| N° de brevet |
Brevet |
| EP1883719 |
SUBSTRAT III–N CUBIQUE AUTONOME EN VRAC ET PROCEDE DE FORMATION |
| WO2008004657 |
FILM MINCE D'OXYDE DE ZINC DE TYPE p ET PROCÉDÉ DE FORMATION DE CELUI–CI |
| EP1873280 |
Substrat de monocristal de nitrure de galium de type N dopé à l'oxygène et procédé pour sa production |
| EP1805353 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES CRISTAUX DE GAN OU D'ALGAN |
| EP1803840 |
procédé pour la croissance de monocristaux de carbure de silicium |
| WO2007020092 |
PROCÉDÉ DE PRODUCTION D'UNE COUCHE ÉPITAXIALE DE CARBURE DE SILICIUM |
| EP1736571 |
Méthode de croissance de couches cristallines |
| WO2006120401 |
SUBSTRAT III–N CUBIQUE AUTONOME EN VRAC ET PROCEDE DE FORMATION |
| WO2006082467 |
SUBSTRAT DESTINE A LA CRISTALLOGENESE D'UN SEMI–CONDUCTEUR DE NITRURE |
| WO2006040359 |
PROCEDE POUR PRODUIRE DES CRISTAUX DE GAN OU D'ALGAN |
| EP1640482 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE DE DIAMANT MICROCRISTALLIN EXTREMEMENT PLAT AU MOYEN D'UN PROCEDE D'ABLATION LASER |
| EP1634321 |
SUBLIMATION A PHASE CONTROLEE |
| WO2006013344 |
FABRICATION DE CADMIUM, MERCURE, TELLURURE SUR DU SILICIUM GRAVE |
| WO2005103342 |
PROCEDE POUR DEPOSER UNE COUCHE CONSTITUEE D'UN ALLIAGE A MEMOIRE DE FORME |
| WO2005098097 |
FABRICATION DE TELLURURE DE CADMIUM ET DE MERCURE |
| EP1583858 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| EP1573081 |
STOECHIOMETRIE DE FILM DE SELENIURE D'ARGENT ET COMMANDE MORPHOLOGIQUE DANS LA PULVERISATION CATHODIQUE |
| WO2005078788 |
FILM MINCE À SIMPLE CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR DE GROUPE I–VII ET PROCESSUS DE PRODUCTION DE CELUI–CI |
| WO2005078780 |
MÉTHODE DE DÉPOSITION EN PHASE VAPEUR |
| WO2005056869 |
PROCEDE DE FABRICATION DE REVETEMENTS EN DIAMANT |
| WO2005050722 |
CONCEPTION ET FABRICATION DE DISPOSITIFS A SEMI–CONDUCTEURS DE LA FAMILLE 6.1– ANGSTROM AU MOYEN D'UN SUBSTRAT D'ALSB SEMI–ISOLANT |
| WO2005047574 |
COUCHE HETEROEPITAXIALE ET PROCEDE POUR SA PRODUCTION |
| EP1532288 |
SYSTEME ET PROCEDES DE DEPOT PAR FAISCEAU HYBRIDE POUR FABRICATION DE COUCHES MINCES DE ZNO ET D'OXYDE DE METAL, DE COUCHES MINCES DE ZNO DE TYPE P, ET DE DISPOSITIFS SEMI–CONDUCTEURS DE COMPOSES II–VI A BASE DE ZNO |
| WO2005043604 |
CROISSANCE ET INTEGRATION DE FILMS DE NITRURE DE GALLIUM EPITAXIAUX A L'AIDE DE DISPOSITIFS A BASE DE SILICIUM |
| WO2005032217 |
STRUCTURE A COUCHES ORGANIQUES EPITAXIALES ET PROCEDE DE FABRICATION CORRESPONDANT |
| EP1511884 |
FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN |
| WO2005006421 |
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE |
| EP1492908 |
INFLUENCE DE LA GEOMETRIE DES SURFACES SUR DES PROPRIETES METALLIQUES |
| WO2004111319 |
PROCEDE DE FABRICATION DE NANOTUBES AVEC MODELE SACRIFICIEL |
