Un procédé de croissance d'un cristal de nitrure de gallium selon la présente invention comprend les étapes suivantes : une étape pour former partiellement, sur un substrat de base (U), un masque (M) empêchant la croissance épitaxiale du cristal, et une étape de croissance épitaxiale du cristal par dépôt en phase vapeur sur le substrat de base (U) sur lequel a été réalisé le masque (M), et dans l'étape de croissance épitaxiale du cristal par dépôt en phase vapeur, la croissance du cristal s'effectue dans de premières conditions de croissance où la vitesse de croissance Vj exprimée en micromètres par heure et la température de croissance exprimée en température absolue sont liées par la relation (a1/T+b1)<Vj<(a2/T+b2) en utilisant les coefficients a1= -4,39x10 puissance 5, b1=3,87x10 puissance 2, a2= -7,36x10 puissance 5 et b2= 7,37x10 puissance 2. De cette façon, la densité de dislocations dans le cristal est réduite.