L'invention concerne un procédé permettant de former un ou plusieurs condensateurs sur ou dans un substrat (301) et une structure de condensateur résultant de celui-ci. Le procédé comprend les étapes consistant à former une tranchée dans le substrat (301), recouvrir la tranchée à l'aide d'une première couche barrière à la diffusion du cuivre (303), et remplir sensiblement la tranchée avec une première couche de cuivre (305A). La première couche de cuivre (305A) est sensiblement isolée chimiquement du substrat (301) par la première couche barrière à la diffusion du cuivre (303). Une seconde couche barrière à la diffusion du cuivre (313A) est formée sur la première couche de cuivre (305A) et une première couche diélectrique (307A) est formée sur la seconde couche barrière à la diffusion du cuivre (313A). La couche diélectrique (307A) est sensiblement isolée chimiquement de la première couche de cuivre (305A) par la seconde couche barrière à la diffusion du cuivre (313A). Une troisième couche barrière à la diffusion du cuivre (317A) est formée sur la couche diélectrique (307A) et une seconde couche de cuivre (319A) est formée sur la troisième couche barrière à la diffusion du cuivre (317A). La seconde couche de cuivre (319A) est formée dans un procédé sans damasquinage.