| EP1489654 |
FILM MINCE LUCUO MONOCRISTALLIN (S, SE, TE), SON PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF OPTIQUE OU DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1485523 |
BANDE DE METAL POUR REVETEMENTS EPITAXIAUX ET PROCEDE PERMETTANT DE LA PRODUIRE |
| WO2004106595 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN FILM MINCE DE DIAMANT MICROCRISTALLIN EXTREMEMENT PLAT AU MOYEN D'UN PROCEDE D'ABLATION LASER |
| WO2004100221 |
SUBLIMATION A PHASE CONTROLEE |
| EP1466998 |
Cellule d'effusion avec contrôle de température amélioré du creuset |
| WO2004075249 |
STRUCTURE DE TAMPON POUR LA MODIFICATION D'UN SUBSTRAT DE SILICIUM |
| WO2004067797 |
ENSEMBLE CONSTITUE D'UNE COUCHE D'OXYDE DE ZINC SUR UN SUBSTRAT, PROCEDE DE PRODUCTION ET UTILISATION DUDIT ENSEMBLE |
| WO2004068568 |
STRUCTURE, NOTAMMENT STRUCTURE SEMICONDUCTRICE, ET PROCEDE POUR PRODUIRE UNE TELLE STRUCTURE |
| WO2004053965 |
SUBSTRATS AUTONOMES PRODUITS PAR PERTE DE COHESION ET NOUVELLE CROISSANCE INDUITES PAR LASER |
| WO2004051718 |
SEMI–CONDUCTEUR COMPOSE D'ELEMENTS DES GROUPES 3–5 ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO2004051719 |
CROISSANCE PAR EPITAXIE PAR FAISCEAUX MOLECULAIRES DE MATERIAUX SEMI–CONDUCTEURS A BASE DE NITRURE DE TYPE P |
| WO2004040047 |
FILM MINCE A BASE CRISTALLINE UNIQUE |
| EP1415012 |
PROCEDE ET APPAREIL DESTINES A PRODUIRE DES COUCHES TAMPONS DE FILM FIN CRISTALLINE ET UNE STRUCTURE POSSEDANT UNE TEXTURE BIAXIALE |
| WO2004022819 |
SOURCES D'AZOTE POUR EPITAXIE PAR JETS MOLECULAIRES |
| WO2004020686 |
SYSTEME ET PROCEDES DE DEPOT PAR FAISCEAU HYBRIDE POUR FABRICATION DE COUCHES MINCES DE ZNO ET D'OXYDE DE METAL, DE COUCHES MINCES DE ZNO DE TYPE P, ET DE DISPOSITIFS SEMI–CONDUCTEURS DE COMPOSES II–VI A BASE DE ZNO |
| FR2839730 |
FORMATION DE CARBURE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN |
| WO03082566 |
COUCHES TAMPONS SUR DES SUBSTRATS EN ALLIAGE METALLIQUE POUR DES BANDES SUPRACONDUCTRICES |
| WO03078701 |
PROCEDE MBE DE PRODUCTION D'UN FILM FERROMAGNETIQUE AU NITRURE DE GALLIUM MANGANESE |
| WO03071595 |
FILM MINCE LUCUO MONOCRISTALLIN (S, SE, TE), SON PROCEDE DE FABRICATION, ET DISPOSITIF OPTIQUE OU DISPOSITIF ELECTRONIQUE UTILISANT UN FILM MINCE MONOCRISTALLIN |
| EP1330561 |
SEPARATEUR DE PHASES INTEGRE POUR SYSTEME A ULTRAVIDE |
| WO03060203 |
BANDE DE METAL POUR REVETEMENTS EPITAXIAUX ET PROCEDE PERMETTANT DE LA PRODUIRE |
| WO03054929 |
PROCEDE DE DEPOSITION DE COUCHES DE SEMI–CONDUCTEURS III–V SUR UN SUBSTRAT NON III–V |
| EP1318208 |
Méthode de dépôt d'un film mince d'alliage Heusler par co–pulvérisation |
| WO03045836 |
REDUCTION DE LA CONTRAINTE DIFFERENTIELLE DANS DES FILMS MINCES |
| WO03046247 |
