L'invention concerne un procédé et un système pour traiter un substrat à l'aide d'un faisceau d'électrons balistique, par lequel l'uniformité radiale du flux de faisceau d'électrons est ajustée par modulation de la puissance radiofréquence (RF) de source. Par exemple, un système de traitement plasma est décrit ayant une première puissance RF couplée à une électrode inférieure, pouvant supporter le substrat, une seconde puissance RF couplée à une électrode supérieure s'opposant à l'électrode inférieure, et une puissance à courant continu (CC) haute tension négative couplée à l'électrode supérieure pour former le faisceau d'électrons balistique. L'amplitude de la seconde puissance RF est modulée pour affecter des changements dans l'uniformité du flux de faisceau d'électrons balistique.