STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE

STRUCTURE DE SILICIUM TRES RESISTIVE ET PROCEDE DE PREPARATION DE CELLE–CI

N° de brevet:	EP1882057 (A2)
Date de publication:	2008-01-30
Inventeur(s):	FALSTER ROBERT J [IT];BATUNINA ANNA V [IT];VORONKOVA GALINA I [IT];VORONKOV VLADIMIR V [RU];
Demandeur(s):	MEMC ELECTRONIC MATERIALS [US];
Classification:	C30B29/06;C30B33/00;C30B33/02;H01L21/324;
N° de demande:	EP20060760078 20060518
Numéro(s) de priorité:	WO2006US19207 20060518;US20050682691P 20050519

L'invention concerne un procédé de fabrication d'un motif conducteur électrique comprenant : (a) le dépôt d'un liquide à composition de faible viscosité comprenant des ingrédients de départ comprenant une amine organique, une poudre d'argent, et optionnellement un acide organique, pour obtenir la composition déposée ; et (b) chauffage de la composition déposée, résultant en un motif conducteur électrique comprenant de l'argent.