COMPLEXES DE CUIVRE(I) ET PROCÉDÉS DE DÉPÔT DE FILMS DE CUIVRE AU MOYEN D'UN DÉPÔT PAR COUCHE ATOMIQUE

N° de brevet: WO2008018861 (A1)
Date de publication: 2008-02-14
Inventeur(s): PARK KYUNG-HO [US];
Demandeur(s): DU PONT [US];PARK KYUNG-HO [US];
Classification: C23C16/18;C23C16/455;C07F1/08;
N° de demande: WO2006US30707 20060807 
Numéro(s) de priorité: WO2006US30707 20060807 
La présente invention concerne des nouveaux complexes de cuivre de 1,3-diimine et l'utilisation de ces complexes pour le dépôt de cuivre sur des substrats ou dans ou sur des solides poreux au moyen d'un procédé de dépôt par couche atomique.

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