N° de brevet Brevet EP1649500 PROCEDE ET STRUCTURE DE CONTROLE DE RESISTANCE DE PHOTODETECTEURS ET DE MODULATEURS A BASE DE SIGE EP1604395 PROCEDES DE DEPOT EPITAXIAL DE SEMICONDUCTEUR ET STRUCTURES CORRESPONDANTES EP1583858 PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL EP1548807 Méthode de dépôt d'un matériau nitrure du groupe III sur un substrat de silicium et dispositif correspondant WO2005010965 PROCEDE ET STRUCTURE DE CONTROLE DE RESISTANCE DE PHOTODETECTEURS ET DE MODULATEURS A BASE DE SIGE WO2004111319 PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL WO2004084268 PROCEDES DE DEPOT EPITAXIAL DE SEMICONDUCTEUR ET STRUCTURES CORRESPONDANTES WO02090625 PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES DE GERMANIUM WO0015885 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE DE GERMANIUM MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN, ET PRODUITS OBTENUS FR2783254 PROCEDE D'OBTENTION D'UNE COUCHE DE GERMANIUM MONOCRISTALLIN SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM MONOCRISTALLIN,ET PRODUITS OBTENUS EP0535293 Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur compositionnel. EP0243805 Procédé de production de corps formés à partir de granules à base de silicium, germanium ou de cristaux mixtes de ces éléments. FR2478135 PROCEDE DE NUCLEATION ET DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DANS UNE ENCEINTE TUBULAIRE FERMEE ET PRODUITS OBTENUS

---

Copyright © 2008 Patfr.com Tous droits réservés. Contact