La présente invention concerne un procédé de fabrication et un produit permettant de déposer une couche conductrice ou une toute autre couche de revêtement dans une structure d'interconnexion électrique verticale. Dans un mode de réalisation, un trou (88) traversant une couche diélectrique (86) comprend une couche barrière (132) formée de RuTaN, une couche d'adhésion (112) formée de RuTa et une couche d'ensemencement de cuivre (114) formant un revêtement pour le cuivrage électrolytique. La teneur en ruthénium est de préférence supérieure à 50% et plus préférablement au moins égale à 80% mais cependant inférieure à 95%. Les couches barrière et d'adhésion peuvent toutes deux être déposées par pulvérisation cathodique. D'autres éléments du groupe du platine remplacent le ruthénium et d'autres métaux réfractaires remplacent le tantale. La formation d'un alliage d'aluminium sous forme RuTa (192, 194) après un traitement thermique constitue une barrière d'humidité. Des contacts en cuivre (232, 238) comprennent différentes fractions d'alliage de RuTa permettant d'attribuer la fonction travail au type de dopage du silicium (216, 218).