| N° de brevet |
Brevet |
| WO2008026491 |
APPAREIL DE FABRICATION DE FILM MINCE UTILISANT UNE ÉLECTRODE ÉMISSIVE ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLULE SOLAIRE |
| WO2008023774 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF À SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE |
| WO2008018302 |
CORPS FRITTÉ EN NITRURE D'ALUMINIUM ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION |
| WO2008017320 |
PROCÉDÉS DE FABRICATION D'UN CRISTAL MASSIF DOPÉ AU III–N ET D'UN SUBSTRAT LIBRE DOPÉ AU III–N ET CRISTAL MASSIF DOPÉ AU III–N ET SUBSTRAT LIBRE DOPÉ AU III–N |
| WO2008018613 |
APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI–CONDUCTEURS |
| EP1887617 |
Procédé de dépôt sur des substrats mixtes à l'aide de trisilane |
| WO2008013108 |
processus de fabrication de substrat monocristallin avec angle de déport |
| WO2008013112 |
SOURCE DE PLASMA À MICRO–ONDES ET APPAREIL DE TRAITEMENT PLASMA |
| WO2008013087 |
UNITÉ DE MESURE D'ONDES STATIONNAIRES DANS UN GUIDE D'ONDES, PROCÉDÉ DE MESURE D'ONDES STATIONNAIRES, DISPOSITIF UTILISANT DES ONDES ÉLECTROMAGNÉTIQUES, ET DISPOSITIF ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT AU PLASMA |
| EP1881087 |
APPAREIL CVD PLASMA À ENROULEMENT |
| EP1881537 |
ELEMENT SEMI–CONDUCTEUR A NITRURE ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| EP1876639 |
PLATEAU PULVERISATEUR ET METHODE DE FABRICATION DE CELLE–CI |
| WO2008001809 |
dispositif de traitement de plasma par micro–ondes |
| WO2008001844 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'HEXAFLUOROPROPYLÈNE À HAUT DEGRÉ DE PURETÉ ET GAZ NETTOYANT |
| EP1873280 |
Substrat de monocristal de nitrure de galium de type N dopé à l'oxygène et procédé pour sa production |
| EP1871928 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| FR2902234 |
PROCEDE DE REALISATION DE ZONES A BASE DE Si1–yGey DE DIFFERENTES TENEURS EN Ge SUR UN MEME SUBSTRAT PAR CONDENSATION DE GERMANIUM |
| WO2007139159 |
dispositif D'ALIMENTATION EN composÉ organomÉtallique |
| WO2007132644 |
PROCÉDÉ PERMETTANT DE FORMER SÉLECTIVEMENT UN PLAN PLAT DU POINT DE VUE ATOMIQUE SUR UNE SURFACE EN DIAMANT, SUBSTRAT DIAMANT OBTENU À LA SUITE DE CE PROCÉDÉ ET ÉLÉMENT SEMI–CONDUCTEUR L'EMPLOYANT |
| WO2007129520 |
PROCÉDÉ ET APPAREIL DE GÉNÉRATION D'UN PLASMA À LA PRESSION ATMOSPHÉRIQUE |
| WO2007125914 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM ET GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| WO2007123093 |
SUBSTRAT DE SAPHIR MONOCRISTALLIN |
| FR2900276 |
DEPOT PEALD D'UN MATERIAU A BASE DE SILICIUM |
| WO2007120552 |
SURVEILLANCE DE LA PRODUCTION D'UN CAPTEUR D'ANALYSE PAR SPECTROMÉTRIE XRF |
| WO2007119433 |
COUCHE DE NITRURE DE GROUPE III–V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION |
| EP1846596 |
PROCEDES DE PREPARATION DE MATERIAUX CONTENANT DU SI CRISTALLIN SUBSTITUTIONNELLEMENT DOPE AU CARBONE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR |
| EP1846595 |
DEPOT SELECTIF DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM |
| WO2007116600 |
SUBSTRAT DE BASE POUR UNE PELLICULE DE DIAMANT ÉPITAXIQUE, PROCÉDÉ DE FABRICATION DU SUBSTRAT DE BASE POUR PELLICULE DE DIAMANT ÉPITAXIQUE, PELLICULE DE DIAMANT ÉPITAXIQUE FABRIQUÉE PAR LE SUBSTRAT DE BASE POUR PELLICULE DE DIAMANT ÉPITAXIQUE ET PROC |
| EP1840979 |
Couche semi–conductrice, procédé de formation correspondant et dispositif semi–conducteur électroluminescent |
| EP1837904 |
Procédé pour la fabrication d'un substrat au carbure de silicium monocristallin de type couche isolante enterrée et dispositif de fabrication correspondant |
| WO2007105782 |
PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE DE GROUPE 3–5 |
| WO2007091555 |
appareil de commande d'un appareil de traitement de substrat et programme de commande d'un appareil de traitement de substrat |
| EP1818429 |
Substrat monocristallin de GaN |
| WO2007083653 |
APPAREIL DE TRAITEMENT AU PLASMA |
| WO2007072984 |
PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURE D'ELEMENT |
| WO2007072855 |
DISPOSITIF DE FABRICATION DE FILM MINCE A SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2007069523 |
PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE InGaN |
| EP1794786 |
CROISSANCE DE SIGE <110> PAR COMPRESSION ET STRUCTURE DE DISPOSITIF DE TRANSISTOR EFFET DE CHAMP A PORTE ISOLEE |
| WO2007063841 |
PROCEDE ET APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE |
| WO2007063708 |
DISPOSITIF DE TRAITEMENT A PLASMA |
| WO2007062056 |
NOUVEAUX HYDRURES DE SILICIUM–GERMANIUM ET LEURS MÉTHODES DE PRODUCTION ET D'UTILISATION |
