La présente invention concerne des procédés et un appareil de dépôt de films métalliques à base de tantale dans des fluides de solvant de nouvelle génération sur des substrats et/ou des surfaces de dépôt utiles, par exemple, en tant que couches germe. Le dépôt comprend des précurseurs métalliques à l'état d'oxydation de faible valence solubles dans du liquide et/ou des fluides solvants compressibles dans des conditions liquides, sous-critiques ou supercritiques pour des solutions de précurseurs mixtes. Le dépôt de films métalliques est effectué par l'activation thermique et/ou photolytique des précurseurs métalliques. L'invention est applicable dans la fabrication et le traitement de substrats ou composites semi-conducteurs, métalliques, polymériques, céramiques, et analogues.