N° de brevet Brevet
WO2008026931 PROCÉDÉ ET ÉQUIPEMENT POUR LA FABRICATION D'UN SILICIUM MULTICRISTALLIN DE GRADE SOLAIRE À PARTIR DE SILICIUM MÉTALLURGIQUE
WO2007075886 NANOCRISTAUX SEMICONDUCTEURS NON SPHERIQUES ET PROCEDES POUR LES REALISER
EP1749905 Procédé pour la préparation d'un monocristal de borure ainsi qu'un substrat
WO2007006268 PROCEDE DE PRODUCTION D'UN MONOCRISTAL EN FORME DE PERLE
EP1743055 PROCEDE DE PRODUCTION DES RUBANS SEMI–CONDUCTEURS PAR CROISSANCE
WO2006107926 SOLIDIFICATION LATERALE SEQUENTIELLE DE COUCHES MINCES PAR BALAYAGE LINEAIRE
EP1699737 CHARGE D'ALIMENTATION EN SILICIUM POUR CELLULES SOLAIRES
EP1638716 PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'ALLIAGES CONDUCTEURS PAR METALLURGIE DE FUSION
FR2874624 PROCEDE DE RECHARGEMENT D'UNE PIECE METALLIQUE MONOCRISTALLINE OU A SOLIDIFICATION DIRIGEE.
EP1623059 PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURES MONOCRISTALLINES OBTENUES AU MOYEN DE TECHNIQUES DE FABRICATION PAR FORMAGE LIBRE
EP1616343 APPAREIL ET PROCEDE POUR LA CROISSANCE A PRESSION EQUILIBREE DE COMPOSES SEMI–CONDUCTEURS MONOCRISTALLINS DE GROUPES III–IV
EP1595006 APPAREIL ET PROCEDE DE FABRICATION D'UNE TIGE MONOCRISTALLINE
WO2005063621 CHARGE D'ALIMENTATION EN SILICIUM POUR CELLULES SOLAIRES
EP1509642 DISPOSITIF POUR LA PRODUCTION DE BARREAUX CRISTALLINS PRESENTANT UNE SECTION TRANSVERSALE DEFINIE ET UNE STRUCTURE POLYCRISTALLINE COLONNAIRE AU MOYEN D'UNE CRISTALLISATION CONTINUE REALISEE EN DEHORS DU CREUSET
WO2005007940 PROCEDE DE PRODUCTION DE PLAQUETTE DE SILICIUM ET PLAQUETTE DE SILICIUM
EP1495166 PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURES MONOCRISTALLINES
WO2004112993 PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION D'ALLIAGES CONDUCTEURS PAR METALLURGIE DE FUSION
WO2004092454 SYSTEME ET PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURES MONOCRISTALLINES OBTENUES AU MOYEN DE TECHNIQUES DE FABRICATION PAR FORMAGE LIBRE
EP1444388 REVETEMENT MCRALY
EP1442163 PROCEDE DE CROISSANCE DE REVETEMENT EN MCRALY ET OBJET REVETU DE MCRALY
EP1433750 Matériau d'ornementation effectuant une émission particulière de lumière ou de couleur.
WO2004049412 PROCEDE D'ELABORATION D'UN FILM MINCE CRISTALLIN
EP1426458 Procédé pour le dépot local d'une couche de MCrAlY
WO2004016837 PROCEDE DE PRODUCTION D'UN CRISTAL MIXTE GALLIUM OXYDE FER
EP1391544 Procédé pour la préparation d'un monocristal paramagnétique d'un grenat à base d'aluminium–terbium
WO2004012257 PROCEDE ET APPAREIL POUR LA FABRICATION DE TRANCHES SEMI–CONDUCTRICES DE FINITION IMMEDIATE
WO03093540 DISPOSITIF POUR LA PRODUCTION DE BARREAUX CRISTALLINS PRESENTANT UNE SECTION TRANSVERSALE DEFINIE ET UNE STRUCTURE POLYCRISTALLINE COLONNAIRE AU MOYEN D'UNE CRISTALLISATION CONTINUE REALISEE EN DEHORS DU CREUSET
WO03087439 PROCEDE DE PRODUCTION DE STRUCTURES MONOCRISTALLINES
EP1354341 PROCEDE ET SYSTEME PERMETTANT D'OBTENIR UNE SOLIDIFICATION LATERALE SEQUENTIELLE EN MOUVEMENT CONTINU PAR BALAYAGE UNIQUE
EP1348781 Method for epitaxial growth by energetic beam irradiation
EP1340567 Procédé pour éliminer des défauts de coulée
EP1337696 PROCEDE ET DISPOSITIF DE PRODUCTION DE CRISTAUX OPTIQUES DE FLUORURE
EP1302760 PROCEDE ET APPAREIL DE MESURE DE LA TEMPERATURE
EP1295970 Revêtement de l'alliage du type MCrAlY
EP1295969 Procédé pour la croissance d'un revêtement de MCrAlY ainsi qu'un objet revêtu de cet alliage
EP1291456 TIGE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE CETTE TIGE
WO03018882 UNIFORMITE AMELIOREE DE TCM POLYCRISTALLINS PAR NON ALIGNEMENT DES MICROSTRUCTURES
EP1234899 Monocristal et méthode pour sa fabrication
EP1226285 MUNITION PENETRANTE EN ALLIAGE DE TUNGSTENE MONOCRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION
WO0221606 PROCEDE DE FABRICATION A RENDEMENT ELEVE D'UN MATERIAU THERMOELECTRIQUE DE TELLURURE DE BISMUTH DE HAUTE QUALITE