| WO2007060806 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE ÉPITAXIALE ET PLAQUETTE ÉPITAXIALE |
| WO2007060876 |
DISPOSITIF DE TRAITEMENT PLASMA ET PROCÉDÉ DE TRAITEMENT PLASMA |
| WO2007062096 |
NOUVEAUX HYDRURES DE SILICIUM–GERMANIUM ET LEURS MÉTHODES DE PRODUCTION ET D'UTILISATION |
| EP1790757 |
COMPENSATEUR |
| WO2007058148 |
ELEMENT EN ALUMINIUM OU ELEMENT EN ALLIAGE D'ALUMINIUM AVEC UNE EXCELLENTE RESISTANCE A LA CORROSION |
| WO2007055138 |
APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT |
| WO2007055377 |
PROCEDE DE FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM CRISTALLIN PAR CARBONISATION DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT SI ET SUBSTRAT SIC CRISTALLIN |
| EP1782457 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN CRISTAL D'UN SEMICONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| EP1783813 |
Contrôle d'un processus à plasma à base de la fréquence des micro–ondes |
| EP1780748 |
Couches à nitrure de groupe III avec des surfaces structurés |
| EP1777325 |
Plaquette monocristalline de semiconducteur du type plan A–nitrure et munie d'un méplat d'orientation |
| EP1777756 |
Dispositif émetteur de lumière à semiconducteur, tranche pour un dispositif émetteur de lumière à semiconducteur et son procédé de fabrication |
| WO2007040183 |
CONVERTISSEUR PHOTOÉLECTRIQUE À FILM MINCE À BASE DE SILICIUM, PROCÉDÉ ET APPAREIL DE FABRICATION DE CELUI–CI |
| EP1766108 |
FORMATION DE NANOTRICHITES SUR UN SUBSTRAT FORME D'UN MATERIAU DIFFERENT |
| WO2007032180 |
PROCESSUS DE FABRICATION DE GALETTE ÉPITAXIALE ET GALETTE ÉPITAXIALE OBTENUE AINSI |
| EP1764829 |
Mandrin de plaquette semi–conductrice et appareil le contenant |
| EP1764822 |
Réacteur de dépôt chimique en phase vapeur active par plasma, à alimentation RF, et procédés d'exécution d'un tel dépôt |
| EP1761945 |
FABRICATION DE MATERIAUX CRISTALLINS SUR DES SUBSTRATS |
| WO2007023855 |
DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT, DISPOSITIF CHAUFFANT UTILISÉ POUR CELA ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI–CONDUCTEUR UTILISANT LES DISPOSITIFS |
| WO2007023911 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2007018121 |
PROCEDE DE FORMATION DE FILMS DE NITRURE DE GROUPE III TEL QU'UN NITRURE DE GALLIUM |
| WO2007015404 |
PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR PRODUIRE UN SEMI–CONDUCTEUR EN AlN |
| EP1749117 |
AMELIORATION DU RENDEMENT DANS LA CROISSANCE EPITAXIALE DE SILICIUM GERMANIUM |
| EP1745503 |
MÉTHODE DE FABRICATION D"APPAREILS MOSFET (transistor à effet de champ métal–oxyde) UTILISANT UN PROCESSUS DE DÉPOSITION SÉLÉCTIF. |
| WO2007007744 |
MÉCANISME D'ÉTAGEMENT DE SUBSTRAT ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT |
| EP1743961 |
SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR POUR COMPOS |
| WO2006135043 |
STRUCTURE DE FILM DE PROTECTION D'ÉLÉMENT MÉTALLIQUE, COMPOSANT MÉTALLIQUE EMPLOYANT UNE STRUCTURE DE FILM DE PROTECTION, ET ÉQUIPEMENT DE FABRICATION DE SEMI–CONDUCTEUR OU D'AFFICHAGE À ÉCRAN PLAT EMPLOYANT UNE STRUCTURE DE FILM DE PROTECTION |
| WO2006132318 |
ÉLÉMENT DE SOUPAPE, SOUPAPE, SOUPAPE SÉLECTRICE ET DISPOSITIF DE PIÉGEAGE |
| EP1729331 |
METHODE ET APPAREIL DE FORMATION DE POINTS EN SILICONE |
| EP1729551 |
MATÉRIEL DE PRODUCTION DE PLASMA |
| WO2006126330 |
PROCEDE DE TIRAGE D'UN MONOCRISTAL DE GAN, PROCEDE DE PREPARATION D'UN SUBSTRAT DE GAN, PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT A BASE DE GAN ET ELEMENT A BASE DE GAN |
| EP1727177 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D' UN ÉLÉMENT STRATIFIÉ ET ÉLÉMENT STRATIFIÉ |
| WO2006123526 |
APPAREIL DE TRAITEMENT PLASMA |
| WO2006123540 |
SUBSTRAT MULTICOUCHE SEMI–CONDUCTEUR CONTENANT 3 A 5 GROUPES NITRURE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AUTO–PORTEUR SEMI–CONDUCTEUR CONTENANT 3 A 5 GROUPES NITRURE, ET ELEMENT SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1724378 |
Substrat épitaxial, élément semiconducteur, procédé pour la fabrication d'un substrat épitaxial et procédé pour la distribution irrégulière des dislocations dans un cristal du type groupe III–nitrure |
| WO2006119927 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| WO2006121068 |
APPAREIL CVD PLASMA À ENROULEMENT |
| WO2006118161 |
APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET ELEMENT D'ELECTRODE |
| WO2006118042 |
GÉNÉRATEUR DE PLASMA D'EXCITATION D'ONDE SUPERFICIELLE ET SYSTÈME DE TRAITEMENT DE PLASMA D'EXCITATION D'ONDE SUPERFICIELLE |
