La présente invention concerne des procédés et des appareils pour mesurer la température de la tranche et calibrer les dispositifs de mesure de la température qui peuvent être basés sur la détermination de l'absorption d'une couche dans une tranche à semi-conducteurs. L'absorption peut être déterminée en dirigeant la lumière vers la tranche et en mesurant la lumière réfléchie de la tranche par le dessous de la surface sur laquelle s'applique la lumière incidente. Le calibrage des tranches et les systèmes de mesure peuvent être agencés et configurés pour que la lumière réfléchie à des angles prédéterminés sur la surface de la tranche soit mesurée et l'autre lumière ne le soit pas. Les mesures peuvent aussi être basées sur l'évaluation du degré de contraste dans une image d'un motif dans ou sur la tranche. D'autres mesures peuvent utiliser une détermination d'une longueur de parcours optique dans la tranche avec une détermination de température en fonction d'une lumière reflétée ou transmise.