N° de brevet Brevet
EP1895031 PROCEDE DESTINE A PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
WO2008023635 SiC À CRISTAL UNIQUE ET SON PROCÉDÉ DE PRODUCTION
EP1888821 GALETTES DE SIC DÉVELOPPÉES EN PAQUETS À FAIBLE DISLOCATION DE PLAN BASAL
WO2008011022 PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À DURÉE DE VIE DE PORTEURS AMÉLIORÉE
WO2008005636 CRISTAL DE SiC DE CENT MILLIMÈTRES TIRÉ SUR UN GERME DÉCALÉ
EP1874985 PROCEDE ET SYSTEME DESTINES A LA FORMATION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT DES IMPURETES DE DOPAGE UNIFORMEMENT REPARTIES DANS L'ESPACE
WO2008001786 procédé de fabrication de cristal de carbure de silicium (SiC) et cristal de carbure de silicium (SiC) ainsi obtenu
EP1871927 TRANCHE DE CARBURE DE SILICIUM DE SOIXANTE–QUINZE MILLIMETRES A DEFORMATION, COURBURE ET VARIATION TOTALE D'EPAISSEUR FAIBLES
WO2007135965 PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
WO2007116315 PROCEDE DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
EP1842940 Procédé de préparation d'un matériau du type III–nitrure sur un substrat en silicium
EP1842941 Procédé de formation d'un matériau de nitrure de groupe III sur un substrat en silicone
EP1840249 Film de carbure de silicium et son procédé de fabrication
EP1837904 Procédé pour la fabrication d'un substrat au carbure de silicium monocristallin de type couche isolante enterrée et dispositif de fabrication correspondant
EP1831438 PROCEDE DE CROISSANCE DE NANOFILS DE BETA–SIC OU DE ALPHA–SI3N4, EVENTUELLEMENT ENROBES
EP1828446 PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM DE GRANDE TAILLE ET DE HAUTE QUALITE
EP1828445 PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM A DUREES DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES ACCRUES
WO2007094155 processus de fabrication de monocristal SiC
EP1807558 PLAQUETTE EN CARBURE DE SILICIUM 100MM A FAIBLE DENSITÉ DE MICROTUBES
EP1807557 LINGOT EN CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PLAQUETTE EN CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION IDOINE
EP1806438 PROCÉDÉ DE RECONSTRUCTION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
EP1806437 PROCEDE PUR DLA PREPARATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
EP1803840 procédé pour la croissance de monocristaux de carbure de silicium
EP1790757 COMPENSATEUR
EP1786956 GERME ET SUPPORT DE GERME POUR CROISSANCE DE QUALITÉ ELEVÉE DE LARGES CRISTAUX UNIQUES DE CARBURE DE SILICONE
WO2007055377 PROCEDE DE FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM CRISTALLIN PAR CARBONISATION DE LA SURFACE D'UN SUBSTRAT SI ET SUBSTRAT SIC CRISTALLIN
EP1784528 PLAQUETTE DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL SEMI–ISOLANT HAUTE PURETÉ DE CENT MILLIMÈTRES
EP1783825 SIMPLE CRISTAL EN CARBURE DE SILICIUM ET PROCÉDÉ D"ATTAQUE CHIMIQUE DUDIT CRISTAL
EP1783250 Matérial semiconducteur, procédé pour sa production et dispositif semiconducteur
EP1772539 MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET TRANCHE DE MONOCRISTAL
EP1766676 SUPPORT D'EPITAXIE HYBRIDE ET SON PROCEDE DE FABRICATION
WO2007020092 PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE DE CARBURE DE SILICIUM
EP1751329 PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL SIC ET MONOCRISTAL SIC TIRE PAR LEDIT PROCEDE
EP1739211 METHODE DE SYNTHESE DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM (SiC) ET MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM (SiC) OBTENU A L'AIDE D'UN TELLE METHODE
WO2006137500 PROCEDE DESTINE A PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
WO2006137192 PROCÉDÉ DE RECONSTRUCTION DE SURFACE D'UN SUBSTRAT EN CARBURE DE SILICIUM
WO2006135476 GALETTES DE SIC DÉVELOPPÉES EN PAQUETS À FAIBLE DISLOCATION DE PLAN BASAL
WO2006124103 PROCEDE ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM
EP1721031 REDUCTION DES DEFAUTS DE CAROTTE DANS L'EPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM
WO2006113657 PROCEDE ET SYSTEME DESTINES A LA FORMATION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM COMPORTANT DES IMPURETES DE DOPAGE UNIFORMEMENT REPARTIES DANS L'ESPACE
WO2006070749 MÉTHODE DE SYNTHÈSE DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) ET MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM (SIC) OBTENU À L'AIDE D'UNE TELLE MÉTHODE
WO2006071326 PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM A DUREES DE VIE DES PORTEURS MINORITAIRES ACCRUES
WO2006067308 PROCEDE DE CROISSANCE DE NANOFILS DE BETA–SIC OU DE ALPHA–SI3N4, EVENTUELLEMENT ENROBES
WO2006062955 PROCEDE PERMETTANT DE PRODUIRE DES CRISTAUX DE CARBURE DE SILICIUM DE GRANDE TAILLE ET DE HAUTE QUALITE
EP1666645 PRODUIT AU CARBURE DE SILICIUM, PROCEDE D'ELABORATION, ET PROCEDE DE NETTOYAGE DE CE PRODUIT.
