L'invention concerne un processus de fabrication d'un substrat monocristallin avec angle de déport, caractérisé par une procédure séquentielle consistant à fournir un substrat de matériau permettant une croissance épitaxiale selon un procédé synthétique en phase vapeur, le matériau possédant en sa surface un angle de déport par rapport à la face de cristal permettant une croissance épitaxiale ; à réaliser une injection ionique dans la surface avec un angle de déport du substrat pour ainsi constituer une couche de structure cristalline altérée au voisinage de la surface de substrat ; à réaliser une croissance cristalline à la surface avec un angle de déport du substrat selon un procédé synthétique en phase vapeur ; avant de séparer la couche de croissance cristalline du substrat. En conséquence, dans la production de substrat dérivé utile dans la synthèse en phase vapeur de monocristal, on peut non seulement réduire les coûts de production mais également obtenir un substrat ayant un angle de déport identique et ce de manière simple et en grande quantité.