| N° de brevet |
Brevet |
| EP1900857 |
Procédé de fabrication d'une couche mince en nitrure de gallium monocristalline |
| EP1897978 |
Procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, dispositif à nitrures du groupe III, procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, et procédé de fabrication de dispositif à nitrures du groupe III |
| WO2008017320 |
PROCÉDÉS DE FABRICATION D'UN CRISTAL MASSIF DOPÉ AU III–N ET D'UN SUBSTRAT LIBRE DOPÉ AU III–N ET CRISTAL MASSIF DOPÉ AU III–N ET SUBSTRAT LIBRE DOPÉ AU III–N |
| EP1885918 |
FILMS AU NITRURE DE GROUPE III DE POLARITE REGULEE ET PROCEDES DE PREPARATION DE TELS FILMS |
| EP1887109 |
Monocristal de nitrure d'aluminium |
| EP1883719 |
SUBSTRAT III–N CUBIQUE AUTONOME EN VRAC ET PROCEDE DE FORMATION |
| EP1884580 |
Procédé d'agrandissement de cristal de nitrure de gallium |
| WO2008009805 |
PROCEDE POUR LA CROISSANCE DE NITRURE D' INDIUM |
| EP1871928 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| EP1873280 |
Substrat de monocristal de nitrure de galium de type N dopé à l'oxygène et procédé pour sa production |
| EP1872383 |
SYSTEME ET PROCEDE DESTINES A UNE EPITAXIE EN PHASE VAPEUR AMELIOREE EN PLASMA DE FAIBLE ENERGIE |
| EP1866464 |
PROCEDE DE CROISSANCE A PARTIR D'UN GERME POUR LA PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| WO2007143743 |
SYSTÈME D'ADMINISTRATION EN GRAND VOLUME DE TRICHLORURE DE GALLIUM |
| EP1865095 |
Procédé de croissance de cristal de nitrure de gallium |
| WO2007130484 |
PROCESSUS DE PYROLYSE DIRECTE PERMETTANT D'OBTENIR DES POINTS QUANTIQUES DE GAN |
| EP1852528 |
Procédé et appareil pour la croissance en plot d'un monocristal de nitrure d'aluminium |
| EP1851369 |
EMETTEURS DE LUMIERE EN NITRURE DE GALLIUM SUR DIAMANT |
| WO2007123735 |
PROCÉDÉ DE DOPAGE RÉGLABLE DE CRISTAUX MASSIFS DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| EP1842942 |
Substrat cristallin en GaN |
| EP1842941 |
Procédé de formation d'un matériau de nitrure de groupe III sur un substrat en silicone |
| EP1841902 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C |
| EP1842940 |
Procédé de préparation d'un matériau du type III–nitrure sur un substrat en silicium |
| EP1840979 |
Couche semi–conductrice, procédé de formation correspondant et dispositif semi–conducteur électroluminescent |
| EP1835054 |
Substrat de nitrure de gallium et procédés de test et de fabrication de ce substrat |
| EP1820887 |
Substrat en nitrure de gallium cristallin et procédé de fabrication |
| EP1821339 |
Substrat cristallin de GaN, son procédé de fabrication et procédé de fabrication d'un dispositif semi–conducteur |
| EP1818429 |
Substrat monocristallin de GaN |
| WO2007088958 |
SUBSTRAT POUR LA CROISSANCE D'UN COMPOSÉ SEMI–CONDUCTEUR ET PROCÉDÉ DE CROISSANCE ÉPITAXIQUE |
| WO2007078844 |
COMPOSITION CRISTALLINE, DISPOSITIF, ET PROCEDE CONNEXE |
| EP1806440 |
Procédé de fabrication d'un monocristal de nitrure d'alumine |
| WO2007071771 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE ET SUBSTRAT COMPOSITE OBTENU PAR CE PROCEDE |
| WO2007068756 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE GAN PRESENTANT DE FAIBLES DENSITES DE DISLOCATIONS |
| WO2007062250 |
CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM DE TAILLE IMPORTANTE A DEFAUTS REDUITS ET PROCEDES DE FABRICATION DE CEUX–CI |
| EP1788126 |
Procédé pour la production des films épais en nitrure de gallium |
| EP1778897 |
MATÉRIAUX DE NITRURE III ENGLOBANT DE FAIBLES DENSITÉS DE DISLOCATION ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS AUXDITS MATÉRIAUX |
| EP1777325 |
Plaquette monocristalline de semiconducteur du type plan A–nitrure et munie d'un méplat d'orientation |
| EP1777756 |
Dispositif émetteur de lumière à semiconducteur, tranche pour un dispositif émetteur de lumière à semiconducteur et son procédé de fabrication |
| EP1772541 |
Couche mince de nitrure de gallium sur un substrat de saphir présentant une déformation réduite |
| EP1770189 |
Procédé et dispositif pour la production un monocristal massif d'un nitrure contenant le gallium |
| EP1766676 |
SUPPORT D'EPITAXIE HYBRIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1768192 |
Diode électroluminescente et procédé de fabrication |
| EP1753018 |
