La présente invention concerne un procédé de dépôt de matériau de carbure de silicium sur un substrat de façon que le substrat obtenu présente une durée de vie de porteurs comprise entre 0,5 et 1000 microsecondes. Ce procédé consiste : (a) à introduire un mélange gazeux comprenant un gaz de chlorosilane, un gaz contenant du carbone et un gaz d'hydrogène dans une chambre de réaction contenant un substrat; et (b) à faire chauffer le substrat à une température supérieure à 1000°C mais inférieure à 2000 °C, la pression à l'intérieur de la chambre de réaction étant maintenue entre 0,1 et 760 torrs. Cette invention concerne également un procédé de dépôt de matériau de carbure de silicium sur un substrat de façon que le substrat obtenu présente une durée de vie de porteurs comprise entre 0,5 et 1000 microsecondes. Ce procédé consiste : (a) à introduire un mélange gazeux comprenant un gaz contenant du silicium non chloré, du chlorure d'hydrogène, un gaz contenant du carbone et un gaz d'hydrogène dans une chambre de réaction contenant un substrat; et (b) à faire chauffer le substrat à une température supérieure à 1000°C mais inférieure à 2000 °C, la pression à l'intérieur de la chambre de réaction étant maintenue entre 0,1 et 760 torrs.