La présente invention concerne un cristal semiconducteur et un procédé de tirage associé. Le cristal comprend une partie germe et une partie tirée sur la partie germe. La partie germe et la partie tirée forment un monocristal de carbure de silicium cylindrique pratiquement droit. Une face du germe définit une interface entre la partie tirée et la partie germe, ladite face du germe étant pratiquement parallèle aux bases du cristal cylindrique droit et étant excentrée par rapport au plan basal du monocristal. La partie tirée reproduit le polytype de la partie germe et la partie tirée a un diamètre d'au moins 100 mm environ.