| N° de brevet |
Brevet |
| WO2008004657 |
FILM MINCE D'OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI–CI |
| EP1872383 |
SYSTEME ET PROCEDE DESTINES A UNE EPITAXIE EN PHASE VAPEUR AMELIOREE EN PLASMA DE FAIBLE ENERGIE |
| WO2007148802 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION DE CRISTAL SEMICONDUCTEUR D'OXYDE DE ZINC |
| WO2007119433 |
COUCHE DE NITRURE DE GROUPE III–V ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION |
| WO2007018216 |
CRISTAL DE ZnO, PROCÉDÉ DE CROISSANCE DU CRISTAL, ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN ÉLÉMENT ÉMETTEUR DE LUMIÈRE |
| WO2006038567 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM DE Ga2O3 DE TYPE P ET PROCÉDÉ DE FABRICATION DE FILM DE Ga2O3 DE TYPE JONCTION PN |
| WO2006030884 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHE MINCE |
| WO2006013826 |
NANOPLAQUES DE COMPOSÉ À COUCHES DE Bi, MATRICE DE CELLES–CI, PROCÉDÉ DE FABRICATION DE CELLES–CI ET APPAREIL UTILISANT CELLES–CI |
| WO2005078780 |
MÉTHODE DE DÉPOSITION EN PHASE VAPEUR |
| EP1532288 |
SYSTEME ET PROCEDES DE DEPOT PAR FAISCEAU HYBRIDE POUR FABRICATION DE COUCHES MINCES DE ZNO ET D'OXYDE DE METAL, DE COUCHES MINCES DE ZNO DE TYPE P, ET DE DISPOSITIFS SEMI–CONDUCTEURS DE COMPOSES II–VI A BASE DE ZNO |
| EP1436448 |
CROISSANCE EPITAXIALE A FAIBLE TEMPERATURE DE SEMI–CONDUCTEURS QUATERNAIRES A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE |
| WO2004020686 |
SYSTEME ET PROCEDES DE DEPOT PAR FAISCEAU HYBRIDE POUR FABRICATION DE COUCHES MINCES DE ZNO ET D'OXYDE DE METAL, DE COUCHES MINCES DE ZNO DE TYPE P, ET DE DISPOSITIFS SEMI–CONDUCTEURS DE COMPOSES II–VI A BASE DE ZNO |
| WO03033781 |
CROISSANCE EPITAXIALE A FAIBLE TEMPERATURE DE SEMI–CONDUCTEURS QUATERNAIRES A GRANDE LARGEUR DE BANDE INTERDITE |
| EP1127961 |
Recipient double en nitrure de bore et mé thode poiur sa fabrication |
| EP1077764 |
PROCEDE DE PREPARATION DE BIBLIOTHEQUES AU MOYEN D'UN APPAREIL D'EPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES COMBINATOIRE (COMBE) |
| WO0048725 |
PROCEDE DE PREPARATION DE BIBLIOTHEQUES AU MOYEN D'UN APPAREIL D'EPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES COMBINATOIRE (COMBE) |
| EP0922014 |
CREUSET MONOCOQUE ET SOURCE D'EFFUSION DANS LAQUELLE LEDIT CREUSET EST UTILISE |
| WO9925907 |
PROCEDE PERMETTANT DE FORMER UNE COUCHE TAMPON PAR EPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES |
| EP0851042 |
Creuset en nitrure de bore pyrolytique pour utilisation dans des procédés d'épitaxie par faiseaux moléculaires |
| WO9808780 |
CREUSET MONOCOQUE ET SOURCE D'EFFUSION DANS LAQUELLE LEDIT CREUSET EST UTILISE |
| EP0826131 |
CREUSET MONOBLOC |
| EP0770713 |
Appareillage pour fabriquer un dispositif semi–conducteur utilisant une source de matériau à l'état solide |
| EP0770700 |
Procédé de fabrication d'une couche mince d'oxyde |
| WO9635091 |
CREUSET MONOBLOC |
| EP0712818 |
Article pour l'utilisation sous vide poussée à température élevée |
| EP0710992 |
Couche en oxyde de métal supra–conducteur et procédé de fabrication |
| EP0675550 |
Couche d'oxyde transparente à la lumière, conductrice d'électricité, et ses procédés de fabrication. |
| WO9516061 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN FILM EPITAXIAL SUR UNE SURFACE D'UN OXYDE ET PRODUIT |
| EP0655514 |
Dispositif pour déposer des couches minces et procédé pour fabriquer des multicouches incluant des couches minces en oxyde supraconducteur. |
| EP0652301 |
Procédé pour la production de revêtements diamantins et articles revêtus ainsi fabriqués. |
| EP0643426 |
Méthode de fabrication d'une composition d'alliage semi–conducteur précise à partir de variables d'entrées sous conditions d'incorporation non linéaires. |
| EP0637059 |
Croissance directe MOMBE et MOVPE de matériaux II–VI sur du silicone. |
| EP0627989 |
FILMS SUPRACONDUCTEURS HAUTE TEMPERATURE A AXE A PRESENTANT UN ALIGNEMENT PREFERENTIEL DANS LE PLAN. |
| EP0590560 |
Couche mince supraconductrice et procédé pour sa fabrication. |
| EP0584562 |
Procédé de dépot de couche mince en oxyde supraconducteur et dispositif de fabrication. |
| EP0573707 |
Appareillage pour l'épitaxie par des faisceaux moléculaires avec sources à gaz. |
| EP0567159 |
Méthode pour la fabrication d'un film mince supraconducteur en oxyde. |
| EP0544437 |
Méthode de dépôt sélectif de couches contenant de l'aluminium. |
| EP0535293 |
Procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur compositionnel. |
| EP0531354 |
PROCEDE DE MESURE DE L'EPAISSEUR ET DE L'INDICE DE REFRACTION D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF POUR L'EXECUTION DE CE PROCEDE. |
| EP0532104 |
Couches épitaxiales de composé semi–conducteur II–VI comportant peu de défauts; méthode de fabrication et dispositifs comportant ces couches. |
| WO9222426 |
FILMS SUPRACONDUCTEURS HAUTE TEMPERATURE A AXE A PRESENTANT UN ALIGNEMENT PREFERENTIEL DANS LE PLAN |
| WO9216966 |
PROCEDE DE PREPARATION ET DE DOPAGE DE COUCHES MINCES DE NITRURE DE GALLIUM MONOCRISTALLIN TRES ISOLANT |
| EP0472159 |
Couche supraconductrice alignée et procédé quasi–épitaxial pour la faire croître. |
| EP0472316 |
Assemblage de plaque à multi canaux pour l'épitaxie de gas par des faisceaux moléculaires. |
| EP0462600 |
Procédé pour la fabrication d'une couche mince supraconductrice. |
| WO9119025 |
PROCEDE DE MESURE DE L'EPAISSEUR ET DE L'INDICE DE REFRACTION D'UNE COUCHE MINCE SUR UN SUBSTRAT ET DISPOSITIF POUR L'EXECUTION DE CE PROCEDE |
| WO9119026 |
CROISSANCE DE FILMS MINCES DE PEROVSKITE ORIENTEE SUR UN AXE A, B |
| EP0460598 |
Composés organiques pour l'utilisation dans le domaine de l'électronique. |
| EP0451782 |
Méthode pour la préparation d'un film supraconducteur en oxyde. |
| EP0451641 |
Procédé pour la fabrication d'un film mince d'un oxyde supraconducteur à haute température par épitaxie à faisceau moléculaire. |
| EP0451502 |
Epitaxie métal–métal sur substrats. |
| EP0444698 |
Procédé et dispositif pour la fabrication de couches minces d'oxyde supraconducteur. |
| WO9109994 |
PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE DE MATERIAU |
| WO9109995 |
PROCEDE POUR LE DEPOT DE COUCHES MINCES SUR DES SOLIDES |
| WO9109161 |
PROCEDE DE FORMATION DE PELLICULES EPITAXIALES |
| EP0432820 |
Depôt par laser de films cristallins de nitrure de bore. |
| WO9008210 |
PROCEDE ET APPAREIL D'EPITAXIE PAR FAISCEAU MOLECULAIRE A L'AIDE DE PLASMA/RAYONNEMENT |
| EP0363554 |
Procédé et appareil de fabrication de couches épitaxiales et/ou fortement texturées pauvres en phases étrangères de supraconducteurs d'oxyde à haute température sur des substrats. |
| EP0352472 |
Hétéroépitaxie de matériaux semiconducteurs à résaux inégaux. |
| EP0348085 |
Appareil de dépôt sous vide. |
| EP0344352 |
Méthode de fabrication des supraconducteurs artificiels à température critique élevée et structure en couches. |
| EP0334682 |
Transistor à hétérostructure comprenant une couche de germanium sur de l'arséniure de gallium et méthode pour sa fabrication utilisant une croissance épitaxiale par jet moléculaire. |
| EP0328202 |
Procédé pour la fabrication d'une structure à îlots quantiques. |
| EP0325275 |
Laser à semi–conducteur pour l'émission de lumière avec des couches cristallines à (AlxGa1–x)0.5In0.5P et procédé pour la croissance d'un cristal à (AlxGa1–x)0,5In0.5P. |
| EP0321909 |
Procédé et appareillage pour l'épitaxie par couches monoatomiques. |
| FR2621171 |
PROCEDE PERMETTANT DE FAIRE CROITRE DES FILMS DE GAAS SUR DES SUBSTRATS DE SI OU DE GAAS |
| EP0298080 |
PROCEDE ET APPAREIL DE SURVEILLANCE DE LA CROISSANCE DE COUCHES SUPERFICIELLES. |
| EP0286274 |
Source de réactifs pour épitaxie par jet moléculaire. |
| EP0252536 |
Méthode de fabrication d'une microbande optique pour des éléments optiques non–réciproques. |
| EP0206603 |
Méthode de croissance de cristaux |
| EP0170800 |
Assemblage de chauffage dans un four pour épitaxie par jet moléculaire |
| FR2562099 |
CELLULE D'EVAPORATION D'UN COMPOSE LIQUIDE ADAPTEE A L'EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES |
| EP0143792 |
PROCEDE DE FORMATION D'UN FLUX D'ATOMES ET SON UTILISATION DANS UN PROCEDE ET UN DISPOSITIF D'EPITAXIE PAR JETS ATOMIQUES (E.J.A.). |
| EP0132323 |
Pellicules de semi–conducteur par pulvérisation ionique à base de phosphore à chaîne. |
| EP0127838 |
Sources de silicium pour dépôt épitaxial par faisceau moléculaire |
| EP0077405 |
PROCEDE ET DISPOSITIF PERMETTANT DE FABRIQUER UN PRODUIT EN UTILISANT UNE TECHNIQUE HOLOGRAPHIQUE |
| FR2449021 |
ENSEMBLE D'INSONORISATION PERFECTIONNE POUR VEHICULES A CHENILLES |
| FR2441582 |
PROCEDE POUR PREPARER DES CIBLES DE VAPORISATION CATHODIQUE DE GRANDES DIMENSIONS ET DE COMPOSITION HOMOGENE EN TELLURURE DE MERCURE ET DE CADMIUM |
| FR2395326 |
PROCEDE POUR LA FABRICATION DE COUCHES METALLIQUES EN GROS CRISTAUX OU MONOCRISTALLINES |
