| N° de brevet |
Brevet |
| WO2008023774 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UN SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE ET DISPOSITIF À SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE |
| EP1887617 |
Procédé de dépôt sur des substrats mixtes à l'aide de trisilane |
| EP1884580 |
Procédé d'agrandissement de cristal de nitrure de gallium |
| WO2008011022 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE SUBSTRATS À DURÉE DE VIE DE PORTEURS AMÉLIORÉE |
| WO2008009805 |
PROCEDE POUR LA CROISSANCE DE NITRURE D' INDIUM |
| WO2008004657 |
FILM MINCE D'OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI–CI |
| EP1871928 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| EP1873280 |
Substrat de monocristal de nitrure de galium de type N dopé à l'oxygène et procédé pour sa production |
| EP1867760 |
Procédé de fabrication d'un substrat monocristallin de diamant et le substrat ainsi obtenu |
| WO2007143743 |
SYSTÈME D'ADMINISTRATION EN GRAND VOLUME DE TRICHLORURE DE GALLIUM |
| WO2007131343 |
processus de dopage basse tempÉrature pour dispositifs À galette de silicium |
| WO2007125914 |
PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAL DE NITRURE DE GALLIUM ET GALETTE DE NITRURE DE GALLIUM |
| EP1846596 |
PROCEDES DE PREPARATION DE MATERIAUX CONTENANT DU SI CRISTALLIN SUBSTITUTIONNELLEMENT DOPE AU CARBONE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR |
| EP1846595 |
DEPOT SELECTIF DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM |
| EP1842940 |
Procédé de préparation d'un matériau du type III–nitrure sur un substrat en silicium |
| EP1842941 |
Procédé de formation d'un matériau de nitrure de groupe III sur un substrat en silicone |
| EP1840979 |
Couche semi–conductrice, procédé de formation correspondant et dispositif semi–conducteur électroluminescent |
| EP1840249 |
Film de carbure de silicium et son procédé de fabrication |
| EP1818429 |
Substrat monocristallin de GaN |
| EP1815042 |
SURFACES RECOUVERTES DE DIAMANT |
| EP1803840 |
procédé pour la croissance de monocristaux de carbure de silicium |
| WO2007071771 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE ET SUBSTRAT COMPOSITE OBTENU PAR CE PROCEDE |
| FR2894989 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN SUBSTRAT COMPOSITE ET SUBSTRAT COMPOSITE SELON LEDIT PROCEDE |
| WO2007068756 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE GAN PRESENTANT DE FAIBLES DENSITES DE DISLOCATIONS |
| EP1791170 |
Procédé de fabrication d'un substrat notamment pour l'optique, l'électronique ou l'optoélectronique et substrat obtenu par ce procédé |
| EP1788126 |
Procédé pour la production des films épais en nitrure de gallium |
| EP1782457 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN CRISTAL D'UN SEMICONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| EP1783250 |
Matérial semiconducteur, procédé pour sa production et dispositif semiconducteur |
| EP1779411 |
TECHNIQUE DE DÉPOSITION POUR LA PRODUCTION DE MATÉRIAU SEMICONDUCTEUS COMPOSITES DE HAUTE QUALITÉ |
| EP1778897 |
MATÉRIAUX DE NITRURE III ENGLOBANT DE FAIBLES DENSITÉS DE DISLOCATION ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS AUXDITS MATÉRIAUX |
| EP1777325 |
Plaquette monocristalline de semiconducteur du type plan A–nitrure et munie d'un méplat d'orientation |
| EP1774056 |
PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES CONTENANT DU SILICIUM ET DU GERMANIUM |
| EP1751329 |
PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL SIC ET MONOCRISTAL SIC TIRE PAR LEDIT PROCEDE |
| EP1752565 |
Appareil de mesure des caractéristiques physiques du semi–conducteur |
| EP1752566 |
FILM DE DIAMANT NANOCRISTALLIN; PROCÉDÉ DE FABRICATION ET APPAREIL USANT LE FILM DE DIAMANT NAONCRISTALLIN |
| WO2007006525 |
PROCEDE ET REACTEUR DE CROISSANCE DE CRISTAUX |
| WO2007009037 |
STRUCTURES A BASE DE DIAMANT |
| EP1724378 |
Substrat épitaxial, élément semiconducteur, procédé pour la fabrication d'un substrat épitaxial et procédé pour la distribution irrégulière des dislocations dans un cristal du type groupe III–nitrure |
| WO2006119927 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES III–N, COUCHES III–N OU SUBSTRATS III–N ET DISPOSITIFS ASSOCIES |
| EP1721031 |
REDUCTION DES DEFAUTS DE CAROTTE DANS L'EPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM |
