Un procédé de fabrication d'un transistor en couche mince (TFT) consiste à former une électrode de grille (112a) ; à former une couche semi-conductrice (114) en chevauchement partiel avec l'électrode de grille (112a) ; à former des première et seconde couches d'isolation de grille (113a) et (113b) entre l'électrode de grille (112a) et la couche semi-conductrice (114) ; et à former des électrodes source et drain (115a) et (115b) au niveau des deux côtés de la couche semi-conductrice (114).La première couche d'isolation de grille (113a) est formée à partir d'un matériau différent de la seconde couche d'isolation de grille (113b) et au moins une couche parmi les première et seconde couches d'isolation de grille (113a) et (113b) comporte un composé solApplication à un dispositif d'affichage à cristaux liquides (LCD), et plus particulièrement le substrat de réseau à transistors en couche mince dans lequel le procédé de fabrication d'une couche d'isolation de grille est simplifié.