| N° de brevet |
Brevet |
| WO2008023774 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF À SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE |
| WO2008018237 |
SUBSTRAT GaxIn1–xN ET PROCÉDÉ DE NETTOYAGE DE SUBSTRAT GaxIn1–xN |
| WO2008018613 |
APPAREIL DE FABRICATION DE SEMI–CONDUCTEURS |
| WO2008010541 |
PROCÉDÉ DE RÉDUCTION DE DISLOCATION DANS UN CRISTAL DE NITRURE DE GROUPE III ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE ÉPITAXIALE |
| WO2008004424 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN, PROCÉDÉ POUR FAIRE CROÎTRE UN CRISTAL D'AlN ET SUBSTRAT DE CRISTAL D'AlN |
| WO2007144955 |
MONOCRISTAL DE NITRURE D'ÉLÉMENT DU GROUPE III ET SON PROCÉDÉ DE CROISSANCE |
| WO2007130484 |
PROCESSUS DE PYROLYSE DIRECTE PERMETTANT D'OBTENIR DES POINTS QUANTIQUES DE GAN |
| WO2007125914 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM ET GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| WO2007119433 |
COUCHE DE NITRURE DE GROUPE III–V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION |
| WO2007111219 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE III NITRURE |
| FR2898606 |
FILM MONOCRISTALLIN SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| WO2007105782 |
PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE DE GROUPE 3–5 |
| EP1831438 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE NANOFILS DE BETA–SIC OU DE ALPHA–SI3N4, EVENTUELLEMENT ENROBES |
| WO2007091920 |
PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'HÉTÉROSTRUCTURES SEMI–CONDUCTRICES BASÉES SUR NITRURE DE GALLIUM |
| EP1818430 |
SIMPLE CRISTAL DE NITRURE DU GROUPE III ET PROCÉDÉ DE PRÉPARATION DUDIT CRISTAL, ET DISPOSITIF À SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2007083768 |
ÉLÉMENT ÉLECTROLUMINESCENT SEMI–CONDUCTEUR, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE DE GROUPE III ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN TEL SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE DE GROUPE III |
| WO2007080881 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM, CRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM, SUBSTRAT DE CRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM ET DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1806439 |
MÉTHODE DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE AlN ET MONOCRISTAL DE AlN |
| EP1806770 |
GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| WO2007072984 |
PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURE D'ELEMENT |
| EP1799886 |
REALISATION D'UNE COUCHE DE NITRURE D'INDIUM |
| WO2007069523 |
PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE InGaN |
| WO2007069388 |
SUBSTRAT CRISTALLIN À L'AlxGayIn1–x–yN, DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION |
| EP1790759 |
SEMI–CONDUCTEUR MONOCRISTAL AU NITRURE COMPRENANT Ga, MÉTHODE POUR LE FABRIQUER, ET SUBSTRAT ET DISPOSITIF UTILISANT LE CRISTAL |
| WO2007057892 |
COUCHE DE CRISTAL DE GAN |
| EP1770189 |
Procédé et dispositif pour la production un monocristal massif d'un nitrure contenant le gallium |
| WO2007023911 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1758180 |
Wafer épitaxial comprenant une couche épitaxiale de nitrure de gallium sur un substrat semi–conducteur |
| WO2007015404 |
PROCÉDÉ ET APPAREIL POUR PRODUIRE UN SEMI–CONDUCTEUR EN AlN |
| WO2007015572 |
