| N° de brevet |
Brevet |
| EP1882057 |
STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI |
| WO2008010541 |
PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE DISLOCATION DANS UN CRISTAL DE NITRURE DE GROUPE III ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE |
| WO2008004657 |
FILM MINCE D'OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI–CI |
| WO2007123093 |
SUBSTRAT DE SAPHIR MONOCRISTALLIN |
| EP1828445 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM A DUREES DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES ACCRUES |
| EP1829992 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE RECUITE |
| EP1817445 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN SUBSTRAT DEMONTABLE |
| WO2007083477 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM |
| WO2007083476 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE TRANCHE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM |
| EP1806438 |
PROCÉDÉ DE RECONSTRUCTION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM |
| FR2895420 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE DEMONTABLE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, ET APPLICATION DE CE PROCEDE. |
| EP1791015 |
Méthode pour la fabrication d'un dispositif électro–optique stable par rapport à l'environnement |
| EP1780781 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D"UN DISQUE DE SILICIUM ET DISQUE DE SILICIUM PRODUIT PAR LE PROCÉDÉ |
| WO2007014032 |
SEPARATION D'UN DIAMANT CULTIVE D'UNE MOSAIQUE DE GERMES DE DIAMANT |
| WO2007013189 |
PLAQUE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CELLE–CI |
| EP1739213 |
Appareil et procédé de récuit des plaquettes III–V ainsi que des plaquettes monocristallines récuites du semiconducteur type III–V |
| WO2006137192 |
PROCÉDÉ DE RECONSTRUCTION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM |
| WO2006125069 |
STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI |
| EP1715086 |
Méthode por réduire des défaults à l'intérieur de cristaux |
| EP1700936 |
Procédé de croissance de monocristaux homogènes et faiblement contraints |
| WO2006090034 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN SUBSTRAT DEMONTABLE |
| WO2006082469 |
PROCEDE POUR APPLIQUER UN TRAITEMENT A HAUTE TEMPERATURE SUR UNE PLAQUETTE DE SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2006071326 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM A DUREES DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES ACCRUES |
| EP1677344 |
PROCEDE SERVANT A FABRIQUER UNE TRANCHE DE SILICIUM EXTREMEMENT RESISTANTE, PROCEDE SERVANT A FABRIQUER UNE TRANCHE EPITAXIALE ET TRANCHE SOI |
| WO2006064610 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE RECUITE |
| EP1671361 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, APPLICATION DE PROCEDE, ET STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM |
| EP1664373 |
RECUIT DE DIAMANTS PRODUIT PAR CVD A CRISTAL SIMPLE |
| EP1663866 |
DIAMANTS RESISTANTS ET PROCEDE DE FABRICATION ASSOCIE |
| EP1614775 |
Procédé d'améliorer la planétié d'une surface d'un cristal de nitrure de groupe III, substrat pour la croissance épitaxiale et dispositif semi–conducteur |
| FR2870261 |
UTILISATION DE L'ENERGIE SOLAIRE POUR OBTENIR DES MAGMAS UTILISABLES APRES REFROIDISSEMENT, EN BIJOUTERIE FANTAISIE ET EN TAILLERIES D'OBJETS DIVERS |
| EP1571242 |
Fabrication des plaquettes–substrats pour des éléments de semiconducteur à défaut réduit, leurs applications et éléments ainsi obtenus |
| EP1566471 |
Fabrication des cristaux volumineux présentant peu de compression, une faible biréringence par compression et un indice de réfraction homogène ainsi que l'application de ces cristaux |
| EP1566472 |
Production des monocristaux volumineux pas orientés selon l'axe (111) présentant peu de compression, une faible biréfringence par compression et un indice de réfraction homogène ainsi que leur application |
| EP1566470 |
Production d'un monocristal volumineux de CaF2 pour utilisation dans un élément optique avec un axe optique parallèle aux axes cristallins (100) ou (110) |
| WO2005071144 |
PROCEDE POUR PREVOIR UN COMPORTEMENT DE PRECIPITATION D'OXYGENE DANS UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM, PROCEDE POUR DETERMINER UN PARAMETRE DE PRODUCTION D'UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PROGRAMME D'ENREGISTREMENT POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT POUR PREVOIR UN COMPORTEMENT DE PRECIPITATION D'OXYGENE DANS UN CRISTAL UNIQUE DE |
| EP1551058 |
TRANCHE RECUITE ET PROCEDE DE FABRICATION DE TRANCHE RECUITE |
| WO2005053010 |
PLAQUETTE RECUITE ET METHODE DE FABRICATION DE CETTE PLAQUETTE RECUITE |
| WO2005038899 |
PROCEDE SERVANT A FABRIQUER UNE TRANCHE DE SILICIUM EXTREMEMENT RESISTANTE, PROCEDE SERVANT A FABRIQUER UNE TRANCHE EPITAXIALE ET TRANCHE SOI |
