PRODUIT FRITTÉ À BASE DE SiC ET PROCÉDÉ POUR LA PRODUCTION DE CELUI–CI
| N° de brevet: |
WO2008018401 (A1) |
| Date de publication: |
2008-02-14 |
| Inventeur(s): |
NAGATOME TOMOO [JP];KAWAGUCHI KAZUHIKO [JP]; |
| Demandeur(s): |
MITSUI MINING &SMELTING CO [JP];NAGATOME TOMOO [JP];KAWAGUCHI KAZUHIKO [JP]; |
| Classification: |
C04B35/565;C04B35/573; |
| N° de demande: |
WO2007JP65343 20070806 |
| Numéro(s) de priorité: |
JP20060216387 20060809 |
L'invention concerne un produit fritté à base de SiC lequel permet d'enlever très facilement un liant et a une composition homogène. L'invention concerne également un procédé servant à produire le produit fritté à base de SiC. Le produit fritté à base de SiC comprend au moins SiC et Si en tant que composants constitutifs et il a une rugosité de surface moyenne de 5 à 100 µm ou une porosité de surface supérieure ou égale à 0,3 %. Le produit fritté peut être produit par les étapes consistant à mouler une matière première de moulage comprenant une poudre de SiC, une poudre de graphite, un liant organique et de l'eau, à fritter le produit moulé et à refroidir le produit fritté, de l'azote gazeux étant introduit au cours d'au moins l'une ou l'autre des étapes soit de frittage soit de refroidissement.
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