FILM DE MONOCRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM, SUBSTRAT LAMINÉ À MONOCRISTAL DE NITRURE D'ALUMINIUM ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION |
| WO2007013286 |
CRISTAL D'AlN ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION, ET SUBSTRAT EN CRISTAL D'AlN |
| WO2007010645 |
GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| WO2007004730 |
POUDRE DE NITRURE DE BORE MONOCRISTALLIN HEXAGONAL TRÈS PUR ÉMETTANT DE LA LUMIÈRE ULTRAVIOLETTE LOINTAINE À HAUTE LUMINOSITÉ ET PROCÉDÉ DE PRODUCTION CORRESPONDANT |
| WO2007005816 |
FORMATION CATALYSEE A BASSE TEMPERATURE DE NANOFIL SEGMENTE DE MATERIAU DIELECTRIQUE |
| WO2007004495 |
PROCESSUS DE FABRICATION DE CRISTAUX AVEC SOLVANT SUPRACRITIQUE, APPAREIL DE CROISSANCE DE CRISTAL, CRISTAL ET DISPOSITIF |
| WO2006126330 |
PROCEDE DE TIRAGE D'UN MONOCRISTAL DE GAN, PROCEDE DE PREPARATION D'UN SUBSTRAT DE GAN, PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT A BASE DE GAN ET ELEMENT A BASE DE GAN |
| EP1727177 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D' UN ÉLÉMENT STRATIFIÉ ET ÉLÉMENT STRATIFIÉ |
| WO2006123540 |
SUBSTRAT MULTICOUCHE SEMI–CONDUCTEUR CONTENANT 3 A 5 GROUPES NITRURE, PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AUTO–PORTEUR SEMI–CONDUCTEUR CONTENANT 3 A 5 GROUPES NITRURE, ET ELEMENT SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2006111804 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMICONDUCTEUR ET DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR |
| EP1712662 |
SUBSTRAT POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE, SUBSTRAT AVEC FILM MINCE ET ELEMENT PHOTOEMETTEUR |
| WO2006104064 |
SUBSTRAT POUR LA CROISSANCE DU NITRURE DE GALLIUM ET MÉTHODE DE PRODUCTION DUDIT SUBSTRAT |
| WO2006088261 |
PROCÉDÉ DE FORMATION DE COUCHE InGaN ET DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2006082467 |
SUBSTRAT DESTINE A LA CRISTALLOGENESE D'UN SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE |
| WO2006080586 |
PROCEDE DE FORMATION DE FILM GaN, DISPOSITIF A SEMI–CONDUCTEUR, PROCEDE DE FORMATION DE FILM MINCE DE NITRURE DU GROUPE III ET DISPOSITIF A SEMI–CONDUCTEUR PRESENTANT UN FILM MINCE DE NITRURE DU GROUPE III |
| EP1686202 |
MONOCRISTAL DE NITRURE DE BORE HEXAGONAL HAUTEMENT PURIFIE PERMETTANT UNE EMISSION HAUTE LUMINANCE D'ULTRAVIOLETS LOINTAINS, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TEL MONOCRISTAL, DISPOSITIF D'EMISSION HAUTE LUMINANCE D'ULTRAVIOLETS LOINTAINS COMPRENANT UN TEL MONOCRISTAL ET PROCEDE D'UTILISATION DU DISPOSITIF |
| EP1684973 |
SUBSTRAT EN NITRURE DE GALLIUM VICINAL POUR HOMOEPITAXIE DE HAUTE QUALITE |
| WO2006067308 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE NANOFILS DE BETA–SIC OU DE ALPHA–SI3N4, EVENTUELLEMENT ENROBES |
| WO2006032756 |
RÉALISATION D'UNE COUCHE DE NITRURE D'INDIUM |
| WO2005112079 |
COMPOSITE D'UN MONOCRISTAL D'OXYDE DE GALLIUM, PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE CELUI–CI ET PROCÉDÉ SERVANT À PRODUIRE UN FILM DE SEMI–CONDUCTEUR EN NITRURE UTILISANT LE COMPOSITE DE MONOCRISTAL D'OXYDE DE GALLIUM |
| WO2005088666 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'ÉLÉMENT STRATIFIÉ ET ÉLÉMENT STRATIFIÉ |
| WO2005088687 |
MÉTHODE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE DE GALLIUM |
| EP1577933 |
Procédé de production d'un substrat monocristallin de GaN et substrat monocristallin de GaN ainsi produit |
