L'invention concerne un appareil intégré et des procédés qui effectuent un traitement de surface de substrat et un dépôt de film pour une interconnexion de cuivre avec des caractéristiques de migration de métal améliorées et une propagation de vides réduite. Dans un mode de réalisation à titre d'exemple, une chambre pour effectuer un traitement de surface et un dépôt de film est fournie. La chambre comprend une première tête de proximité pour le traitement de surface de substrat configurée pour distribuer un premier gaz de traitement pour traiter une partie d'une surface d'un substrat sous la première tête de proximité pour un traitement de surface de substrat. La chambre comprend également une première tête de proximité pour un dépôt de couche atomique (ALD) configurée pour distribuer de manière séquentielle un premier gaz réactif et un premier gaz de purge pour déposer un premier film ALD sous la seconde tête de proximité pour ALD.