PROCEDE DE SYNTHESE D'UN COMPOSE DE FORMULE Mn+1AXn, FILM DU COMPOSE ET UTILISATION DE CELUI–CI |
| EP1314800 |
PROCEDE DE PREPARATION D'UNE COUCHE MINCE D'OXYDE A CRISTAL UNIQUE |
| EP1314793 |
FILM MAGNETIQUE DE DIOXYDE DE TITANE ET DE COBALT ET SON PROCEDE DE FABRICATION |
| WO03009354 |
STRUCTURE SEMI–CONDUCTRICE COMPORTANT UNE COUCHE SEMI–CONDUCTRICE COMPOSEE MONOCRISTALLINE |
| WO03005425 |
FORMATION DE COUCHES SEMI–CONDUCTRICES PAR IRRADIATION LASER |
| EP1268883 |
FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE GRANDE DIMENSION, A PARTIR DE GERMES CRISTALLINS, PAR INTERCROISSANCE DE CES GERMES DISPOSES EN MOSAIQUE |
| EP1270768 |
PROCEDE DE CROISSANCE EPITAXIALE DE NITRURE D'ALUMINIUM ET CHAMBRE DE CROISSANCE PREVUE A CET EFFET |
| WO02103090 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UNE COUCHE SEMICONDUCTRICE |
| EP1266958 |
Substrat d'une biopuce pour l'incorporation de l'ADN ou protéines et méthode de sa fabrication |
| WO02099168 |
SUBSTRAT METALLIQUE A TEXTURE BIAXIALE AVEC COUCHE DE PALLADIUM |
| WO02097174 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE PLAQUETTE DOLLAR G(A)–SIC |
| WO02095084 |
PROCEDE ET APPAREIL DESTINES A PRODUIRE DES COUCHES TAMPONS DE FILM FIN CRISTALLINE ET UNE STRUCTURE POSSEDANT UNE TEXTURE BIAXIALE |
| WO02093618 |
STRUCTURE A SEMI–CONDUCTEURS COMPRENANT UN DIELECTRIQUE CRISTALLIN A CONSTANTE ELEVEE ET A FAIBLE FUITE |
| WO02090625 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE COUCHES DE GERMANIUM |
| WO02089188 |
STRUCTURES SEMI–CONDUCTRICES UTILISANT DES COUCHES D'OXYDE METALLIQUE BINAIRE |
| WO02082513 |
STRUCTURES ET DISPOSITIFS A SEMI–CONDUCTEUR UTILISANT UN GABARIT STABLE |
| EP1249522 |
Procédé pour le dopage par l'oxygène d'un substrat monocristallin de nitrure de gallium |
| EP1243674 |
MONOCRISTAL SIC ET SON PROCEDE DE TIRAGE |
| WO02070793 |
COMPOSE FERROMAGNETIQUE MONOCRISTALLIN SUR LA BASE DU GROUPE II–VI OU DU GROUPE III–V ET PROCEDE POUR ADAPTER SES CARACTERISTIQUES FERROMAGNETIQUES |
| EP1233085 |
MONOCRISTAL EN SiC ET SON PROCEDE DE CROISSANCE |
| WO02061185 |
ORIENTATION BIAXIALE DE FAISCEAU PARTICULAIRE DE SUBSTRAT POUR CROISSANCE CRISTALLINE EPITAXIALE |
| WO0248434 |
MATERIAUX A BASE DE NITRURE DE GALLIUM ET PROCEDES ASSOCIES |
| EP1215730 |
TRANCHE DE SiC, DISPOSITIF A SEMI–CONDUCTEUR DE SiC ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UNE TRANCHE DE SiC |
| EP1214190 |
COUCHES EPITAXIALES DE CARBURE DE SILICIUM SUR DES SUBSTRATS TRON ONNEES VERS 1100 |
| WO0247127 |
DISPOSITIF PYROELECTRIQUE PLACE SUR UN SUBSTRAT SEMI–CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN |
| WO0244444 |
PROCEDE ET APPAREIL DE PRODUCTION DE COLONNES MN ET CROISSANCE DE MATERIAUX MN SUR CELLES–CI |
| EP1198847 |
PROCEDES ET COMPOSITIONS DESTINEES A FABRIQUER UN ARTICLE MULTICOUCHE |