| FR2860249 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, APPLICATION DE PROCEDE, ET STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM |
| WO2005014898 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE |
| EP1505375 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT SENSIBLE D'UN INDICATEUR DE RAYONNEMENT INFRAROUGE |
| EP1489654 |
FILM MINCE LUCUO MONOCRISTALLIN (S, SE, TE), SON PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF OPTIQUE OU DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1475464 |
Procédé pour la production d'un cristal optique |
| EP1435010 |
RAYONS ULTRAVIOLETS PHOTOLITHOGRAPHIQUES A EMISSION DE CRISTAUX MELANGES DE FLUORURE |
| WO2004049393 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DE RECUIT D'UNE PLAQUETTE SEMI–CONDUCTRICE |
| FR2847714 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DE RECUIT DE TRANCHE DE SEMICONDUCTEUR |
| WO2004034457 |
TRANCHE RECUITE ET PROCEDE DE FABRICATION DE TRANCHE RECUITE |
| EP1393354 |
PROCEDE ET DISPOSITIF POUR EFFECTUER LE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRATS |
| EP1388891 |
TRAITEMENT THERMIQUE DE SEMI–CONDUCTEUR ET SYSTEME A CET EFFET |
| EP1382722 |
Four de recuit pour des cristaux de fluorure utilisés dans la lithographie optique |
| EP1378591 |
Méthode pour éliminer des défauts à l'intérieur de cristaux |
| WO03071595 |
FILM MINCE LUCUO MONOCRISTALLIN (S, SE, TE), SON PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF OPTIQUE OU DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1308544 |
PLAQUETTE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM PRESENTANT UNE ZONE DENUDEE VIDE SUR LA SURFACE ET UN DIAMETRE SUPERIEUR A 300 MM ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| WO03025637 |
RAYONS ULTRAVIOLETS PHOTOLITHOGRAPHIQUES A EMISSION DE CRISTAUX MELANGES DE FLUORURE |
| WO02103091 |
PLAQUETTE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM PRESENTANT UNE ZONE DENUDEE VIDE SUR LA SURFACE ET UN DIAMETRE SUPERIEUR A 300 MM ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| EP1264012 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX ET/OU DE MATIERES CRISTALLINES FLUORITIQUES |
| WO02095804 |
PROCEDE ET DISPOSITIF POUR EFFECTUER LE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRATS |
| WO02095803 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DE TRAITEMENT THERMIQUE DE SUBSTRATS |
| WO02091447 |
TRAITEMENT THERMIQUE DE SEMI–CONDUCTEUR ET SYSTEME A CET EFFET |
| WO02083997 |
PROCEDE POUR LA CROISSANCE DES MONOCRISTAUX DE FLUORURE DE CALCIUM |
| WO02084728 |
COMMANDE DE LA FORMATION D'UN DONNEUR THERMIQUE DANS LE SILICIUM D'OXYDE DE ZIRCONIUM A HAUTE RESISTIVITE |
| WO02066714 |
PROCEDE DE PREPARATION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN PRESENTANT UNE MEILLEURE INTEGRITE D'OXYDE DE GRILLE |
| WO02059400 |
SILICIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUTS DONT LA PARTIE CENTRALE DOMINEE PAR DES LACUNES EST PRATIQUEMENT EXEMPTE DE DEFAUTS D'EMPILEMENT INDUITS PAR L'OXYDATION |
| WO0227778 |
PROCÉDÉ DE TRAITEMENT THERMIQUE D'UNE PLAQUETTE DE SILICIUM |
| EP1188545 |
Méthode de chauffage d'un pièce, particulièrement un élément optique |
| WO0164977 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX ET/OU DE MATIERES CRISTALLINES FLUORITIQUES |
| EP1130136 |
Procédéde fabrication de grandes monocristaux de fluorure de calcium et l'utilisation de ces cristaux pour la photolithographie |
| EP1125008 |
TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN THERMORECUIT PRESENTANT PEU DE DEFAUTS |
| EP1122342 |
PROCEDE D'ELIMINATION DES DEFAUTS D'UN MATERIAU MONOCRISTALLIN |
| EP1052313 |
TRANCHE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO0034553 |
TRANCHE DE SILICIUM ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO0022198 |
TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN THERMORECUIT PRESENTANT PEU DE DEFAUTS |
| WO0018990 |
PROCEDE D'ELIMINATION DES DEFAUTS D'UN MATERIAU MONOCRISTALLIN ET MATERIAU MONOCRISTALLIN DONT LES DEFAUTS SONT ELIMINES PAR CE PROCEDE |
| EP0973962 |
SILICIUM A FAIBLE TAUX DE DEFECTUOSITES PRECIPITANT IDEALEMENT L'OXYGENE |
| EP0972863 |
Méthode pour le traitement thermique d'un monocristal d'un fluorure et méthode pour sa préparation |
| EP0954018 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TRANCHE EPITAXIEE SEMI–CONDUCTRICE DE SILICIUM ET D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| EP0926718 |
Procédé de traitement thermique des plaquettes de silicium monocristalline |
| EP0915502 |
Procédé de traitement thermique d'une plaquette de silicium et plaquette de silicium traitée par ce procédé |
| WO9845507 |
SILICIUM A FAIBLE TAUX DE DEFECTUOSITES PRECIPITANT IDEALEMENT L'OXYGENE |
| EP0829559 |
Procédé de fabrication d'une plaquette de silicium ayant une faible densité de défauts |
