| N° de brevet |
Brevet |
| WO2007072855 |
DISPOSITIF DE FABRICATION DE FILM MINCE A SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1790757 |
COMPENSATEUR |
| WO2006081104 |
NACELLE A TRANCHES DE SEMI–CONDUCTEUR POUR FOUR VERTICAL |
| EP1657744 |
Guide de gaufrette, équipement de MOCVD, et méthode de croissance de semi–conducteur de nitrure |
| EP1650788 |
APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE |
| EP1640481 |
porte–substrat rotative |
| EP1630261 |
Support de substrat pour un appareil de dépôt en phase vapeur |
| EP1592044 |
Appareil de rotation planétaire à gaz et procédés d'utilisation |
| EP1583858 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| WO2005093136 |
SUPPORT ET PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1570107 |
SYSTEME DE SUSCEPTEUR ET APPAREIL L'UTILISANT |
| WO2005081283 |
SYSTÈME SUPPORT DE SUBSTRAT POUR DÉPÔT RÉDUIT D'AUTODOPAGE ET ENVERS |
| WO2005068395 |
ARTICLES EN CARBURE DE SILICIUM DE PURETE ELEVEE ET PROCEDES |
| WO2005031044 |
MATERIAU INTERACTIF POUR REACTEURS EPITAXIAUX CHAUFFES PAR INDUCTION |
| WO2005013343 |
APPAREIL ET PROCEDE DE DEPOT PAR EVAPORATION SOUS VIDE |
| EP1493175 |
APPAREIL DE ROTATION PLANETAIRE A GAZ ET PROCEDES DE FORMATION DE COUCHES EN CARBURE DE SILICIUM |
| WO2004111319 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| WO2004104275 |
MISE EN ROTATION ELECTROMAGNETIQUE D'UN SUBSTRAT METALLIQUE |
| WO2004093173 |
ELEMENT SENSIBLE ET DISPOSITIF DE CROISSANCE EN PHASE VAPEUR |
| EP1459364 |
PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS A SEMI–CONDUCTEURS INTEGRES SUR UN SUBSTRAT A SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1405018 |
PORTE–ECHANTILLON A BRAS SUPPORT ARQUES |
| WO03088325 |
APPAREIL DE ROTATION PLANETAIRE A GAZ ET PROCEDES DE FORMATION DE COUCHES EN CARBURE DE SILICIUM |
| WO03049160 |
PROCEDE DE FABRICATION DE COMPOSANTS A SEMI–CONDUCTEURS INTEGRES SUR UN SUBSTRAT A SEMI–CONDUCTEUR |
| WO03046966 |
SUSCEPTEUR, DISPOSITIF DE CROISSANCE DE PHASE GAZEUSE, DISPOSITIF ET PROCEDE DE FABRICATION DE PLAQUETTE EPITAXIALE, ET PLAQUETTE EPITAXIALE |
| WO03030251 |
DISPOSITIF DE TRAITEMENT DE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE ET PROCEDE DE PRODUCTION DE TRANCHE DE SILICIUM MONOCRISTALLINE ET DE TRANCHE DE SILICIUM EPITAXIALE |
| EP1295323 |
PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION D'UNE TRANCHE DE SILICONE EPITAXIAL POURVUE D'UNE ZONE DENUDEE |
| WO03023093 |
SUSCEPTEUR A DISPOSITIFS DE CONTROLE DE LA CROISSANCE EPITAXIALE, ET REACTEUR EPITAXIAL L'UTILISANT |
| WO03014414 |
SUSCEPTEUR ROTATIF ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS |
| WO03008675 |
CHAMBRE DE TRAITEMENT DOTEE D'UN FOND AYANT DIFFERENTES SECTIONS ENTRAINEES EN ROTATION ET PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES DANS CETTE CHAMBRE DE TRAITEMENT |
| WO03007336 |
PORTE–ECHANTILLON A BRAS SUPPORT ARQUES |
| WO02103781 |
SUPPORT DE PLAQUETTE |
| WO02103761 |
SUPPORT DE SUBSTRAT DOTE D'UN MECANISME DE TRANSFERT DE CHALEUR MULTINIVEAU |
| WO02093623 |
APPAREIL ET ENSEMBLE DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT A SUPPORT |
| WO02083978 |
DISPOSITIF ET PROCEDE POUR DEPOSER EN PHASE GAZEUSE DES COUCHES NOTAMMENT CRISTALLINES SUR DES SUBSTRATS NOTAMMENT CRISTALLINS |
| EP1188722 |
Article comprenant un corps en verre de quartz ayant une résistance élevée contre la corrosion par plasma et procédé de fabrication de celui–ci |
| WO0186019 |
SUPPORT DE TRANCHE A SEMI–CONDUCTEUR SANS SUSCEPTEUR ET SYSTEME DE REACTEUR POUR CROISSANCE DE COUCHE EPITAXIALE |
| EP1138060 |
SUSCEPTEUR ROTATIF ENTRAINE PAR UN GAZ ET DESTINE A UN SYSTEME DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE |
| EP1129240 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES COUCHES SEMI–CONDUCTRICES |
| EP1107297 |
