L'invention concerne un procédé de formation de motifs convenant à la formation d'un motif fin avec faisceaux d'électrons (abrégés ci-après EB), rayons X, ou ultraviolet extrême (abrégé ci-après EUV). Le procédé comprend les étapes suivantes dans cet ordre : (1) une étape dans laquelle un film de couche inférieure contenant un générateur d'acide sensible aux radiations qui génère un acide en cas d'irradiation avec une radiation est formé sur un substrat et cuit ; (2) une étape dans laquelle le film de couche inférieure est irradié avec une radiation à travers un masque pour générer de manière sélective un acide dans les zones du film de couche inférieure qui sont irradiées avec la radiation ; (3) une étape dans laquelle un film de couche supérieure ne contenant pas de générateur d'acide sensible aux radiations et contenant une composition qui subit une polymérisation ou une réticulation sous l'action d'un acide est formé sur le film de couche inférieure ; (4) une étape dans laquelle un film polymérisé ou réticulé/cuit est formé de manière sélective dans les zones du film de couche supérieure qui correspondent aux zones du film de couche inférieure dans lesquelles un acide est généré ; et (5) une étape dans laquelle les zones du film de couche supérieure qui correspondent aux zones du film de couche inférieure dans laquelle aucun acide n'est généré sont supprimées.