Procédé de fabrication de couche de semi-conducteur. Selon un premier dépôt durant un premier laps de temps, au moins un élément du groupe HIA et au moins un élément du groupe VIA sont déposés sur une couche ou sur une couche déposée éventuellement sur le substrat, du type électrode dorsale. Selon un second dépôt durant un second laps de temps, au moins un élément du groupe IB et au moins un élément du groupe VIA sont déposés sur le substrat ou la couche facultative. L'élément du groupe IB se combine avec l'élément du groupe VIA pour former une composition IB SUB 2 /SUB VIA. On surveille un premier état de dépôt, durant le second dépôt en faisant plusieurs mesures d'un premier état de dépôt. Le second dépôt est interrompu ou atténué sur la base d'une fonction de la première pluralité de mesures des caractéristiques du premier état de dépôt.