Procédé pour fabriquer un substrat monocristallin à base de nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à base de nitrure |
| WO2007015572 |
FILM DE MONOCRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM, SUBSTRAT LAMINÉ À MONOCRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION |
| EP1745502 |
PROCEDE POUR FAIRE CROITRE UNE MATIERE A BASE DE SEMI–CONDUCTEUR DES GROUPES III–V SUR UN DIELECTRIQUE |
| EP1743961 |
SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR POUR COMPOS |
| EP1741808 |
TRANCHE DE MONOCRISTAL InP ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE MONOCRISTAL InP |
| EP1739210 |
Procédé pour la production d'un monocristal semiconductor dopé, et III–V monocristal semiconductor. |
| EP1739213 |
Appareil et procédé de récuit des plaquettes III–V ainsi que des plaquettes monocristallines récuites du semiconducteur type III–V |
| EP1736574 |
cristal de nitrure, couche épitaxial sur un cristal de nitrure, Dispositif semi–conducteur et son procédé de fabrication |
| WO2006135688 |
PREPARATION D'UNE SURFACE POLAIRE SUR DES SUBSTRATS A BASE DE NITRURES |
| EP1731632 |
Substrat d'un semiconducteur du type nitrure et méthode de sa production |
| EP1727177 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D' UN ÉLÉMENT STRATIFIÉ ET ÉLÉMENT STRATIFIÉ |
| WO2006124067 |
FILMS AU NITRURE DE GROUPE III DE POLARITE REGULEE ET PROCEDES DE PREPARATION DE TELS FILMS |
| EP1724378 |
Substrat épitaxial, élément semiconducteur, procédé pour la fabrication d'un substrat épitaxial et procédé pour la distribution irrégulière des dislocations dans un cristal du type groupe III–nitrure |
| WO2006119927 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| WO2006120401 |
SUBSTRAT III–N CUBIQUE AUTONOME EN VRAC ET PROCEDE DE FORMATION |
| EP1718784 |
SYSTEME D'ADMISSION POUR REACTEUR MOCVD |
| EP1717872 |
Procédé de fabrication d'une couche nitrure et d'un dispositif électroluminescent verticale à semiconducteur |
| WO2006113719 |
PROCEDES PERMETTANT DE PREPARER DES NANOPARTICULES PAR SYNTHESE SONOCHIMIQUE REDUCTIVE |
| WO2006110512 |
PROCEDE DE CROISSANCE A PARTIR D'UN GERME POUR LA PREPARATION DE MONOCRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| EP1712662 |
SUBSTRAT POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE, SUBSTRAT AVEC FILM MINCE ET ELEMENT PHOTOEMETTEUR |
| EP1699951 |
PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS AUTOSUPPORTES DE NITRURES D'ELEMENTS III PAR HETERO EPITAXIE SUR UNE COUCHE SACRIFICIELLE |
| EP1697965 |
PUITS QUANTIQUES (A1, B, IN, GA)N NON POLAIRES |
| WO2006082467 |
SUBSTRAT DESTINE A LA CRISTALLOGENESE D'UN SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE |
| WO2006081348 |
EMETTEURS DE LUMIERE EN NITRURE DE GALLIUM SUR DIAMANT |
| EP1684973 |
SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM VICINAL POUR HOMOEPITAXIE DE HAUTE QUALITE |
| WO2006077221 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C |
| EP1682701 |
SUBSTRAT GAN DE FAIBLE DENSITE DE DISLOCATION UNIFORME, A LARGE ZONE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1655766 |
SUBSTRAT DE CROISSANCE DE SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| EP1645656 |
Composés organométalliques utilisables dans des procédés de dépôt en phase vapeur |
| EP1646077 |
ELEMENT EN NITRURE SEMI–CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO2006014472 |
MATÉRIAUX DE NITRURE III ENGLOBANT DE FAIBLES DENSITÉS DE DISLOCATION ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS AUXDITS MATÉRIAUX |
| EP1624095 |
Substrat monocristallin d'un nitrure semiconducteur et procédé de sa fabrication |
| EP1617466 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN LINGOT MONOCRISTALLIN A PARTIR DUQUEL UNE PLAQUETTE DE SEMI–CONDUCTEUR EST DECOUPEE EN TRANCHE |
| EP1613549 |
NANOTRICHITES ET RESEAUX DE NANOTRICHITES PLACES AVEC PRECISION, ET LEUR PROCEDE DE PREPARATION |
| EP1614776 |
Procédé de fabrication d'un monocristal de nitrure d'alumine |
| EP1614775 |
Procédé d'améliorer la planétié d'une surface d'un cristal de nitrure de groupe III, substrat pour la croissance épitaxiale et dispositif semi–conducteur |
| EP1612301 |
Substrats de AlGaInN et AlN ainsi qu'un procédé de leur nettoyage |
| EP1602752 |
Plaquette monocristalline de AlGaInN |
| WO2005112078 |
PROCEDE DE TIRAGE DE MATIERE DE COUCHE DE NITRURE A BASE DE GAN |