EP1665350 PROCEDE POUR TRAITER DES COUCHES SEMICONDUCTRICES OBTENUES PAR CROISSANCE HETEROEPITAXIALE SUR DES SUBSTRATS SEMI–CONDUCTEURS, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR COMPORTANT UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE AINSI TRAITEE ET COMPOSANT A SEMI–CONDUCTEUR CONSTITUE D'UN TEL SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR
WO2006045920 PROCEDE DE CROISSANCE, SUR SUBSTRAT DE SILICIUM, DE COUCHES MINCES DE CARBURE DE SILICIUM DE FAIBLE COURBURE
EP1652973 Monocristal et substrat de carbure de silicium et procédé pour la fabrication d'un monocristal de carbure de silicium
WO2006041067 LINGOT EN CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, PLAQUETTE EN CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION IDOINE
WO2006041660 PLAQUETTE EN CARBURE DE SILICIUM 100 MM A FAIBLE DENSITE DE MICROTUBES
WO2006025420 PROCÉDÉ POUR LA PRÉPARATION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
WO2006019692 GERME ET SUPPORT DE GERME POUR CROISSANCE DE QUALITÉ ELEVÉE DE LARGES CRISTAUX UNIQUES DE CARBURE DE SILICONE
WO2006011976 PLAQUETTE DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL SEMI–ISOLANT HAUTE PURETÉ DE CENT MILLIMÈTRES
EP1619276 Croissance homoépitaxiale du SiC sur des plaquettes de SiC faiblement désaxées
WO2005123992 MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET TRANCHE DE MONOCRISTAL
EP1601452 PROCEDE DE FABRICATION DE GEMMES SYNTHETIQUES COMPRENANT DES ELEMENTS RECUPERES DE RESTES HUMAINS OU ANIMAUX COMPLETS OU PARTIELS, ET PRODUIT ASSOCIE
WO2005111277 PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL SIC ET MONOCRISTAL SIC TIRE PAR LEDIT PROCEDE
WO2005093137 REDUCTION DES DEFAUTS DE CAROTTE DANS L'EPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM
WO2005087983 PROCEDES DE SUBSTITUTION POUR LA FABRICATION D'HETEROSTRUCTURES ET DE SUBSTRATS FAITS DE COMPOSES AU SILICIUM ET D'ALLIAGES
EP1547145 PROCEDE DE FABRICATION D' UN SUBSTRAT COMPOSITE DU TYPE SiCOI COMPRENANT UNE ETAPE D' EPITAXIE
WO2005057630 TECHNOLOGIE DE FABRICATION DE DEPOT DE CARBURE DE SILICIUM A BASSE TEMPERATURE
WO2005051842 NANOSTRUCTURES ALLONGEES ET DISPOSITIFS ASSOCIES
EP1528121 Matriau carbonné revetu de carbure de silicium
EP1523034 Méthode de fabrication d'une couche de SiC
EP1522523 Matiere carbonee a haut degre de purete
WO2005031825 PROCEDE POUR TRAITER DES COUCHES SEMICONDUCTRICES OBTENUES PAR CROISSANCE HETEROEPITAXIALE SUR DES SUBSTRATS SEMI–CONDUCTEURS, SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR COMPORTANT UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE AINSI TRAITEE ET COMPOSANT A SEMI–CONDUCTEUR CONSTITUE D'UN TEL SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR
FR2860101 PROTECTION DE LA SURFACE DU SIC PAR UNE COUCHE DE GAN
WO2005010244 PRODUIT AU CARBURE DE SILICIUM, PROCEDE D'ELABORATION, ET PROCEDE DE NETTOYAGE DE CE PRODUIT.
EP1498518 PROCEDE DE PRODUTION D'UN MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
WO2004111318 PROCEDE DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM, CRISTAL GERME DE CARBURE DE SILICIUM, ET MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM
EP1463108 Méthode de fabrication d'un substrat monocristallin de carbure de silicium comprenant une couche isolante enterrée et dispositif pour son exécution
EP1403404 CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTAL ET SON PROCEDE DE PRODUCTION
FR2844095 PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE DU TYPE SICOI COMPRENANT UNE ETAPE D'EPITAXIE
EP1386026 SUBSTRAT DE CARBURE DE SILICIUM A RESISTIVITE ELEVEE POUR DISPOSITIFS SEMICONDUCTEURS A TENSION DE CLAQUAGE ELEVEE
EP1354987 MONOCRISTAL DE CARBURE DE SILICIUM ET PROCEDE ET DISPOSITIF POUR LE PRODUIRE
WO03071588 PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE DE MONITEUR SIC
EP1324946 CARBURE DE TUNGSTENE ULTRAGROSSIER MONOCRISTALLIN, SON PROCEDE DE PRODUCTION, ET METAL DUR PRODUIT A PARTIR DE CE CARBURE DE TUNGSTENE
EP1313897 DISPOSITIF DE DEPOSITION, NOTAMMENT DE COUCHES CRISTALLINES SUR, NOTAMMENT, DES SUBSTRATS CRISTALLINS
EP1298234 Procédé de fabrication d'un substrat monocristallin
EP1288346 Procédé de préparation d'un monocristal d'un matériau composé
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