La présente invention concerne un procédé amélioré pour la croissance épitaxiale stable d'un SiC à cristal unique pendant une période prolongée, ainsi qu'un SiC à cristal unique de grande qualité obtenu en conséquence. L'invention concerne un procédé pour produire un SiC à cristal unique, comprenant les étapes de disposition dans un creuset d'un suscepteur avec un cristal de semence SiC fixé dessus et une conduite d'alimentation des matières premières pour fournir des particules de carbone (C) et des particules de SiO SUB 2 /SUB comme matières premières pour la production de SiC à cristal unique, ainsi que la fourniture de matières premières pour la production d'un SiC à cristal unique avec un gaz vecteur inerte via la conduite d'alimentation en matières premières sur le cristal de semence SiC dans le creuset avec une atmosphère à température élevée pour atteindre ainsi une croissance d'un SiC à cristal unique, caractérisé en ce que le rapport molaire d'alimentation de SiO SUB 2 /SUB par rapport à C de la matière première soit tel que SiO SUB 2 /SUB :C =" 1",05:3,0 à 2,0:3,0. L'invention concerne également un SiC à cristal unique produit par le procédé.