| N° de brevet |
Brevet |
| EP1865095 |
Procédé de croissance de cristal de nitrure de gallium |
| FR2900275 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE PORTION MONOCRISTALLINE A BASE DE SILICIUM |
| EP1820887 |
Substrat en nitrure de gallium cristallin et procédé de fabrication |
| EP1806770 |
GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| WO2007010645 |
GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| EP1697965 |
PUITS QUANTIQUES (A1, B, IN, GA)N NON POLAIRES |
| EP1687841 |
FORMATION DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS ACCORDES AU RESEAU |
| FR2878535 |
PROCEDE DE REALISATION D'UN SUBSTRAT DEMONTABLE |
| EP1625612 |
FABRICATION DE SUBSTRATS AU NITRURE DE GALLIUM PAR SURCROISSANCE LATERALE A TRAVERS DES MASQUES ET DISPOSITIFS AINSI FABRIQUES |
| EP1583858 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| WO2005074451 |
TECHNIQUE POUR PARFAIRE LES REGIONS ACTIVES DE DISPOSITIFS A NITRURE A SEMI–CONDUCTEURS A BANDE INTERDITE LARGE |
| EP1555686 |
Film mince semiconducteur en nitrure de haute qualité et méthode pour sa croissance |
| WO2005064643 |
PUITS QUANTIQUES (AL, B, IN, GA)N NON POLAIRES |
| WO2005048330 |
FORMATION DE SUBSTRATS SEMICONDUCTEURS ACCORDES AU RESEAU |
| EP1495168 |
FILMS MINCES DE NITRURE DE GALLIUM A PLAN A NON POLAIRE OBTENUS PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR METALORGANIQUE |
| EP1495169 |
REDUCTION DES DISLOCATIONS DE FILMS MINCES DE NITRURE DE GALLIUM NON POLAIRES |
| EP1495167 |
PUITS QUANTIQUE (A1,B,IN,GA)N NON POLAIRE, AINSI QUE MATIERES ET DISPOSITIFS A HETEROSTRUCTURE |
| WO2004111319 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| WO2004105108 |
FABRICATION DE SUBSTRATS AU NITRURE DE GALLIUM PAR SURCROISSANCE LATERALE A TRAVERS DES MASQUES ET DISPOSITIFS AINSI FABRIQUES |
| WO03089696 |
REDUCTION DES DISLOCATIONS DE FILMS MINCES DE NITRURE DE GALLIUM NON POLAIRES |
| EP1239062 |
Structure de crystal semiconducteur composé du groupe III–V, méthode pour sa croissance épitaxiale et dispositif semiconducteur incluant ladite structure |
| WO0217369 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE DU GROUPE III, PROCEDE DE FABRICATION D'UN SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DE GALLIUM, SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DE GALLIUM, DISPOSITIF ELECTROLUMINESCENT A SEMI–CONDUCTEUR A BASE DE NITRURE DE GALLIUM, ET SOURCE LUMINEUSE UTILISANT CE DISPOSITIF ELECTRO |
| EP1059661 |
Couche semi–conductrice epitaxiale sans fissures produite par croissance laterale |
| EP0838865 |
Fils quantiques formés sur un substrat, méthode de fabrication et dispositif contenant des fils quantiques sur un substrat |
| EP0600276 |
Procédé de production d'une zone monocristalline limitée latéralement par épitaxie sélective et son utilisation pour produire un transistor bipolaire ainsi qu'un transistor MOS. |
| EP0573943 |
Procédé de fabrication de cristaux unitaires grands. |
| EP0528592 |
Procédé pour le dépôt sélectif de diamant par CVD. |
| EP0523639 |
Procédé de configuration un film précurseur métallo–organique et produits de film. |
| EP0493002 |
Procédé de formation d'un film déposé. |
| FR2646860 |
PROCEDE POUR LA FORMATION D'UNE STRUCTURE SOI |
| EP0209523 |
CULTURE DE COUCHES EPITHELIALES A RESEAUX ECHELONNES. |
| EP0194495 |
Méthode de fabrication de feuilles en matériau cristallin. |
| EP0193830 |
Dispositif à cellules solaires comportant plusieurs cellules solaires constitutives. |
| EP0192280 |
Méthode de fabrication de feuilles en matériau cristallin |
| EP0191504 |
Méthode de fabrication de feuilles en matériau cristallin |
| EP0191505 |
Méthode de fabrication de feuilles en matériau cristallin |
| EP0113954 |
Substrat pour la fabrication d'une couche mince monocristalline. |
| FR2522695 |
PROCEDE POUR TIRER DU SILICIUM MONOCRISTALLIN SUR UNE COUCHE FORMANT MASQUE |
| EP0057587 |
Méthode de dépÔt de semiconducteurs. |
| FR2366871 |
PROCEDE POUR LA FORMATION D'UNE COUCHE EPITAXIALE DE MATIERE SUR UNE SURFACE D'UN SUBSTRAT |
