La nanostrucure comporte deux réseaux de nanofils en matériau semi-conducteur dopé, respectivement n et p. Les nanofils (7) du premier réseau, par exemple de type n, sont formés par exemple par croissance de type VLS. Une gouttelette (6) en matériau électriquement conducteur, ayant servi de catalyseur pendant l'étape de croissance, surmonte chaque nanofil (7) du premier réseau à la fin de sa croissance. Un nanofil (9) du second réseau est alors formé autour de chaque nanofil (7) du premier réseau par recouvrement, par une couche en matériau semi-conducteur de type p, d'une couche (10) en matériau électriquement isolant, formée autour de chaque nanofil (7) du premier réseau, et de la gouttelette (6) associée. Une gouttelette (6) connecte ainsi automatiquement un nanofil (7) du premier réseau à un seul nanofil (9), coaxial, du second réseau. Ce type de nanostructure peut, en particulier, être utilisé pour former un convertisseur thermoélectrique.