APPAREIL POUR FABRIQUER UN DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO0131700 |
PORTE–PLAQUETTE ET DISPOSITIF DE CROISSANCE EPITAXIALE |
| WO0118856 |
SUPPORT DE TRANCHE |
| WO0106043 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE COUCHE EPITAXIALE D'UNE PLAQUE SEMICONDUCTRICE SANS SUSCEPTEUR |
| WO0106031 |
SUPPORT DE PLAQUETTE A SEMI–CONDUCTEUR SANS SUSCEPTEUR ET SYSTEME DE REACTEUR POUR LA CROISSANCE DE COUCHE EPITAXIALE |
| EP1052309 |
Appareil pour la formation de films minces |
| EP1051535 |
SUPPORT DE SUBSTRAT DESTINE A L'EPITAXIE DU SiC ET PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN INSERT DESTINE A UN SUSCEPTEUR |
| EP1028176 |
Support de substrats et son procédé d'utilisation |
| WO0036635 |
SUSCEPTEUR ROTATIF ENTRAINE PAR UN GAZ ET DESTINE A UN SYSTEME DE TRAITEMENT THERMIQUE RAPIDE |
| WO0024044 |
SUPPORT DE PLAQUETTE DE SYSTEME DE FABRICATION DE SEMICONDUCTEURS |
| WO0007228 |
FOUR DE CROISSANCE EPITAXIALE |
| WO0000663 |
PROCEDE ET DISPOSITIF DE DEPLACEMENT DE PLAQUETTES DANS UN REACTEUR DE DEPOT |
| EP0956376 |
SUSCEPTEUR POUR DISPOSITIF DE CROISSANCE EPITAXIALE D'OBJETS ET CE DISPOSITIF |
| WO9950606 |
SUPPORT DE SUBSTRAT POUR CHAMBRE DE TRAITEMENT THERMIQUE |
| WO9939022 |
SUPPORT DE SUBSTRAT DESTINE A L'EPITAXIE DU SiC ET PROCEDE PERMETTANT DE FABRIQUER UN INSERT DESTINE A UN SUSCEPTEUR |
| EP0885859 |
Membre pour un équipement de semiconducteur |
| WO9851844 |
PROLONGEMENT CO–ROTATIF DE TYPE ANNEAU DE BORDURE DESTINE A UNE CHAMBRE DE TRAITEMENT DE SEMI–CONDUCTEUR |
| EP0873575 |
SYSTEME DE FABRICATION DE COUCHES MINCES OXYDIQUES |
| EP0871804 |
SUSCEPTEUR ROTATIF A ELEMENTS FERROMAGNETIQUES INTEGRES |
| WO9741276 |
DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR A BASSE TEMPERATURE, ET DISPOSITIF ET PROCEDE DE GRAVURE |
| EP0792954 |
Méthode et appareillage pour la croissance de films de semi–conducteur monocristallin |
| WO9731133 |
SUSCEPTEUR POUR DISPOSITIF DE CROISSANCE EPITAXIALE D'OBJETS ET CE DISPOSITIF |
| WO9731134 |
SUSCEPTEUR POUR DISPOSITIF DE CROISSANCE EPITAXIALE D'OBJETS ET CE DISPOSITIF |
| EP0702775 |
APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHES A COUCHE MINCE |
| EP0698674 |
Appareillage et procédé de dépôt chimique en phase vapeur, permettant d'exclure le dépôt et la contamination sur la face arrière et la périphérie des plaquettes |
| WO9605019 |
SUPPORT DESTINE A LA FABRICATION DE PLAQUETTES, ET PROCEDE DE PRODUCTION |
| WO9523427 |
APPAREIL DE TRAITEMENT THERMIQUE DE TRANCHES A COUCHE MINCE |
| EP0636706 |
Appareillage pour le dépôt chimique en phase vapeur du diamant comportant des porte–substrats en graphite. |
| EP0613173 |
Réacteur thermique pour opérations de traitement de plaquettes semi–conductrices |
| EP0497267 |
Machine de traitement de semiconducteurs et système de suspension associé. |
| EP0456372 |
Etanchéisation périmétrique d'une plaquette semi–conductrice avec exclusion par gaz. |
| EP0456426 |
Porte substrat du type à dépression. |
| EP0423327 |
APPAREIL ET PROCEDE SERVANT AU TRAITEMENT DE SUBSTRATS PLATS SOUS PRESSION REDUITE. |
| FR2650602 |
PROCEDE DE REALISATION DE CAGES POUR LE DEPOT, DANS UN REACTEUR DE DEPOT EN PHASE VAPEUR, DE COUCHES MINCES SUR DES SUBSTRATS, ET CAGES OBTENUES PAR LA MISE EN OEUVRE DE CE PROCEDE |
| FR2646861 |
APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRATS PLANS SOUS VIDE PARTIEL |
| WO9013687 |
APPAREIL ET PROCEDE SERVANT AU TRAITEMENT DE SUBSTRATS PLATS SOUS PRESSION REDUITE |
| EP0396923 |
Table élévatrice et méthode de transportation. |
| EP0378230 |
Méthode et appareillage pour la production de films minces de diamant. |
| FR2633452 |
DISPOSITIF DE SUPPORT POUR UN SUBSTRAT MINCE, NOTAMMENT EN UN MATERIAU SEMICONDUCTEUR |
| FR2628984 |
REACTEUR D'EPITAXIE A PLANETAIRE |
| EP0330708 |
Appareillage pour la formation de films minces. |
| EP0325663 |
Dispositif de formation d'une couche. |
