N° de brevet Brevet
EP1862571 Appareil de controle de la surface d'un bain de fusion dans un procédé de croissance de silicium monocristallin
WO2007122833 PROCÉDÉ DE MESURE DE LA DISTANCE ENTRE UN RÉFLECTEUR DE RÉFÉRENCE ET UNE SURFACE FONDUE, PROCÉDÉ DE CONTRÔLE DE LA POSITION DE LA SURFACE FONDUE EN UTILISANT CELUI–CI ET APPAREIL DE PRODUCTION DE CRISTAUX SIMPLES DE SILICIUM
WO2007097071 PROCEDE DE MESURE DE POSITION
FR2843131 MONOCRISTAL DE SILICATE D'ELEMENT DES TERRES RARES ET SCINTILLATEUR LE CONTENANT
WO03095717 PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DESTINES A UN MONOCRISTAL
EP1279752 PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DU NIVEAU DE BAIN DE FUSION
EP1252375 PROCEDE PERMETTANT DE REGLER LA CROISSANCE D'UN CRISTAL DE SILICIUM DE MANIERE A REDUIRE LA VITESSE DE CROISSANCE ET LES VARIATIONS DE DIAMETRE
EP1230447 PROCEDE DE REGULATION DE LA CROISSANCE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR
EP1162291 PROCEDE ET APPAREIL DE DETECTION DE NIVEAU DE BAIN DE FUSION
WO0183859 PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DU NIVEAU DE BAIN DE FUSION
EP1133592 PROCEDE ET SYSTEME DE COMMANDE DU TIRAGE D'UN CRISTAL DE SILICIUM
EP1129239 PROCEDE ET SYSTEME DE STABILISATION DE LA CROISSANCE DENDRITIQUE DU TYPE WEB DES CRISTAUX
WO0157294 PROCEDE PERMETTANT DE REGLER LA CROISSANCE D'UN CRISTAL DE SILICIUM DE MANIERE A REDUIRE LA VITESSE DE CROISSANCE ET LES VARIATIONS DE DIAMETRE
WO0129292 PROCEDE DE REGULATION DE LA CROISSANCE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR
WO0055396 PROCEDE ET APPAREIL DE DETECTION DE NIVEAU DE BAIN DE FUSION
EP1019567 PROCEDE ET SYSTEME POUR LE CONTROLE DU TIRAGE DE CRISTAUX AU SILICIUM
WO0022200 PROCEDE ET SYSTEME DE COMMANDE DU TIRAGE D'UN CRISTAL DE SILICIUM
WO0009784 PROCEDE ET SYSTEME DE STABILISATION DE LA CROISSANCE DENDRITIQUE DU TYPE WEB DES CRISTAUX
EP0938599 PROCEDE ET DISPOSITIF POUR CONTROLER UNE MATIERE FONDUE SERVANT A LA PRODUCTION DE CRISTAUX
WO9916940 PROCEDE ET SYSTEME POUR LE CONTROLE DU TIRAGE DE CRISTAUX AU SILICIUM
EP0903428 Appareillage et méthode pour déterminer les diamètres d'un cristal
EP0819784 Système pour le réglage du diamètre d'un cristal
EP0781872 Appareillage et procédé pour le réglage de la position initiale de la surface d'un bain fondu
EP0745830 Système et méthode pour contrôler la croissance d'un monocristal de silicium
EP0610830 Methode et appareillage pour la croissance de type czochralski de monocristal semi–conducteur.
EP0599350 Dispositif de mesure du diamètre d'un cristal.
EP0588355 Procédé et dispositif pour le réglage du niveau du bain fondu pendant le tirage de monocristaux.
EP0472907 Dispositif pour mesurer le diamètre d'un cristal.
EP0455186 Méthode et appareillage pour mesurer l'oscillation de la surface d'un bain fondu.
EP0450502 Procédé et dispositif de mesure du diamètre dans le grossissement du cristal automatique.
EP0444628 Procédé de croissance automatique de la partie col d'un lingot monocristallin par la méthode Czochralski.
EP0315572 Appareil de mesure diamètre d'un cristal.
EP0285943 Procédé de commande du diamètre d'un cristal.
EP0265805 Appareil pour mesurer le diamètre d'un cristal.
EP0183221 Croissance contrôlée d'un cristal
EP0171694 Procédé pour contrôler la croissance d'un cristal
EP0146132 Méthode pour le contrôle d'un monocristal pendant sa croissance
EP0134680 Appareil pour la fabrication d'un monocristal
FR2458792 PROCEDE ET DISPOSITIF DE MESURE DU DIAMETRE DE MONOCRISTAUX PENDANT LE TIRAGE EN BAIN FONDU
FR2446333 APPAREIL ET PROCEDE POUR CONTROLER LA CROISSANCE D'UN CORPS CRISTALLIN
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