| N° de brevet |
Brevet |
| EP1895027 |
PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE POUSSER UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PROCESSUS POUR PRODUIRE UNE TRANCHE DE SILICIUM |
| EP1895029 |
DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1895026 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET MONOCRISTAL DE SILICIUM OBTENU PAR CE PROCEDE |
| EP1895028 |
DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR |
| EP1829992 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE RECUITE |
| EP1785511 |
PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCEDE DE FABRICATION DE LADITE PLAQUETTE ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAL SIMPLE DE SILICIUM |
| EP1780314 |
Procédé pour la production d'un monocristal de silicium |
| EP1762643 |
méthode at appareil pour l'obtention de cristaux homogènes et faiblement contrains par tirage |
| WO2007020744 |
SYSTÈME DE COMMANDE ET PROCÉDÉ DESTINÉ À UN OBJET DE COMMANDE D'UN SYSTÈME VARIABLE DANS LE TEMPS PRÉSENTANT UN TEMPS MORT TEL UN DISPOSITIF DE FABRICATION DE MONOCRISTAL CONFORME AU PROCÉDÉ DE CZOCHRALSKI |
| WO2007007456 |
PROCÉDÉ PERMETTANT DE PRODUIRE UN MONOCRISTAL |
| WO2007007479 |
PROCESSUS DE FABRICATION DE MONOCRISTAL |
| WO2006137178 |
PROCÉDÉ PERMETTANT DE FAIRE POUSSER UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PROCESSUS POUR PRODUIRE UNE TRANCHE DE SILICIUM |
| WO2006137181 |
DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2006137180 |
DISPOSITIF POUR PRODUIRE UN MONOCRISTAL DE SEMI–CONDUCTEUR |
| WO2006137174 |
PROCEDE DE CROISSANCE D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM ET MONOCRISTAL DE SILICIUM OBTENU PAR CE PROCEDE |
| WO2006117939 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION DE GALETTE DE SILICIUM |
| WO2006103837 |
METHODE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM, PLAQUETTE RECUITE ET METHODE DE PRODUCTION DE LADITE PLAQUETTE |
| EP1679392 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL |
| WO2006064610 |
PROCEDE DE FABRICATION D'UN MONOCRISTAL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE PLAQUETTE RECUITE |
| EP1662024 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL ET PLAQUETTE DE SILICIUM MICROCRISTALLIN |
| EP1650331 |
PROCEDE DE SIMULATION RELATIF A LA DISTRIBUTION DENSIMETRIQUE ET A LA DISTRIBUTION GRANULOMETRIQUE DE DEFAUTS DU TYPE VIDE DANS UN MONOCRISTAL ET DANS LE NOYAU DE PRECIPITATION A L'OXYGENE D'UN MONOCRISTAL |
| EP1650332 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL |
| EP1640483 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL |
| EP1640484 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL |
| EP1624094 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL OBTENU PAR CE PROCEDE |
| WO2005080646 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI–CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN |
| WO2005080647 |
PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UN SEMI–CONDUCTEUR MONOCRISTALLIN |
| WO2005071144 |
PROCEDE POUR PREVOIR UN COMPORTEMENT DE PRECIPITATION D'OXYGENE DANS UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM, PROCEDE POUR DETERMINER UN PARAMETRE DE PRODUCTION D'UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PROGRAMME D'ENREGISTREMENT POUR SUPPORT D'ENREGISTREMENT POUR PREVOIR UN COMPORTEMENT DE PRECIPITATION D'OXYGENE DANS UN CRISTAL UNIQUE DE |
| WO2005054549 |
SYSTEME DE FABRICATION DE CRISTAUX DE SILICIUM ISOLES, PROCEDE DE FABRICATION DE CRISTAUX DE SILICIUM ISOLES ET CRISTAL DE SILICIUM ISOLE |
| WO2005042811 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL |
| WO2005019506 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAL ET PLAQUETTE DE SILICIUM MICROCRISTALLIN |
| WO2005001170 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL |
| WO2005001171 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL |
| WO2005001169 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL |
| WO2004106594 |
PROCEDE DE SIMULATION RELATIF A LA DISTRIBUTION DENSIMETRIQUE ET A LA DISTRIBUTION GRANULOMETRIQUE DE DEFAUTS DU TYPE VIDE DANS UN MONOCRISTAL ET DANS LE NOYAU DE PRECIPITATION A L'OXYGENE D'UN MONOCRISTAL |
| WO2004101868 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL ET MONOCRISTAL OBTENU PAR CE PROCEDE |
| WO2004083496 |
PLAQUETTE DE SILICIUM, PROCEDE POUR PRODUIRE CETTE PLAQUETTE ET PROCEDE DE CROISSANCE DE MONOCRISTAL DE SILICIUM |
| FR2843131 |
MONOCRISTAL DE SILICATE D'ELEMENT DES TERRES RARES ET SCINTILLATEUR LE CONTENANT |
