L'invention concerne une structure semi-conductrice comportant un substrat de verre. Dans un mode de réalisation, le substrat de verre présente une température de ramollissement d'au moins 750°C environ. La structure comprend une couche de nucléation formée sur une surface du substrat, une couche de matrice déposée sur la couche de nucléation par dépôt ionique ou dépôt ionique réactif, au moins une couche tampon à orientation biaxiale déposée par épitaxie sur la couche de matrice, et une couche semi-conductrice à orientation biaxiale déposée par épitaxie sur la couche tampon. L'invention concerne également un procédé de fabrication de la structure semi-conductrice.