N° de brevet Brevet
EP1895025 Cristal semi–conducteur, et procédé et appareil de production
EP1862570 CREUSET POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX
EP1758180 Wafer épitaxial comprenant une couche épitaxiale de nitrure de gallium sur un substrat semi–conducteur
EP1739210 Procédé pour la production d'un monocristal semiconductor dopé, et III–V monocristal semiconductor.
EP1739213 Appareil et procédé de récuit des plaquettes III–V ainsi que des plaquettes monocristallines récuites du semiconducteur type III–V
WO2005007939 MONOCRISTAL INP, MONOCRISTAL ASGA ET PROCEDE DE FABRICATION
EP1456866 PROCEDE ET APPAREIL SERVANT A LA CROISSANCE DE CRISTAUX SEMI–CONDUCTEURS AU MOYEN D'UN SUPPORT RIGIDE, DOPAGE AU CARBONE, D'UNE REGULATION DE LA RESISTIVITE ET DU GRADIENT DE TEMPERATURE
WO03005417 PROCEDE ET APPAREIL SERVANT A LA CROISSANCE DE CRISTAUX SEMI–CONDUCTEURS AU MOYEN D'UN SUPPORT RIGIDE, DOPAGE AU CARBONE, D'UNE REGULATION DE LA RESISTIVITE ET DU GRADIENT DE TEMPERATURE
EP0990717 Substrat de GaAs monocristallin et plaquette épitaxiale utilisant ce substrat
EP0931184 PROCEDE DE CONDUCTION LACUNAIRE ACTIVE LORS DE LA CROISSANCE DE CRISTAUX DE GAAS
EP0927777 Procédé et dispositif pour la manufacture des cristaux d'un semi–conducteur
EP0865088 Wafer epitaxial comprenant une couche épitaxiale de nitrure de gallium sur un substrat semi–conducteur et procédé de fabrication
WO9812364 PROCEDE DE CONDUCTION LACUNAIRE ACTIVE LORS DE LA CROISSANCE DE CRISTAUX DE GAAS
EP0709498 Méthodes pour le traitement thermique des matériau semi–conducteur de composés des groupes III–V
EP0457444 Nacelle en nitrure de bore et sa production.
EP0334682 Transistor à hétérostructure comprenant une couche de germanium sur de l'arséniure de gallium et méthode pour sa fabrication utilisant une croissance épitaxiale par jet moléculaire.
EP0324812 PROCEDE DE FABRICATION DE SOLUTIONS SOLIDES CRISTALLINES A CONSOMMATION REDUITE DE MATERIAUX.
FR2621171 PROCEDE PERMETTANT DE FAIRE CROITRE DES FILMS DE GAAS SUR DES SUBSTRATS DE SI OU DE GAAS
WO8703306 PROCEDE DE FABRICATION D'ARTICLES AYANT DES STRUCTURES HETEROEPITAXIALES
EP0222404 Cristaux d'arséniure de gallium et leur méthode de croissance.
EP0177903 Dispositif semi–conducteur comportant une couche de Ga–As monocristallin formée sur un substrat en silicium et procédé pour la fabrication de ce dispositif
EP0176130 Procédé de réalisation d'un monocristal d'arséniure de gallium et d'indium
EP0172621 Méthode de croissance d'un monocristal d'un composé semi–conducteur
EP0102054 Dispositif pour la croissance de GaAs monocristallin par fusion par zone flottante
EP0092409 Procédé de fabrication d'un monocristal d'arséniure de gallium dopé au bore
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