N° de brevet
Brevet
WO2007143072
Gravure humide appropriÉe pour crÉer des coupes carrÉes dans du silicium, et structures rÉsultantes
WO2007083155
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FIBRES COMPOSÉES DE SILICIUM OU D'UN MATÉRIAU À BASE DE SILICIUM ET UTILISATIONS DE CELLES–CI DANS DES ACCUMULATEURS AU LITHIUM RECHARGEABLES
EP1806775
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR POUR APPLICATION SOLAIRE ET SOLUTION D ATTAQUE CHIMIQUE
EP1783825
SIMPLE CRISTAL EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ D"ATTAQUE CHIMIQUE DUDIT CRISTAL
WO2006046601
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR POUR APPLICATION SOLAIRE ET SOLUTION D'ATTAQUE CHIMIQUE
EP1060509
TRANCHAGE DE FILMS MONOCRISTALLINS A PARTIR DE STRUCTURES CRISTALLINES A IONS IMPLANTES
WO9941779
TRANCHAGE DE FILMS MONOCRISTALLINS A PARTIR DE STRUCTURES CRISTALLINES A IONS IMPLANTES
EP0863231
Procédé de découpage de préforme d'un oxyde monocrystallin et un procédé de favriction des dispositifs fonctionnels
EP0745707
Procédé pour la croissance de grands monocristaux
EP0745704
Procédé pour la préparation d'une plaquette de semi–conducteur avec film épitaxial
EP0732739
Améliorations dans la fabrication de substrats de cristal
EP0589199
Gravure de CaF2.
EP0581438
Gravure d'un corps en diamant avec un métal fondu ou partiellement fondu.
EP0573943
Procédé de fabrication de cristaux unitaires grands.
EP0397522
Filtre pour produits chimiques corrosifs, l'assemblage et le système.
EP0364259
Procédé de structuration thermique de corps semi–conducteurs.
EP0254940
Procédé de traitement de particules de diamant.
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