| EP1707654 |
Procédé de fabrication d'un substrat monocristallin de diamant et le substrat ainsi obtenu |
| EP1708254 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF A FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1699951 |
PROCEDE DE REALISATION DE SUBSTRATS AUTOSUPPORTES DE NITRURES D'ELEMENTS III PAR HETERO EPITAXIE SUR UNE COUCHE SACRIFICIELLE |
| EP1697965 |
PUITS QUANTIQUES (A1, B, IN, GA)N NON POLAIRES |
| WO2006083909 |
PROCEDES DE PREPARATION DE MATERIAUX CONTENANT DU SI CRISTALLIN SUBSTITUTIONNELLEMENT DOPE AU CARBONE PAR DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR |
| EP1682701 |
SUBSTRAT GAN DE FAIBLE DENSITE DE DISLOCATION UNIFORME, A LARGE ZONE ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| EP1684335 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE EPITAXIALE DE SILICIUM |
| EP1678741 |
PROCEDE DE FABRICATION ET DISPOSITIF COMPRENANT DES ELEMENTS NANOMETRIQUES ALLONGES |
| EP1668668 |
DEPOT DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM, A PARTIR D'HEXACHLORODISILANE |
| EP1665339 |
CROISSANCE DE CRISTAL DE PURETE ELEVEE |
| EP1662023 |
PROCEDE DE REVETEMENT POUR ELECTRODE DE DIAMANT |
| EP1654754 |
DISPOSITIF D'ALIMENTATION, EN PARTICULIER POUR UN REACTEUR DE DEPOT CHIMIQUE EN PHASE VAPEUR UTILISE POUR LA CROISSANCE D'UNE COUCHE EPITAXIALE |
| EP1649499 |
CRISTALLISATION DE SILICIUM AU MOYEN DE MONOCOUCHES AUTO–ASSEMBLEES |
| EP1645656 |
Composés organométalliques utilisables dans des procédés de dépôt en phase vapeur |
| EP1642327 |
PROCEDE DE CROISSANCE DE MONOCRISTAUX DE GaN SUR DU SILICIUM |
| EP1633911 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE CARBURE DE SILICIUM SUR UNE TRANCHE DE SILICIUM |
| WO2006025593 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN CRISTAL D'UN SEMICONDUCTEUR A BASE DE NITRURE |
| EP1632590 |
Couche de diamant monocristallin épaisse, procédé de fabrication, et pierres précieuses produites à partir de cette couche |
| EP1625612 |
FABRICATION DE SUBSTRATS AU NITRURE DE GALLIUM PAR SURCROISSANCE LATERALE A TRAVERS DES MASQUES ET DISPOSITIFS AINSI FABRIQUES |
| WO2006014472 |
MATÉRIAUX DE NITRURE III ENGLOBANT DE FAIBLES DENSITÉS DE DISLOCATION ET PROCÉDÉS ASSOCIÉS AUXDITS MATÉRIAUX |
| WO2006013344 |
FABRICATION DE CADMIUM, MERCURE, TELLURURE SUR DU SILICIUM GRAVE |
| EP1624095 |
Substrat monocristallin d'un nitrure semiconducteur et procédé de sa fabrication |
| EP1620583 |
SUSBTRAT A SEMICONDUCTEUR, DISPOSITIF A SEMICONDUCTEUR, LED, ET PROCEDE DE REALISATION |
| WO2006005637 |
PROCEDE DE DEPOT DE COUCHES CONTENANT DU SILICIUM ET DU GERMANIUM |
| EP1607498 |
PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UN FILM COUCHE D'OXYDE, FILM COUCHE D'OXYDE ET STRUCTURE FILM |
| EP1604395 |
PROCEDES DE DEPOT EPITAXIAL DE SEMICONDUCTEUR ET STRUCTURES CORRESPONDANTES |
| WO2005112078 |
PROCEDE DE TIRAGE DE MATIERE DE COUCHE DE NITRURE A BASE DE GAN |
| WO2005111277 |
PROCEDE DE TIRAGE DE MONOCRISTAL SIC ET MONOCRISTAL SIC TIRE PAR LEDIT PROCEDE |
| WO2005098097 |
FABRICATION DE TELLURURE DE CADMIUM ET DE MERCURE |
| WO2005093137 |
REDUCTION DES DEFAUTS DE CAROTTE DANS L'EPITAXIE AU CARBURE DE SILICIUM |
| EP1581675 |
SUBSTRAT MODELE TYPE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELUI–CI |
| WO2005088688 |
APPAREIL DE TRAITEMENT DE SUBSTRAT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN DISPOSITIF SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1577933 |
Procédé de production d'un substrat monocristallin de GaN et substrat monocristallin de GaN ainsi produit |
| EP1576210 |
SUBSTRAT POUR EPITAXIE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELUI–CI |
| EP1569269 |
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE ET SUBSTRAT DESTINE A LA CROISSANCE EPITAXIALE |
| WO2005078780 |
MÉTHODE DE DÉPOSITION EN PHASE VAPEUR |
| EP1565598 |
DIAMANT DE QUALITE OPTIQUE |
| EP1564795 |
Procédé de croissance de semiconducteurs composés et procédé de fabrication de dispositifs à semiconducteur composé |
| FR2865739 |
PROCEDE D'OBTENTION DE NANOTUBES DE CARBONE SUR DES SUPPORTS ET COMPOSITES LES RENFERMANT |
| WO2005069356 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN ET DISPOSITIF A FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