EP1176231 Substrat à base de borure pour la croissance des couches semiconductrices et composant semiconducteur l'utilisant
FR2810342 PROCEDE DE CRISTALLOGENESE AVEC CHAMP MAGNETIQUE
WO0194669 TIGE DE SILICIUM POLYCRISTALLIN ET PROCEDE DE TRAITEMENT DE CETTE TIGE
EP1113095 Appareil pour la croissance des monocristaux selon le procédé de la fusion en zone flottante
EP1094135 Procédé pour la préparation sous forme de feuille le composé intermétallique Ni3Al résistant à la chaleur et et le produit ainsi obtenu
EP1088912 Croissance en solution dans une zone flottante de cristaux d'un composé ou d'un alliage
WO0104370 MUNITION PENETRANTE EN ALLIAGE DE TUNGSTENE MONOCRISTALLIN ET PROCEDE DE FABRICATION
EP1065026 Procédé pour fabriquer ou réparer les canaux de refroidissement d' un élement monocristallin d' un turbine à gas
EP1001055 Composant d'une turbine à gaz
FR2776674 PROCEDE POUR FAIRE CROITRE UN MONOCRISTAL
WO9913136 PROCEDE D'OBTENTION DE FEUILLES DE SILICIUM A ZONE MONOCRISTALLINE ETENDUE
EP0892090 Procédé de fabrication de structure smonocristallines
EP0867405 Méthode de production de silicium utilisable dans les cellules solaires
EP0861927 Procédé de fabrication de structures monocristallines
EP0829559 Procédé de fabrication d'une plaquette de silicium ayant une faible densité de défauts
EP0819782 Procédé pour le dépôt d'une couche mince sur un substrat par ablation par laser
WO9740214 PROCEDE DE PREPARATION DE MATERIAUX CONFORMES A BASE DE COMPOSES EUTECTIQUES BINAIRES OU TERNAIRES DE ZIRCONE
EP0760403 Procédé pour la croissance d'un monocristal d'un silicate de terre rare
WO9703235 PROCEDE DE MODIFICATION DU RAPPORT ISOTOPIQUE DES ISOTOPES INTRODUITS DANS DES RESEAUX CRISTALLINS CUBIQUES ET HEXAGONAUX
EP0745704 Procédé pour la préparation d'une plaquette de semi–conducteur avec film épitaxial
EP0740976 Procédé de réparation d'articles monocristallins métalliques
EP0738791 PROCEDE DE PRODUCTION DE CRISTAL SPHERIQUE
EP0724028 Procédé de préparation d'un monocristal de silicium sous forme de fil
EP0713413 PREPARATION D'ELEMENTS DE HAUTE PURETE
EP0712382 FIBRES DE RENFORCEMENT EUTECTIQUES SOLIDIFIEES DE MANIERE DIRECTIONNELLE
EP0710734 Corps cristallin sans joints de grains d'oxyde composite à base de manganèse et méthode de sa préparation
EP0710735 Corps cristallin sans joints de grains d'oxyde à base de manganèse et méthode pour sa préparation
EP0704559 Méthode pour la préparation d'un matériau de substrat pour cellules solaires et cellule solaire préparée utilisant cette méthode
EP0696652 Procédé et appareillage pour mesurer, contrôler et/ou régler la concentration de l'oxygène dans le silicium fondu
WO9520694 PROCEDE DE FORMATION D'UNE COUCHE POLYCRISTALLINE SUR UN SUBSTRAT AMORPHE
EP0662251 MATERIAU CRISTALLIN STRATIFIE POUVANT RECEVOIR UNE FORTE CHARGE EN ELEMENTS D'APPORT.
EP0644588 Wafer à une couche épitaxiale ayant une faible densité de défauts.
WO9505228 PREPARATION D'ELEMENTS DE HAUTE PURETE
WO9504013 FIBRES DE RENFORCEMENT EUTECTIQUES SOLIDIFIEES DE MANIERE DIRECTIONNELLE
WO9308981 MATERIAU CRISTALLIN STRATIFIE POUVANT RECEVOIR UNE FORTE CHARGE EN ELEMENTS D'APPORT
EP0536394 PROCEDE DE FABRICATION DE BARRES DE SILICIUM POLYCRISTALLIN POUR SEMI–CONDUCTEURS, ET FOUR DE DECOMPOSITION THERMIQUE A CET EFFET.
EP0532815 Procédé de préparation de substrats avec un réseau cristallin adapté à celui des supraconducteurs à haute–Tc.
FR2678648 CRISTAL DE GEHLENITE DOPEE AU NEODYME ET LASER UTILISANT CE CRISTAL.
EP0504929 Procédé de croissance d'une barre de silicium monocristallin.
EP0498887 PONT CONNECTEUR DE CONDUCTEURS CENTRAUX DESTINE AUX APPAREILS DE FABRICATION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN.
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