La présente invention a trait à un procédé de production d'un semi-conducteur de nitrure qui permet d'améliorer la cristallinité et l'état de surface d'un cristal à semi-conducteur de nitrure formé sur une couche tampon AlN à température élevée. La présente invention a tout particulièrement trait à un procédé de production d'un semi-conducteur de nitrure dans lequel une couche tampon AlN est formée sur un substrat pour croissance et un cristal à semi-conducteur de nitrure est créé sur celle-ci. Dans ce procédé de production, la couche tampon AlN est créée à partir de cristal à une température élevée non inférieure à 900 °C, tout en fournissant au préalable de façon continue un gaz de matière première Al pour la couche tampon AlN dans une chambre de réaction puis en fournissant par intermittence un gaz de matière première N dans celle-ci.