| N° de brevet |
Brevet |
| EP1899509 |
DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LE MAINTIEN D'UNE PRESSION QUASI–ATMOSPHERIQUE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT |
| EP1894900 |
Procédé et appareil de traitement chimique à l'aide d'un catalyseur |
| EP1882057 |
STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI |
| EP1877599 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'ARTICLES MONOLITIQUES NANOCRISTALLINS |
| EP1873280 |
Substrat de monocristal de nitrure de galium de type N dopé à l'oxygène et procédé pour sa production |
| WO2007123735 |
PROCÉDÉ DE DOPAGE RÉGLABLE DE CRISTAUX MASSIFS DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| EP1842942 |
Substrat cristallin en GaN |
| EP1840560 |
Procédé de révélation de défauts cristallins dans un substrat massif |
| EP1835054 |
Substrat de nitrure de gallium et procédés de test et de fabrication de ce substrat |
| EP1818429 |
Substrat monocristallin de GaN |
| EP1816238 |
Durcissement préférentiel d'aubes monocristallines |
| WO2007071771 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE ET SUBSTRAT COMPOSITE OBTENU PAR CE PROCEDE |
| EP1784528 |
PLAQUETTE DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL SEMI–ISOLANT HAUTE PURETÉ DE CENT MILLIMÈTRES |
| WO2007049668 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE LIGNE DE DECOUPE SUR UN SUBSTRAT EN MATERIAU FRAGILE ET DISPOSITIF DE FORMATION DE LIGNE DE DECOUPE |
| EP1772228 |
Procédé pour la réparation d'une pièce à microstructure orientée. |
| EP1766676 |
SUPPORT D'EPITAXIE HYBRIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1754981 |
MONOCRISTAL ZnO FAISANT OFFICE DE SCINTILLATEUR À TRES GRANDE VITESSE ET PROCEDE DE FABRICATION DE CELUI–CI |
| WO2007000704 |
DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LE MAINTIEN D'UNE PRESSION QUASI–ATMOSPHERIQUE DANS UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT |
| EP1739213 |
Appareil et procédé de récuit des plaquettes III–V ainsi que des plaquettes monocristallines récuites du semiconducteur type III–V |
| EP1736574 |
cristal de nitrure, couche épitaxial sur un cristal de nitrure, Dispositif semi–conducteur et son procédé de fabrication |
| WO2006135688 |
PREPARATION D'UNE SURFACE POLAIRE SUR DES SUBSTRATS A BASE DE NITRURES |
| WO2006125069 |
STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI |
| EP1723086 |
METHODE D INCORPORATION D UNE MARQUE DANS UN DIAMANT OBTENU PAR UN PROCEDE CVD |
| EP1723455 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX PHOTONIQUES PRESENTANT DES DEFAUTS INTENTIONNELS |
| WO2006119359 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'ARTICLES MONOLITIQUES NANOCRISTALLINS |
| EP1717872 |
Procédé de fabrication d'une couche nitrure et d'un dispositif électroluminescent verticale à semiconducteur |
| EP1717286 |
Procédé de traitement de surface d'un film cristallin de nitrure–groupe III, substrat cristallin de nitrure–groupe III avec une couche épitaxiale, et dispositif semiconducteur |
| EP1715086 |
Méthode por réduire des défaults à l'intérieur de cristaux |
| EP1708254 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF A FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1683896 |
Procédé pour la purification d'un matériau utilisé pour fabriquer des cristaux, procédé pour fabriquer des cristaux, appareillage pour ce procédé et l'application des cristaux ainsi obtenus. |
| EP1672102 |
PROCEDE D'OBTENTION D'UN FILM MINCE DE CRISTAL FERROELECTRIQUE APPAREIL D'ATTAQUE CHIMIQUE, SUBSTRAT DE FILM MINCE DE CRISTAL FERROELECTRIQUE ET TRANCHE DE CRISTAL FERROELECTRIQUE |
| EP1671361 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, APPLICATION DE PROCEDE, ET STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM |
| EP1670975 |
PREFORMES, PLAQUETTES DE SPINELLE ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES |
| EP1668356 |
PROCEDE POUR COMMANDER LE TRAITEMENT D'UN CRISTAL AU MOYEN D'UN LIQUIDE |
| EP1665350 |
PROCEDE POUR TRAITER DES COUCHES SEMICONDUCTRICES OBTENUES PAR CROISSANCE HETEROEPITAXIALE SUR DES SUBSTRATS SEMI–CONDUCTEURS, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR COMPORTANT UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE AINSI TRAITEE ET COMPOSANT A SEMI–CONDUCTEUR CONSTITUE D'UN TEL SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1664396 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE CROISSANCE EPITAXIALE |
| EP1660703 |
PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRATS EN DIAMANT |
| EP1660702 |
PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE A CROISSANCE EPITAXIALE |
