N° de brevet Brevet
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WO03005417 PROCEDE ET APPAREIL SERVANT A LA CROISSANCE DE CRISTAUX SEMI–CONDUCTEURS AU MOYEN D'UN SUPPORT RIGIDE, DOPAGE AU CARBONE, D'UNE REGULATION DE LA RESISTIVITE ET DU GRADIENT DE TEMPERATURE
EP1114884 Procédé pour la préparation d'un monocristal d'un sémiconducteur du type composé
FR2744715 PROCEDE DE PRODUCTION DE MONOCRISTAUX SUPRACONDUCTEURS CERAMIQUES
EP0490691 Dopage par gaz de solides produites par la croissance cristalline.
FR2665462 PROCEDE DE CRISTALLISATION EN PRESENCE DE CHAMP MAGNETIQUE.
EP0426810 SYSTEME DE REALIMENTATION EN CONTINU D'UN BAIN DE FUSION.
WO9014450 SYSTEME DE REALIMENTATION EN CONTINU D'UN BAIN DE FUSION
EP0104741 Procédé pour la croissance de matériaux cristallins
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