L'invention concerne un procédé de fabrication d'un substrat de cristal d'AlN qui réalise la production d'un substrat important de haute qualité de cristal d'AlN; un procédé consistant à faire croître un cristal d'AlN qui réalise la croissance d'un cristal d'AlN important de haute qualité; et un substrat de cristal d'AlN consistant en un cristal d'AlN qui a poussé par le procédé de croissance. L'invention concerne un procédé pour fabriquer un substrat de cristal d'AlN, comprenant l'étape consistant à faire croître sur un hétérosubstrat un cristal d'AlN jusqu'à une épaisseur de 0,4 r ou au-dessus, dans laquelle r signifie le diamètre de l'hétérosubstrat selon une méthode de sublimation et l'étape de formation d'un substrat de cristal d'AlN à partir d'une région de cristal d'AlN séparée de 200 µm ou davantage de l'hétérosubstrat. De plus, l'invention concerne un procédé pour faire croître un cristal d'AlN, comprenant la croissance d'un cristal d'AlN sur le substrat de cristal d'AlN produit par le procédé ci-dessus selon une méthode de sublimation, et l'invention concerne également un substrat de cristal d'AlN se composant d'un cristal d'AlN qui a poussé par le procédé de croissance.