Procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, dispositif à nitrures du groupe III, procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, et procédé de fabrication de dispositif à nitrures du groupe III- Brevets EP1897978 (A1)

Procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III, substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, dispositif à nitrures du groupe III, procédé de fabrication de substrat de nitrures du groupe III avec une couche épitaxiale, et procédé de fabrication de dispositif à nitrures du groupe III

N° de brevet:	EP1897978 (A1)
Date de publication:	2008-03-12
Inventeur(s):	ISHIBASHI KEIJI [JP];IRIKURA MASATO [JP];NAKAHATA SEIJI [JP];
Demandeur(s):	SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES [JP];
Classification:	C30B29/40;H01L21/306;
N° de demande:	EP20070016218 20070817
Numéro(s) de priorité:	JP20060239764 20060905

A manufacturing method of a group III nitride substrate (1, 2) by which a group III nitride substrate (1, 2) being excellent in flatness can be obtained includes the steps of: adhering a plurality of the stripe type group III nitride substrates to an abrading holder (53) so that a stripe structure direction is perpendicular to a rotation direction of the abrading holder (53); and grinding, lapping and/or polishing the substrates (1,2).