'UN FILM DE CUIVRE |
| WO2005083138 |
ALLIAGE Ni–Pt ET CIBLE COMPRENANT CET ALLIAGE |
| WO2005081299 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COMPOSANT, ET SUBSTRAT |
| EP1561239 |
PROCEDES DE DEPOT DE COUCHE ATOMIQUE |
| EP1559801 |
MATERIAU METALLIQUE POUR PIECE ELECTRONIQUE, PIECE ELECTRONIQUE, EQUIPEMENT ELECTRONIQUE, PROCEDE DE FACONNAGE D'UN MATERIAU METALLIQUE, PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PIECE ELECTRONIQUE ET D'UNE PIECE OPTOELECTRONIQUE |
| EP1558783 |
DEPOT DE COUCHES ATOMIQUES DE CUIVRE EN DEUX OPERATIONS |
| WO2005069358 |
PROCEDE DE FORMATIONS D'UN FILM |
| EP1552032 |
CIBLES DE PULVERISATION A BASE DE CUIVRE ET PROCEDES DE FORMATION DE CIBLES DE PULVERISATION |
| EP1553205 |
Cible de pulvérisation par bombardement ionique destinée à la formation d'interconnexion à couches minces et interconnexion à couches minces |
| EP1543177 |
DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE DE NITRURE DE TUNGSTENE |
| FR2860920 |
PROCEDE DE REALISATION DE CONNEXIONS CONDUCTRICES DE CIRCUITS INTEGRES, ET CIRCUIT INTEGRE METTANT EN OEUVRE DES TELLES CONNEXIONS |
| WO2005034222 |
PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES METALLIQUES PAR DEPOT EN FLUX SEQUENTIEL |
| WO2005034223 |
PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES METALLIQUES A PARTIR DE PRECURSEURS DE METAL–CARBONYLE |
| WO2005034224 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE METALLIQUE AU MOYEN D'UN PROCESSUS D'ECOULEMENT INTERMITTENT DE GAZ PRECURSEUR |
| WO2005033357 |
DEPOT BASSE PRESSION DE COUCHES METALLIQUES A PARTIR DE PRECURSEURS METAL–CARBONYLE |
| EP1521293 |
Appareil pour le dépôt du métal submicronique |
| WO2005020317 |
FORMATION DE COUCHE DE RUTHENIUM POUR DEPOT DE FILM DE CUIVRE |
| EP1506206 |
PROCEDE POUR LE DEPOT DE CUIVRE SUR UN SUPPORT. |
| EP1507267 |
MATERIAU DE CABLAGE ET TABLEAU DE CONNEXIONS METTANT EN OEUVRE CE MATERIAU |
| EP1502295 |
PROCEDE DE FABRICATION DE TRANSISTORS |
| WO2005003403 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE FILM AU MOYEN D'UN PROCEDE CVD AU PLASMA |
| EP1488448 |
ASSEMBLAGE PAR FUSION ASSISTEE PAR CHAMP |
| EP1485516 |
PROCEDE DE FORMATION DE FILMS DE NITRURE DE TITANE |
| WO2004106584 |
PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE GENERER UN PRECURSEUR POUR UN SYSTEME DE TRAITEMENT DE SEMI–CONDUCTEURS |
| WO2004102649 |
PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION DE COUCHES |
| WO2004100231 |
GRAVURE IONIQUE OBLIQUE POUR METALLISATION DE TROUS |
| WO2004099461 |
PROCEDE DE FORMATION D'ALPHA–TANTALE COMPRESSIF SUR DES SUBSTRATS ET DISPOSITIFS LE COMPRENANT |
| EP1475825 |
DISPOSITIF DE TRAITEMENT ET PROCEDE DE TRAITEMENT |
| EP1474543 |
PROCEDES DE DEPOT EN LIGNE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CIRCUITS |