| EP1658519 |
SOLUTION AU BILAN THERMIQUE |
| EP1654405 |
PROCEDE POUR TRAITER UN CRISTAL PAR APPLICATION DE MICROGOUTTES SUR LE CRISTAL |
| EP1645664 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE DIAMANTS ROUGES FANTAISIE |
| EP1632590 |
Couche de diamant monocristallin épaisse, procédé de fabrication, et pierres précieuses produites à partir de cette couche |
| WO2006011976 |
PLAQUETTE DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL SEMI–ISOLANT HAUTE PURETÉ DE CENT MILLIMÈTRES |
| EP1617466 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN A PARTIR DUQUEL UNE PLAQUETTE DE SEMI–CONDUCTEUR EST DECOUPEE EN TRANCHE |
| WO2006000691 |
SUPPORT D'EPITAXIE HYBRIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1612301 |
Substrats de AlGaInN et AlN ainsi qu'un procédé de leur nettoyage |
| EP1606103 |
PRODUCTION RAPIDE DE NANOPARTICULES A PARTIR DE SOLIDES EN VRAC A TEMPERATURE AMBIANTE |
| FR2871172 |
SUPPORT D'EPITAXIE HYBRIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1597416 |
PROCEDE DE RECUIT DE CRISTAUX D'HALOGENURE |
| EP1594426 |
MARQUAGE DE DIAMANT |
| WO2005106062 |
PROCEDE DE TRAITEMENT THERMIQUE DE COMPOSANTS MONOCRISTALLINS OU A SOLIDIFICATION DIRECTIONNELLE |
| WO2005087983 |
PROCEDES DE SUBSTITUTION POUR LA FABRICATION D'HETEROSTRUCTURES ET DE SUBSTRATS FAITS DE COMPOSES AU SILICIUM ET D'ALLIAGES |
| EP1571242 |
Fabrication des plaquettes–substrats pour des éléments de semiconducteur à défaut réduit, leurs applications et éléments ainsi obtenus |
| WO2005080645 |
SEPARATION DE STRUCTURE DE DIAMANT |
| WO2005080948 |
PROCEDE DE FABRICATION DE PALETS OPTIQUES CAF2 A DEFAUTS MINIMISES, DESTINES EN PARTICULIER A LA LITHOGRAPHIE 193 ET 157 NM |
| EP1566470 |
Production d'un monocristal volumineux de CaF2 pour utilisation dans un élément optique avec un axe optique parallèle aux axes cristallins (100) ou (110) |
| EP1566472 |
Production des monocristaux volumineux pas orientés selon l'axe (111) présentant peu de compression, une faible biréfringence par compression et un indice de réfraction homogène ainsi que leur application |
| EP1566471 |
Fabrication des cristaux volumineux présentant peu de compression, une faible biréringence par compression et un indice de réfraction homogène ainsi que l'application de ces cristaux |
| EP1560261 |
PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE ET CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE OBTENU SELON LEDIT PROCEDE |
| WO2005069356 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF A FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1557883 |
PLAQUETTE SOI ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1555337 |
Substrat en diamant monocristallin et son procédé de fabrication |
| WO2005061400 |
METHODE D'INCORPORATION D'UNE MARQUE DANS UN DIAMANT OBTENU PAR UN PROCEDE CVD |
| EP1551058 |
TRANCHE RECUITE ET PROCEDE DE FABRICATION DE TRANCHE RECUITE |
| EP1543181 |
DIAMANT MONOCRISTALLIN |
| EP1541722 |
PLAQUE DE BASE DE CRISTAL ET DISPOSITIF DE PRESSAGE |
| EP1537259 |
DIAMANT COLORE |
| EP1536918 |
PROCEDE DE POLISSAGE D'UNE TRANCHE DE MATERIAU |
| EP1533402 |
TRANCHE EPITAXIALE ET PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1531491 |
Elément en SIC et son procédé de production |
| EP1528591 |
Procédé de fabrication d'un substrat en nitrure pour des semiconducteurs et un substrat ainsi obtenu |
| EP1524248 |
Méthode pour souder des matériaux optiques en verre ou cristal de fluorure à du métal |
| EP1522611 |
SUBSTRAT COMPOSITE EN DIAMANT ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| WO2005031046 |
PREFORMES, PLAQUETTES DE SPINELLE ET PROCEDES DE FABRICATION ASSOCIES |
| WO2005031033 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN DIAMANT CVD AMELIORE |
| WO2005031344 |
PROCEDE POUR COMMANDER LE TRAITEMENT D'UN CRISTAL AU MOYEN D'UN LIQUIDE |
| WO2005031825 |
PROCEDE POUR TRAITER DES COUCHES SEMICONDUCTRICES OBTENUES PAR CROISSANCE HETEROEPITAXIALE SUR DES SUBSTRATS SEMI–CONDUCTEURS, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR COMPORTANT UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE AINSI TRAITEE ET COMPOSANT A SEMI–CONDUCTEUR CONSTITUE D'UN TEL SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR |
| FR2860249 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM, APPLICATION DE PROCEDE, ET STRUCTURE EN FORME DE PLAQUE, EN PARTICULIER EN SILICIUM |
| FR2860101 |
PROTECTION DE LA SURFACE DU SIC PAR UNE COUCHE DE GAN |
| EP1516361 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE HAUTE PURETE, EN CARBURE DE SILICIUM SEMI–ISOLANTS, PRESENTANT UNE RESISTIVITE |