| WO2004007814 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SEMI–CONDUCTEUR A CRISTAL UNIQUE ET APPAREIL DE PRODUCTION D'UN SEMI–CONDUCTEUR A CRISTAL UNIQUE |
| WO03091484 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM ET PLAQUETTE DE CRISTAL UNIQUE DE SILICIUM |
| WO03084886 |
SUBSTRAT DE SPINELLE ET CROISSANCE HETEROEPITAXIALE D'ELEMENTS DES GROUPES III–V SUR CELUI–CI |
| WO03052175 |
EQUIPEMENT DE PRODUCTION EN "CHUTE D'EAU" POUR LA CROISSANCE DE CRISTAUX |
| EP1279752 |
PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DU NIVEAU DE BAIN DE FUSION |
| WO03004734 |
PROCEDE DE PRODUCTION D'UN SILICIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUTS |
| WO02092885 |
ENSEMBLE MANDRIN ELECTROCONDUCTEUR POUR CRISTAL GERME |
| WO02066714 |
PROCEDE DE PREPARATION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN PRESENTANT UNE MEILLEURE INTEGRITE D'OXYDE DE GRILLE |
| EP1230447 |
PROCEDE DE REGULATION DE LA CROISSANCE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR |
| WO02059400 |
SILICIUM A FAIBLE DENSITE DE DEFAUTS DONT LA PARTIE CENTRALE DOMINEE PAR DES LACUNES EST PRATIQUEMENT EXEMPTE DE DEFAUTS D'EMPILEMENT INDUITS PAR L'OXYDATION |
| WO0210486 |
PROCEDE POUR DETECTER LA DERNIERE PHASE DE FUSION D'UN SILICIUM POLYCRISTALLIN, PROCEDE DE REGLAGE DE LA TEMPERATURE DE CONTACT DU CRISTAL GERME AVEC LA MATIERE EN FUSION, ET APPAREIL DE PRODUCTION D'UN SILICIUM MONOCRISTALLIN |
| EP1171652 |
PROCEDE ET APPAREIL DE REGULATION DU DIAMETRE D'UN CRISTAL DE SILICIUM LORS D'UN PROCESSUS DE TIRAGE |
| EP1169497 |
METHODE PERMETTANT D'AGIR SUR LA CROISSANCE DU CONE DANS UN PROCESSUS DE CROISSANCE DE CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR ET DISPOSITIF CORRESPONDANT |
| WO0183859 |
PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DU NIVEAU DE BAIN DE FUSION |
| WO0173169 |
PLAQUETTE DE SILICIUM ET PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL DE SILICIUM |
| EP1133590 |
TRANCHES EPITAXIALES SENSIBLEMENT EXEMPTES DE DEFAUTS INTRINSEQUES |
| EP1127175 |
PROCEDE DE PREPARATION DE CRISTAUX DE SILICIUM EXEMPTS DE DEFAUTS PERMETTANT UNE CERTAINE VARIABILITE DES CONDITIONS DE TRAITEMENT |
| EP1125009 |
PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE TIRER UN CRISTAL AVEC PRECISION |
| WO0129292 |
PROCEDE DE REGULATION DE LA CROISSANCE D'UN CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR |
| WO0060145 |
METHODE PERMETTANT D'AGIR SUR LA CROISSANCE DU CONE DANS UN PROCESSUS DE CROISSANCE DE CRISTAL SEMI–CONDUCTEUR ET DISPOSITIF CORRESPONDANT |
| WO0056955 |
PROCEDE DE CONTROLE D'UNE MASSE EN FUSION ET PROCEDE DE CROISSANCE DE CRISTAUX |
| WO0056956 |
PROCEDE ET APPAREIL DE REGULATION DU DIAMETRE D'UN CRISTAL DE SILICIUM LORS D'UN PROCESSUS DE TIRAGE |
| WO0046433 |
PLAQUETTE DE SILICIUM EPITAXIALE ET SON PROCEDE DE FABRICATION ; SUBSTRAT POUR PLAQUETTE DE SILICIUM EPITAXIALE |
| WO0039370 |
CONTROLEUR BINAIRE POUR CORPS CRISTALLIN |
| EP1007769 |
DISPOSITIF ET PROCEDE DE CULTURE DE CRISTAUX |
| WO0022196 |
PROCEDE DE PREPARATION DE CRISTAUX DE SILICIUM EXEMPTS DE DEFAUTS PERMETTANT UNE CERTAINE VARIABILITE DES CONDITIONS DE TRAITEMENT |
| WO0022197 |
TRANCHES EPITAXIALES SENSIBLEMENT EXEMPTES DE DEFAUTS INTRINSEQUES |
| WO0022201 |
PROCEDE ET APPAREIL PERMETTANT DE TIRER UN CRISTAL AVEC PRECISION |
| EP0973964 |
SILICIUM A AUTO–INTERSTICES PREDOMINANTS, PRESENTANT UN TAUX DE DEFAUTS FAIBLE |
| EP0973963 |
SILICIUM A FAIBLE TAUX DE DEFAUTS |
| EP0972094 |
SILICIUM A TAUX DE DEFAUTS REDUIT, A LACUNES PREDOMINANTES |
| WO0000674 |
PROCEDE DE CRISTALLOGENESE PERMETTANT D'OBTENIR DES CRISTAUX DE SILICIUM EXEMPTS DE DEFAUTS ET DE DIAMETRES ARBITRAIRES |
| WO9963134 |
DISPOSITIF ET PROCEDE DE CULTURE DE CRISTAUX |
| EP0943704 |
Appareillage pour commander des procédés de croissance cristalline |
| WO9845510 |
SILICIUM A AUTO–INTERSTICES PREDOMINANTS, PRESENTANT UN TAUX DE DEFAUTS FAIBLE |
| EP0834607 |
Procédé et appareillage pour le tirage des cristaux |
| EP0833154 |
Sonde en SiO pour la contrôle en temps réel de l'oxygène pendant la croissance Czochralski d'un monocristal de silicium |
| EP0826796 |
PROCEDE ET INSTALLATION DESTINES A LA CRISTALLOGENESE DE MONOCRISTAUX |
| EP0821082 |
Procédé et appareillage pour commander la croissance d'un cristal |
| WO9736025 |
PROCEDE DE PRODUCTION DE SILICIUM MONOCRISTALLIN |
| EP0781872 |
Appareillage et procédé pour le réglage de la position initiale de la surface d'un bain fondu |
| WO9633301 |
PROCEDE ET INSTALLATION DESTINES A LA CRISTALLOGENESE DE MONOCRISTAUX |
