L'invention concerne un silicium métallique obtenu en purifiant un silicium métallique brut fondu, par solidification unidirectionnelle, ledit silicium métallique présentant une pureté de 3N à 6N et un diamètre moyen de grain cristallin supérieur ou égal à 1 mm. Le procédé de fabrication du silicium métallique comprend la solidification unidirectionnelle du silicium métallique brut fondu disposé dans un récipient contenant de la silice fine au niveau de sa couche circonférentielle interne à une vitesse inférieure ou égale à 1 mm/min, puis son refroidissement à une température inférieure ou égale à 200 °C à une vitesse inférieure ou égale à 2 °C/min.