| WO2005078876 |
DISPOSITIF À ÉTAT SOLIDE D'ÉMISSION DE LUMIÈRE DANS L'ULTRAVIOLET PROFOND |
| WO2005071143 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE NITRURE RENFERMANT DU GALLIUM |
| EP1560261 |
PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE ET CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE OBTENU SELON LEDIT PROCEDE |
| EP1557487 |
Procédé de fabrication d'un substrat d'un cristal de GaN |
| EP1555686 |
Film mince semiconducteur en nitrure de haute qualité et méthode pour sa croissance |
| EP1553216 |
Procédé de fabrication d'un cristal de nitrure du groupe III–nitrure |
| WO2005049898 |
MONOCRISTAL DE NITRURE DE BORE HEXAGONAL HAUTEMENT PURIFIE PERMETTANT UNE EMISSION HAUTE LUMINANCE D'ULTRAVIOLETS LOINTAINS, PROCEDE DE PRODUCTION D'UN TEL MONOCRISTAL, DISPOSITIF D'EMISSION HAUTE LUMINANCE D'ULTRAVIOLETS LOINTAINS COMPRENANT UN TEL MONOCRISTAL ET PROCEDE D'UTILISATION DU DISPOSITIF, UNITE D'EMISSION LUMINE |
| EP1522612 |
CRISTAL COMPOSE III–V SEMI–CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| EP1521310 |
Substrat semiconducteur à nitrure et son procédé de fabrication |
| EP1518009 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE NITRURE MONOCRISTALLIN MASSIF CONTENANT DU GALLIUM |
| FR2860101 |
PROTECTION DE LA SURFACE DU SIC PAR UNE COUCHE DE GAN |
| EP1514297 |
PROCEDE DE REALISATION PAR EPITAXIE D UN FILM DE NITRURE DE GALLIUM SEPARE DE SON SUBSTRAT |
| WO2005015617 |
COUCHE SEMI–CONDUCTRICE |
| EP1501117 |
SUBSTRAT POUR CROISSANCE DE NITRURE DE GALLIUM, PROCEDE DE PREPARATION DE SUBSTRAT DE CROISSANCE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDE DE PREPARATION DE SUBSTRAT DE NITRURE DE GALLIUM |
| EP1495168 |
FILMS MINCES DE NITRURE DE GALLIUM A PLAN A NON POLAIRE OBTENUS PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR METALORGANIQUE |
| EP1495167 |
PUITS QUANTIQUE (A1,B,IN,GA)N NON POLAIRE, AINSI QUE MATIERES ET DISPOSITIFS A HETEROSTRUCTURE |
| EP1495169 |
REDUCTION DES DISLOCATIONS DE FILMS MINCES DE NITRURE DE GALLIUM NON POLAIRES |
| WO2004112116 |
PROCEDE DE TRAITEMENT DE SURFACE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE ET CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE OBTENU SELON LEDIT PROCEDE |
| EP1482549 |
Microstructure et procédé pour sa fabrication |
| EP1479795 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE SEMI–CONDUCTEUR A BASE D'UN COMPOSE NITRURE DU GROUPE III |
| WO2004099472 |
CRISTAL COMPOSE III–V SEMI–CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| EP1475826 |
Plaquette de semiconducteur à nitrure et procédé de sa fabrication |
| EP1468128 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT AUTOPORTANT REALISE EN MATERIAU SEMI–CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN |
| WO2004083499 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE SUBSTRAT GAN |
| EP1463115 |
Plaquette rectangulaire semi–conductrice à compose nitrure ayant une marque discriminative recto/verso |
| EP1460154 |
SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DU GROUPE III ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1440187 |
CREUSET DE TUNGSTENE PROVENANT DE LA METALLURGIE DES POUDRES DESTINE A LA CROISSANCE DE CRISTAUX DE NITRURE D'ALUMINIUM |
| EP1436448 |
CROISSANCE EPITAXIALE A FAIBLE TEMPERATURE DE SEMI–CONDUCTEURS QUATERNAIRES A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE |
