| N° de brevet |
Brevet |
| EP1900857 |
Procédé de fabrication d'une couche mince en nitrure de gallium monocristalline |
| WO2007133025 |
DISPOSITIF ET PROCÉDÉS DE FABRICATION DE BARRES DE SILICIUM D'UNE GRANDE PURETÉ AU MOYEN DE D'ÉLÉMENTS D'ÂME MIXTES |
| EP1841902 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C |
| EP1828444 |
FILM TOPOTACTIQUE D'OXYDE ECHANGEUR D'ANIONS ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION |
| WO2007091920 |
PROCÉDÉ DE CROISSANCE D'HÉTÉROSTRUCTURES SEMI–CONDUCTRICES BASÉES SUR NITRURE DE GALLIUM |
| FR2896337 |
PROCEDE DE REALISATION D'UNE COUCHE MONOCRISTALLINE SUR UNE COUCHE DIELECTRIQUE |
| FR2895419 |
PROCEDE DE REALISATION SIMPLIFIEE D'UNE STRUCTURE EPITAXIEE |
| FR2895562 |
PROCEDE DE RELAXATION D'UNE COUCHE MINCE CONTRAINTE |
| WO2007072984 |
PROCEDE DE FABRICATION DE SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR ET PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURE D'ELEMENT |
| FR2894989 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE ET SUBSTRAT COMPOSITE SELON LEDIT PROCEDE |
| EP1791170 |
Procédé de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'électronique ou l'optoélectronique et substrat obtenu par ce procédé |
| FR2891281 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN ELEMENT EN COUCHES MINCES. |
| EP1761945 |
FABRICATION DE MATERIAUX CRISTALLINS SUR DES SUBSTRATS |
| EP1751329 |
PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL SIC ET MONOCRISTAL SIC TIRE PAR LEDIT PROCEDE |
| EP1743961 |
SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR POUR COMPOS |
| EP1731632 |
Substrat d'un semiconducteur du type nitrure et méthode de sa production |
| EP1712662 |
SUBSTRAT POUR LA FORMATION D'UN FILM MINCE, SUBSTRAT AVEC FILM MINCE ET ELEMENT PHOTOEMETTEUR |
| EP1702357 |
SUBSTRAT A COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DETERMINE |
| EP1699951 |
PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS AUTOSUPPORTES DE NITRURES D'ELEMENTS III PAR HETERO EPITAXIE SUR UNE COUCHE SACRIFICIELLE |
| EP1697965 |
PUITS QUANTIQUES (A1, B, IN, GA)N NON POLAIRES |
| EP1690288 |
SUBSTRAT A SEMI–CONDUCTEURS CONTRAINT ET PROCEDE ASSOCIE |
| EP1687841 |
FORMATION DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS ACCORDES AU RESEAU |
| WO2006077221 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES SUBSTRATS DE GAN OU DE ALXGA1–XN ORIENTES DANS LE PLAN C |
| EP1684335 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE EPITAXIALE DE SILICIUM |
| EP1678741 |
PROCEDE DE FABRICATION ET DISPOSITIF COMPRENANT DES ELEMENTS NANOMETRIQUES ALLONGES |
| FR2879346 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE CRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT DE SILICIUM |
| EP1668173 |
PROCEDE ET INSTALLATION DE PRODUCTION POUR PRODUIRE UN COMPOSANT STRATIFIE |
| EP1664396 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UNE COUCHE DE CROISSANCE EPITAXIALE |
| WO2006057826 |
FILM TOPOTACTIQUE D'OXYDE ECHANGEUR D'ANIONS ET LEUR PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1660702 |
PROCEDE DE FORMATION DE COUCHE A CROISSANCE EPITAXIALE |
| EP1655766 |
SUBSTRAT DE CROISSANCE DE SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| EP1649500 |
PROCEDE ET STRUCTURE DE CONTROLE DE RESISTANCE DE PHOTODETECTEURS ET DE MODULATEURS A BASE DE SIGE |
| EP1649499 |
CRISTALLISATION DE SILICIUM AU MOYEN DE MONOCOUCHES AUTO–ASSEMBLEES |
| WO2006039715 |
DISPOSITIFS A SEMI–CONDUCTEURS PRESENTANT DES INTERFACES DE LIAISON ET PROCEDES DE FABRICATION DE CEUX–CI |
| EP1646077 |
ELEMENT EN NITRURE SEMI–CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1642327 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX DE GaN SUR DU SILICIUM |
| EP1636807 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES D'AMORTISSEMENT TEXTUREES DE FACON BIAXIALE ET ARTICLES, DISPOSITIFS ET SYSTEMES ASSOCIES |
| EP1633911 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM SUR UNE TRANCHE DE SILICIUM |
| EP1635383 |
Substrat pour la croissance épitaxiale d'un dispositif en composé semiconducteur, dispositif semiconducteur et méthode de fabrication |
| WO2006016739 |
PROCEDE DE FABRICATION DE COUCHE SEMI–CONDUCTRICE EN FILM MINCE CONTRAINTE |
| WO2006013344 |
FABRICATION DE CADMIUM, MERCURE, TELLURURE SUR DU SILICIUM GRAVE |
| EP1619276 |
Croissance homoépitaxiale du SiC sur des plaquettes de SiC faiblement désaxées |
| WO2006007156 |
FABRICATION DE MATERIAUX CRISTALLINS SUR DES SUBSTRATS |
| EP1608799 |
FORMATION DE COUCHES MINCES SEMI–CONDUCTRICES PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR ACTIVE PAR PLASMA DE FAIBLE ENERGIE ET DISPOSITIFS A HETEROSTRUCTURES SEMI–CONDUCTRICES |
| EP1601807 |
STRUCTURES DE DIAMANT AUTOPORTANTES ET PROCEDES |
| WO2005111277 |
PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL SIC ET MONOCRISTAL SIC TIRE PAR LEDIT PROCEDE |
| EP1591565 |
Substrat en diamant monocristallin |
| EP1583858 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| EP1581675 |
SUBSTRAT MODELE TYPE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELUI–CI |
| WO2005090650 |
SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR POUR COMPOSÉ |
| WO2005087983 |
PROCEDES DE SUBSTITUTION POUR LA FABRICATION D'HETEROSTRUCTURES ET DE SUBSTRATS FAITS DE COMPOSES AU SILICIUM ET D'ALLIAGES |
| EP1576210 |
SUBSTRAT POUR EPITAXIE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELUI–CI |
| EP1577933 |
Procédé de production d'un substrat monocristallin de GaN et substrat monocristallin de GaN ainsi produit |
| EP1569269 |
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE ET SUBSTRAT DESTINE A LA CROISSANCE EPITAXIALE |
| EP1557870 |
Substrat cristallin de nitrure du groupe III, sa méthode de fabrication et composant semi–conducteur le comprenant |
| FR2864970 |
SUBSTRAT A SUPPORT A COEFFICIENT DE DILATATION THERMIQUE DETERMINE |
| WO2005064643 |
PUITS QUANTIQUES (AL, B, IN, GA)N NON POLAIRES |
| EP1553215 |
Substrat d'un diamant–composite monocristallin et procédé de sa fabrication |
| WO2005062357 |
SUBSTRAT A SEMI–CONDUCTEURS CONTRAINT ET PROCEDE ASSOCIE |
| EP1548807 |
Méthode de dépôt d'un matériau nitrure du groupe III sur un substrat de silicium et dispositif correspondant |
| WO2005055247 |
PROCEDES DE TEXTURATION SUPERFICIELLE BIAXIALE DE COUCHES AMORPHES |
| WO2005048331 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE EPITAXIALE DE SILICIUM |
| WO2005047574 |
COUCHE HETEROEPITAXIALE ET PROCEDE POUR SA PRODUCTION |
| WO2005048330 |
FORMATION DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS ACCORDES AU RESEAU |
| WO2005043604 |
CROISSANCE ET INTEGRATION DE FILMS DE NITRURE DE GALLIUM EPITAXIAUX A L'AIDE DE DISPOSITIFS A BASE DE SILICIUM |
| WO2005038889 |
PROCEDE POUR REALISER UNE CROISSANCE EPITAXIALE DE ALINGAN SUR UN SUBSTRAT EN SILICIUM |
| EP1522612 |
CRISTAL COMPOSE III–V SEMI–CONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| EP1523033 |
CRISTAL DE NITRURE III ET SON PROCEDE DE PRODUCTION |
| WO2005032217 |
STRUCTURE A COUCHES ORGANIQUES EPITAXIALES ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT |
| WO2005031045 |
PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS AUTOSUPPORTES DE NITRURES D'ELEMENTS III PAR HETERO EPITAXIE SUR UNE COUCHE SACRIFICIELLE |
| WO2005031043 |
PROCEDE ET INSTALLATION DE PRODUCTION POUR PRODUIRE UN COMPOSANT STRATIFIE |
| FR2860248 |
PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS AUTOSUPPORTES DE NITRURES D'ELEMENTS III PAR HETERO–EPITAXIE SUR UNE COUCHE SACRIFICIELLE |
| WO2005029560 |
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE ET SUBSTRAT POUR CROISSANCE EPITAXIALE |
| WO2005027201 |
PROCEDE DE FABRICATION ET DISPOSITIF COMPRENANT DES ELEMENTS NANOMETRIQUES ALLONGES |
| WO2005022590 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES D'AMORTISSEMENT TEXTUREES DE FACON BIAXIALE ET ARTICLES, DISPOSITIFS ET SYSTEMES ASSOCIES |
| WO2005019104 |
FABRICATION CONTROLEE DE NANOTUBES ET UTILISATIONS DES NANOTUBES |
| WO2005015618 |
SUBSTRAT DE CROISSANCE DE SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| WO2005010231 |
PROCEDE CVD POUR DEPOSER AU MOINS UNE COUCHE III–V–N SUR UN SUBSTRAT |
| WO2005010964 |
CRISTALLISATION DE SILICIUM AU MOYEN DE MONOCOUCHES AUTO–ASSEMBLEES |
| WO2005010965 |
PROCEDE ET STRUCTURE DE CONTROLE DE RESISTANCE DE PHOTODETECTEURS ET DE MODULATEURS A BASE DE SIGE |
